Способ получения фосфида цинка

Номер патента: 567752

Опубликовано: 05.08.1977

Авторы: Дейко, Дышлевич, Жариков, Котов, Кутнер, Малый, Мирошников, Подкантор, Робустов

МПК: C21B 7/18

Метки: аппарата, доменной, засыпного, печи, повышения, стойкости

...количество проходящего оного,газа. Абразивный износ конповерхности конуса и чаши увеличи- продув расширяется, удлиняется и в Плоскость прилегания.а конуса выше контактной поверх- тенсивно раэруша сл ить, то в этом мес оиз567752 Составитель А. ХаритоновРедактор Е. Братчикова Техред Н. Андрейчук, Корректор С, Юцченко Заказ 2693/19 Тираж541 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 3го воздействия выше плоскости рааположеЙия газоотводов,Способ реализуется слецуюшим образом,В стенках кольцевого колошникового пространства доменной печи ниже зоны контак- бта конуса и чаши засыпного аппарата,...

Номер патента: 1537658

Опубликовано: 23.01.1990

Авторы: Вингурт, Копелиович, Лопаткин, Шевельков

МПК: C04B 7/44

Метки: вращающейся, клинкера, мокрому, обжига, печи, способу, цементного

...высокой температуры отходящих газов (800-1000 С),бурно выделяют воду с поверхности ивследствие внутренних деформаций изэа более медленной диффузии воды свнутренних частиц материала рассыпаются, образуя большое количество мел"кодисперсного материала и пыли.При подаче гранул в соответствиис предлагаемым способом в зону цепных завес, где температура материала 70-95 С (а влажность его 25-53),гранулы, имеющие влагу на поверхности, пересыпаясь в слое материала,температура которого ниже температурыкипения воды, при соприкосновениис частицами материала не теряют водус поверхности за счет испарения ее.В то же время пылевидные частицы ма"териала, количество которых иногдадостигает 304, прилипают к поверх, шлама, пода ва е мого в печ ь.П р и м е р....

Номер патента: 423217

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Дмитриев, Евстропов, Калинина, Ордена, Царенксш, Чиабришвилн

МПК: H01S 3/00

Метки: излучательных, переходов, полупроводниках, типов

...и одновременно зависимость проводимости полупроводника от температуры.Недостатком известного способа является неточность определения типа излучательных переходов, особенно в тех случаях, когда зависимость интенсивности люминесценции от температуры полупроводника отличается от экспоненциальной,Целью изобретения является повышение точности процесса определения. Согласно изобретению, эта цель достигается измерением интенсивности спектральных полос фотолюминесценции при двух вариантах возбуждения. При первом варианте длина волны возбуждающего света выбирается такой же, как и при известном способе. При втором варианна волны выбирается такой, чтобывозбуждающих фотонов была меньшезапрещенной зоны, но больше, чем5 фотонов Йъизлучаемых при...

Номер патента: 469918

Опубликовано: 05.05.1975

Авторы: Шатинина, Шутько

МПК: G01N 23/20

Метки: взаимодействия, исследования, кинетики, компонентов, раствора

...в ней молекул ДНК, заранее вводят третий компонент - низкомолекулярное по сравнению с ДНК вещество Р - Н, содержащее обменоспособный водород.,При этом количество обменоспособного водорода должно быть много больше, чем количество обменоспособного водорода ДНК (первое условие); скорость его обмена с водородом окружающей воды должна быть соизмерима со скоростью обмена водорода между молекулами самого растворителя, не содержащего растворенных веществ (второе условие). В такой системе третий компонент выполняет функции опосредственного свидетеля состояния растворителя. Так, кинетика прямого включения меченого водорода из растворителя в обменоспособный водород органики будет складываться из двух процессов; НН"О, Н - ДНК (3) ННОГО Н - К...

Номер патента: 737819

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Булах, Миронов, Тонконогов

МПК: G01N 27/02

Метки: активации, дефектов, диэлектриков, колебаний, количества, кристаллической, полупроводников, реализации, решетки, типа, частоты, энергии

...и С - скорости нагревания,1Определив энергию активации дефекта, можно найти и частоту его релакса 35где а - постоянная решетки исследуемого вещества;Ч - скорость звука в нем;4 - собственная частота колебанийдеФекта,Способ осуществляется в устройстве, обеспечивающем автоматическое последовательное измерение тока ТСД иотличающемся от известного тем, что 45между измерителем температуры и нагревателем включены программное и регулирующее устройства, охваченныеобратной связью, а нагреватели," выполненные в виде нагревательных 50стержней, укреплены в цанговых зажимах.На фиг. 1 дана схема предлагаемого устройства; на Фиг. 2 - график,иллюстрирующий осуществление предлагаемого способа для кристалла ИаС 1 .Исследуемый образец 1...