Способ защиты молибдена иего сплавов о окисления
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 611464
Авторы: Бялобжеский, Воротникова, Цирлин
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Своз Советсник Соцыая исти чески к Респубпии(45) Дата опубликования описании 28.12,78(51) М. Нл. С 23 С 9/00 Государственный комнтетСовета Мнннстрав СССРпо делам изобретенийн открытнй(71) Заявитель Ордена Трудового Красного Знамени институт физической химии АН СССР(54) СПОСОБ ЗАЦИТЫ МОЛИБДЕНА И ЕГО СПЛАВОВ ОТ ОКИСЛЕНИЯ Изобретение относится к областимашиностроения, в частности к химикотермической обработке молибдена иего сплавов, и может использоватьсяв авиационной, ракетной и других об"ластях промышленности.Известен способ защиты молибдена,включающий борирование с последующимсилицированием в элементарном кремнии 11),10При такой обработке на поверхностимолибдена образуется двуслойное покрытие, состоящее из слоя борида молибдена (МоВ) с вышележащим слоемдисилицида молибдена (Мо 5 з). 1 оОднако детали, обработанные такимспособом, не обладают достаточнойжаростойкостью при температурахпревышающих 1500 оС.Цель изобретения - повышение жаростойкости путем создания барьерногослоя для кремния.Это достигается тем, что послеборирования проводят дополнительноевакуумное силицирование в .дисилицидемолибдена при 1400 -1600 С. При высокотемпературной обработке борированного молибдена в среде с пониженнойтермодинамической активностью кремния (в дисилициде молибдена) реалиэуется условие для образования барьерного слоя. Таким образом в результате 2-ой стадии обработки молибденана его поверхности образуется трехслойное покрытие молибдена - низшийборид (Мо 2 В) - силикоборид (Моф Ва)низший силицид (мов та ) . конечнаяоперация обработки (силицирование,всреде, содержащей элементарный кремний) преследует цель перевода частислоя низшего силицида молибдена ввысший силицид (Мое 2 )обладающий высокой жаростойкостью.Способ осуществляетая следующимобразом,П р и м е р. На образцы иэ молибдена диаметром 1,1 мм, высотой 60 мм,борированием в порошке карбида борас активатором ( К Р 3) наносят слойМоВ, Температура 1150 , время 2 ч,инертная атмосфера - аргон. Далееобразцы силицируют в вакууме 10 10торр в порошке дисилицида молибдена при 1500 оС, в течение 17 ч. Затем проводят силицирование в порошкекремния при 1300 С в течение 6 ч, ввакууме 10 4 и 10торр.Результаты испытания на жаростойкость и термостойкость представленыв таблице.611464 0 каналогично- приме 5 5 итс силицирование в среде, содержащейэлементарный кремний, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повыше- .ния жаростойкости путем создания барьерного слоя для кремния, после борирования проводят дополнительноевакуумное силицирование в дисилицидемолибдена при 1400-1600 С,ий,ки пообразС в Формула иэобретени защиты Молибдена и егоокисления, включающий бо и последующее вакуумное я на Спосоавововани Составитель Л, Буор Л, Письман Техред З.ФантаЕе ЕЕВ Е Шее нова Коррек Шек Тираж 113го комитета С изобретений Ж, Раушс аз 7321/49ЦНИИПИ Государственнпо делам113035, Иоскв ПодписноМинистров ССытийбев д. 4/5 свети откаяЕ ЕВ В ЕВ Е Е ее ее е ее еее еФилиал ППП Патентвв г. Ужгород, ул. Проектная Охлаждение обра от температуры исп течение 5 с каждыеПредлагаемый сп воляет повысить жа цов при температур 3"4 раза. ца пр тания 5 ч и соб о сотой х выш изво до 2 пыта рабо ость 150 восточны внимание п 1. Сбор металлах Киевв 1974
СмотретьЗаявка
2343527, 29.03.1976
ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ ФИЗИЧЕСКОЙ ХИМИИ АН СССР
ЦИРЛИН М. С, ВОРОТНИКОВА М. К, БЯЛОБЖЕСКИЙ А. В
МПК / Метки
МПК: C23C 9/00
Метки: защиты, иего, молибдена, окисления, сплавов
Опубликовано: 25.12.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-611464-sposob-zashhity-molibdena-iego-splavov-o-okisleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ защиты молибдена иего сплавов о окисления</a>
Способ получения эпитаксиальных слоев кремния
Номер патента: 427557
Опубликовано: 30.11.1983
Авторы: Вагин, Лапидус, Николаева, Скворцов
МПК: C30B 25/02
Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных
...не наблюдается ухудшения структуры нарастающего слоя при концентрациях водяных паров вплоть до2110 мол.%. Наоборот, значительноуменьшается количество дефектовупаковки. Во избежание заметноговлияния на скорость роста гидролиза 60паров четыреххлористого кремния во-дяные пары следует вводить непосредственно в реакционную камеру, Поскольку при температурах 1160, СоводянывпаРы при точке росы выше 65-50 о С окисляют кремний, необходимопосле процесса роста производитьотжиг при 1250 ф С для удаления остатков влаги из газовой фазы. Продолжительность отжига определяетсягеометрией реактора, расходом водорода и не превышает 1-5 мин, т.е.времени, принятого по суцествующейтехнологии.П р и м е р 1. Эпитаксиальныеслои кремния акцепторного типа...
Способ получения эпитаксиальных слоев кремния
Номер патента: 612610
Опубликовано: 25.06.1978
МПК: B01J 17/32
Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных
...на полом основанииб, внутрь которого при помощи впускного 7и выпускного 8 каналов может подаваться вола.Внутри камеры 1 установлена подставка 9,вращающаяся на вертикальной оси 10 и изготовляемая, например, из углерода. Подставка имеет форму шестигранной усеченной призмы, у которой каждая из шести наклонныхповерхностей 11 снабжена буртом 12 для установки на нем обрабатываемой полупроволниковой подложки 13.Ось 10 установлена на вертикальном валу 14, помещенном внутри муфты 15 и снабженном подшипником 16. Нижний конец вала 14 снабжен шкивом 7, который приводится в движение через ременную передачу 1825 от двигателя 19 с регулируемой скоростью.При работе реактора подставка 9 медленновращается в циркулирующих через камеру 1газа х.Смесь...
Способ обработки эпитаксиальных слоев кремния
Номер патента: 736219
Опубликовано: 25.05.1980
Авторы: Курицын, Мокрицкий, Шаховцов
МПК: H01L 21/263
Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных
...точечных. дефектов. При энергии электронов менее 4 МэВколичество и стабильность названных дефектовнедостаточны для образования явно выраженногоградиента концентрации носителей заряда, Кро.ме того, при таком значении энергии частиц,набор необходимой дозы облучения происхо 119 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 диз гд время 1 е.41 нпее пр к 1 ичееки 1 еие.1 е сообрд 1 ным ие 1 дх 11 кндние дко 1 н способа. Принергил чдси 11 бо 11 ее 5 МВ количество дефек 1 ов и их евойс 1 вд дков 11, 1 го обрд 1 уюзся необратимы и 1 менения с 1 рук 1 урпых свойств исходно 1 о м;периен 1 д, ухудшающие основные пдрдме 1 ры приборов, создаваемых на его основе, В связи с эим оптимальным следует считать диапазон значений быстрых электронов от 3 до 5 МэВ.П р и м е...
Способ окрашивания изделий из меди для ее сплавов
Номер патента: 36124
Опубликовано: 30.04.1934
Автор: Эйдлин
МПК: C23C 22/84
Метки: меди, окрашивания, сплавов
...воздействий быстро повреждаются, причем металл, вследствие разрушения защитного слоя, легко подвергается окислению.Окрашивание металла (патинирование) посредством химического воздействия не дает желательного эффекта, вследствие чего патинирование производится путем комбинированных различных приемов, например, оксидирования и механического подкрашивания, для получения тона, соответствующего естественной окраске патины,Явтором настоящего изобретения установлено, что химическое окрашивалоту,П р и м е р 1. В автоклав (емкостью в три литра) загружают 25 г (М Н 4)2 СОа и 100 сл воды, после чего металл или металлические изделия из латуни, меди и бронзы, предварительно подготовленные обычным образом (очищенные от грязи, обезжиренные и т. д,),...
Способ получения автоэпитаксиального слоя кремния
Номер патента: 451147
Опубликовано: 25.11.1974
Авторы: Гулидов, Котюков, Пекарев, Чистяков
МПК: H01L 7/36
Метки: автоэпитаксиального, кремния, слоя
...операция диффузии мышьяка на глубину 0,9 мкм при 1200 С включена в первую технологическую схему перед термическим окислением, а во вторую - непосредственно перед эпитаксией, По прежней схеме плотность дефектов упаковки составляет 10 з - 104 см -с преимущественным расположением их вне окон, При введении дополнительной операции в обоих случаях плотность дефектов упаковки составляет 10 - 10 см в , причем дефекты упаковки располагаются преимущественно по рискам, оставшимся после полировки подложки.Учитывая, что в процессе окисления и высокотемпературного газового травления перед эпитаксией происходит удаление поверхностного слоя кремния, следует выбирать глубину диффузии так, чтобы к операции эпитаксии сохранился тонкий приповерхностный слой...
Предыдущий патент: Способ получения этилена и ацетилена
Следующий патент: Способ регенерации обработанного сульфатного щелока
Случайный патент: 155051