Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 515152
Авторы: Бушин, Литвишко, Остапенко, Сарапулова
Текст
М его ОП ИИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик) 2004205/24 2Кл Ь 11 С 5/ осударстаенный комнт Совета Мнннстроа ССС оо делам нзобретеннй н открытнй(5 76 Бюллетень1 описания 02, 09.7 81.327.6 (088,8) 2) Авторы изобретения Ю. В. Остапенко, В, В. Бушин, 3 итвишко и Т, К. Сарапуло Ордена Ленина институт кибернетики АН Украинской СС 1) Заявитель(54 ПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ ДЛЗАПОМИНА Ю ЩЕГО УСТРОЙСТВА но окиолимеИзобретение относится к вычислительной технике, а именно, к технологии изготовления интегральных магнитопленочных матриц запоминающих устройств.Известен способ изготовления матрицы 5 запоминающего устройства, заключающийся в нанесении адресных и разрядных шин на металлизированный диэлектрик методом фот литографии, оплавлении диэлектрика, расположенного между шинами, потоком горячего 10 газа, металлизации изолированных адресных и разрядных шин и покрытия их магнитным материалом.Однако применяемый при изготовлении матрицы электрофоретический способ изоля ции шин не дает возможности получить изоляционный слой многослойным или достаточ большой толщины.Цель изобретения - повышение надежности матрицы запоминающего устройства. 20Достигается это тем, что перед металлизацией адресных и разрядных шин на открытые участки этих шин наносят диэлектрик методом окунания матрицы в спиртоюй раствор отвердителя, затем высушивают раство- И ритель и наносят на слой отвердителя смесьиз высокодисперсных порошков связующегои неплавкого изоляционного наполнителя,атем оплавляют при температуре выше плавения связующего и полимеризуют полученныйлой изоляции при оптимальной температу П р и м е р, На металлизированном с двух сторон лажане методом фотолитографи изготавливают с одной стороны адресные ш ны, а с другой - разрядные, Лавсановую основу, расположенную между шинами, оплавляют в потоке нагретого газа с температурой 300-350 С, в результате чего об зуются отверстия между шинами, Открытые участки шин покрывают слоем диэлектрика путем обработки в спиртовом растворе (1-3%) отвердителя, например полиэтиленп лиамина, затем высушивают спирт, наносят на слой отвердителя смеси вьсокодисперсных порошков связующего, например эпоксидной смолы 3-41, и неплавкого изоляционного нап олнителя, например си магния, Затем оплавляют при температуре выше плавчения связующего и п515152 Составитель я яа ар Техред Н, Ханеева корректор И. Позняковская Реда кто р Е.Гончар Заказ б 191 Изд. И ЯЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытийМосква, 113035, Раушская наб., 4 Тираж 723 Подписное Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 ризуют полученный слой изоляции при оптимальной температуре, например 150-170 оС.Все операции производят многократно для достижения требуемой толщины изоляции (40-50 мкм). 5 Формула изобретения Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства, заключающийся в 10 нанесении адресных и разрядных шин на металлизированный диэлектрик методом фотолитографии, оплавлении диэлектрика, расположенного между шинами, потоком горячего газа, металлизации изолированных 15 адресных и разрядных шин и покрытия ихмагнитным материалом, о т л и ч а юш и й с я тем, что, с целью повышениянадежности матрицы, перед металлизациейадресных и разрядных шин на открытыеучастки этих шин наносят диэлектрик методом окунания матрицы в спиртовой растворотвердителя, затем высушивают растворитель и наносят на слой отвердителя смесьиз высокодисперсных порошков связующегои неплавкого изоляционного наполнителя,затем оплавляют при температуре вышеплавления связующего и полимеризуют пслученный слой изоляции при оптимальнойтемпературе.
СмотретьЗаявка
2004205, 07.03.1974
ОРДЕНА ЛЕНИНА ИНСТИТУТ КИБЕРНЕТИКИ АН УКР. ССР
ОСТАПЕНКО ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, БУШИН ВИТОР ВАСИЛЬЕВИЧ, ЛИТВИШКО ЗОЯ ВИКТОРОВНА, САРАПУЛОВА ТАМАРА КОНДРАТЬЕВНА
МПК / Метки
МПК: G11C 5/12
Метки: запоминающего, матрицы, устройства
Опубликовано: 25.05.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-515152-sposob-izgotovleniya-matricy-dlya-zapominayushhego-ustrojjstva.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства</a>
Предыдущий патент: Запоминающее устройство
Следующий патент: Устройство для управления адресным блоком памяти
Случайный патент: Устройство для разделения элементов конструкций