Способ получения жидкокристаллических оснований шиффа

Номер патента: 508180

Авторы: Артур, Ханспетер

ZIP архив

Текст

808180 ления в нематическую фазу; Т - темперапптура перехода нематической фазы в иэотропную жидкость/. велены температуры переходов нематических веществ согласно изобретению в изотропную жидкость /Т - температура плав- пл оТ, пр.у С Т, плС 63.0-89.7 Этил 76,2 77.0 64.8-,68. 8 38.1-38.7 4 Г.6-46.4 32.2-33 0 37.7-38.8 32,7 ФЗЗ,О 77 6 н-Пропилн-Бутилн-Пентилн-Гексил 62.6 78,0 64.8 45,3 иэо-Гексил 7 2.3 н-Гептил 68,8 32.8 32,8 ум)омектнческ, до 84.4 С м оно тропн." 1Соединение формулы (1) могут быт иэотропную жидкость которая при охлаждв-оиспользованы в виде смесей друг с другом, нии до 63-89,7 переходит в жидкокристалпричем, предпочтительными являются смеси,лическую нематическую фазу.соответствукииие эвтектике, а также в вине смесей с другнми известными нематн- ф ормула изобретениячеиими или ненематическими веществами.П р и м е р 1. 34,7 г двуокиси марСпособ получения жидкокристаллическихганна (0,40 моль) в потоке азота вместе д осноаанцй Якфа общей формулыс 300 мю бензола нагревают с обратным о;Вощииьником в течение 8 час. Образуощяо тводу удаляют с помощью водоотделители р щ. 08затем добавляют 11,80 г (0,05 моль) и(а- этиибензил) амиио/бензонитрила, (полу - 4 цченного например реакпией взаимодействия+4 торбензонитрила с п-этнлбенэиламином), 1"де Р. этнлн-пропил, н-бутил, н пентил,еще 10 час кипятят с обратным холодиль - и-гесил изогексил н-Гептил н-октил.инком и удаляют воду выиеописаиным спо-. о т л и ч а ю щ и й с я тем, что соецисобом. После охлаждения фильтруют черезнение общвД формуЛы1 цеолит, промывают бензолом И в вакуумеудаляют .растворитель (температура ванныооО С 1. Обраауатол 10,5 г жалтого масла ц /Сн - ХКкристаллизующегося при охлаждении,Йля получения чистого продукта еГо перекристаллиэовывают несколько раз из изогде Р имеет вьщеуказанные значения, пгпропанола. Чистый и-пэтилбензилиден-ами- вергают дегидрированию с последующимонобенэонитрил плавится при 76,2-77 С в делением целевого. продукта,Составитель И. ГоринаРедакто В, Дибобес Те ед М Левипкаи Ко екто Н. КовалеваЗаказ 39Тираж б"76 ПодписноеБНИЙПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытийМосква, Ж, Раушская наб д. 4/5филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная, 4 ЭЯвы 113035,

Смотреть

Заявка

1984207, 09.01.1974

АРТУР БОЛЛЕР, ХАНСПЕТЕР ШЕРРЕР

МПК / Метки

МПК: C07C 119/06

Метки: жидкокристаллических, оснований, шиффа

Опубликовано: 25.03.1976

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-508180-sposob-polucheniya-zhidkokristallicheskikh-osnovanijj-shiffa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения жидкокристаллических оснований шиффа</a>

Похожие патенты