Термостатирующее устройство

Номер патента: 656213

Опубликовано: 05.04.1979

Автор: Кармазинский

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, логический, элемент

...дополняющего П-канального транзистора 22 третьей пары, сток которого подключен к стокам транзисторов 11, 14, 15, к выходу 7 и к истоку дополняющего П-канального транзистора последующей пары (при щ 4 к истоку транзистЬра 23 щ -ой пары).Сток дополняющего П -канального транзистора 23 Ф-ой пары подключен к выходу 8 и к стокам транзисторов 12, 16-18, Исток и подложка транзистора 20 первой пары и подложки транзисторов 21-23 остальных пар подключены к общей шине 24. В каждой, паре затворы дополняющихи р -канальных транзисторов (20 и 9, 21 и 10, 22 и 11, 23 и 12) подключены, соответственно, к логическим входам 1-4. Затворы дополнительных транзисторов 13, 14, 16 подключены к логическому входу 1, затворы транзисторов 15, 17 - к логическому...

Номер патента: 656214

Опубликовано: 05.04.1979

Автор: Кармазинский

МПК: H03K 19/08

Метки: или-не, логический, элемент

...пары, сток транзистора 10 подключен к стокам транзисторов 13 и 21, к выходу 6 и к истоку дополняющего р -канального транзистора 22 ретьей пары, сток которого подключен к стокам транзисторов 11, 14, 15, к выходу 7 и к истоку дополняющего р -канального транзистора последующей пары (при е - -4 к истоку транзистора 23 е -ой пары).Сток дополняктщего р -канального транзистора 23 п -ой пары подключен к выходу 8 и к стокам транзисторов 12, 16-18. Исток и подложка транзистора 20 первой пары и подложки транзисторов 21- 23 остальных пар подкл 1 очены к шине 24 питания. В каждой паре затворы дополняющих й:и р -канальных транзисторов (9 и 20, 10 и 21, 11 и 22, 12 и 23) подключены, соответственно, к логическим входам 1-4, Затворы дополнительных...

Номер патента: 503307

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Асатурян, Герасимов, Каинов, Мелихов, Родин

МПК: H01H 37/12

Метки: термореле

...устройства, повышение точности и надежности его работы. В описываемом термореле это достигается тем, что переменные резисторы и диод соединены последовательно и подключены параллельно контакту термочувствительного элемента, включенному между первыми входной и выходной клеммами термореле, а к точке соединения переменных резисторов подключен один конец обмотки подогрева термочувствительпого элемента, другой конец которой соединен со вторыми входной и выходной клеммами термореле.На чертеже показана схема описываемого термореле,Оно содержит термочувствительный элемент 1 с обмоткой подогрева 2 и размыкающим контактом 3, помещенный в герметичный сть, выделяо добиться го элеменер а тур ы окя измененизистора 6. ствительногоется,...

Номер патента: 1083169

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Ишханов, Троян

МПК: G05F 1/56

Метки: постоянного, стабилизатор

...точки этой цепи подключены к управлйяцим входам соответ ствующих дополнительных;регуляторов, причем управляющий вход каждого днзисторного регулятора подключен ксвоему источнику стабильного тока 31 .Недостатком известного устройстваявляется сложность схемы управления и,следовательно, снижение надежностиработы,Цель изобретения - упрощение схемыи повышение надежности работы стабилизатора.Поставленная цель достигается тем,что в стабилизаторе напряжения, содержащем основнойи Н вспомогательныхсоставных транзисторных регуляторов,каждый из которых состоит из входногои регулирующего транзисторов, причемэмиттеры регулирующих транзисторовподключены к выходной клемме, а коллекторы - к соответствующим входнымклеммам, компаратор, выход...

Номер патента: 1787295

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Дереченик, Кононов, Олтушец, Пеньков, Полонин, Яцук

МПК: H01L 21/304

Метки: интегральных, кристаллами, пластин, полупроводниковых, приборов, схем, утонения

...стороны пластины с плоскостью держателя, Кроме того, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины не улучшает ее геометрию в части прогиба и клина по отношению к держателю, на котором пластина крепится для проведения механического утонения. Поэтому в процессе закрепления ее на держателе происходит механическая деформация пластины с изме-. нением исходных геометрических параметров, это приводит к нарушению металлизации и соответственно к снижению выхода годных на операции "функ 1 ионирование".Целью изобретения является повышение выхода годных за счет исключения разрушения пластины и кристаллов.Цель достигается тем, что по способу водниковых приборов и интегральных схем, включающему нанесение высокомолекулярного соединения...