Позитивный фоторезист

О П И С А Н И Е (и) а 19 лизоваетииия Союз Советских Социалистицесних Республинем заявки Ж рисоеди Государстееннын коматет Соаата Мнннстроа СССР ао делам нзобретеннй н отнрытнй(71) Заявител 54) ПОЗИТИВНЫЙ фОТОРЕЗИСТ пением этом образом. й фоторефф Изобретение касается позитивного фотореэиста, используемого в полиграфической и радиоэлектронной промышленности.Известны позитивные фоторезисты на основе эфиров ортонафтохинондиазидов (све 5 точувствительный продукт) в сочетании со щелочерастворимыми фенолформальдегидными смолами (пленкообразую 1 ций компонент)Недостатком известных позитивных фоторезистов является дефектность за :. О щитного рельефа и недостаточная стойкость их пленок в щелочах.В предлагаемом фоторезисте светочувсть вительный компонент-нафтохинондиазидвзят в количестве 5-40% от веса пленко образующего компонента, составленного из фенолформальдегидной и эпоксидной смол в весовом соотношении 2:1.Проявление органическим растворителем экспонированного актиничным излучением рельефа осуществляют после задубливания экспонированной пленки.Позитивное изображение с приме .: го фотореэиста получают следующиПодложка с нанесенной пленко,зиста экспонируется актнничным светом через фотомаску, а затем подвергается :термообработке (задубливанию), в процессе которой происходит сшивка незасвеченных1 участков пленки, которая теряет способность раствориться в органических растворителях. Засвеченные участки пленки остаются практически несшитыми и легко удаляются органическими растворителями, что позволяет получить позитивное изображение,Позитивные фоторезисты данного состава характеризуются низким содержанием свето чувствительного продукта, благодаря чему в растворителях типа циклогексанона и этилцеллозольва получают высоковяэкую композицию. Для известных фотореэистов это неосуществимо, так как нельзя перевести в раствор большое количество (60% от веса пленкообразуюшего компонента) светочувствительного продукта, обладающего относительно невысокой растворимостью. Предлагаемый фоторезист характеризуется ". повышенной по сравнению с фотореэистами на основе фенолформальдегидных смол адгезией к стеклу. Разрецпающая способность451978 Составитель Л.МаРтыненко Редактор К.ВетбейнТехред Г,Дворина КорректорЛ.Котова Заказ Тираж 506 Подписное Ц 1 ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская иаб 4 Пртдприятие Патент, Москва, Г.59, Бережковская наб., 24 предлагаемого фоторезиста составляет не менее 200 линий/мм,П р и м е р 1. 140 мг эфира 1,21-нафтохинондиазид-(2 )-5-сульфокислоты и фенолформальдегидной смолы и 1,4 г смолы Э"С" типа ."Фенокси" растворяют в 14 мл циклогексанона. Раствор фильтруют и наносят методом центрифугирования на алюминиевую пластинку. Пленку фоторезиста сушат при 90 С в течениетО 15 мин, и экспонируют через фотомаску(штриховая мирра). Затем проводят термообработку плейки при 140 С в течение20 мин, проявляют рельеф в циклогексаноне в течение 40 сек и травят в 5%-ном 15водном растворе КОН в течение 10 мин.Получают изображение на алюминиевойпластине с минимальной шириной штриха20 мкм,оП р и м е р 2, 140 мг эфира 1,2- Ю"фенокси" растворяют в 14 мл циклогексанона. Нанесение, обработку фоторезистаи травление подложки проводят, как в при-, 25.мере 1,.Получают элемент изображения сшириной штриха 20 мкм.П р и м е р 3. Операции выполняютв последовательности, указанной в примере1, но с использованием в качестве светочувствительного продукта эфира 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфокислоты и продукта конденсации бисфенола с формальдьгидом (молярное отношение 2:2). Получают элемент изображения с шириной штриха М20 мкм,П р и м е р 4, Операции выиттп;чивт в последовательности, указанной в пример.1, но с использованием в качеств т 1 одложки обычного стекла. После травления на подложке получают минимальный элемент с шириной штриха в 2;5 мкм,П р и м е р 5. 7 5 г эфира 1 2-нафтохинондиазид-(2" )-5-сульфокислоты и фенолформальдегидной смолы, 12,5 г фенолформальдегидной смолы и 6,25 г эпок- сидной смолы Эрастворяют в 130 мл диоксана. Раствор фильтруют и наносят на стеклянную пластинку. Пленку фоторезиста сушат при 90 С в течение 15 мин. и экспонируют через фотомаску (штриховая мирра). Затем проводят термообработку при 140 С в течение 20 мин, проявляют рельеф в ацетоне в течение 30 сек. После травления на подложке получаютминимальный элемент с шириной штриха в 4,5 мк. Предмет изобретения Позитивный фоторезист, состоящий из пленкообразующего компонента - смеси эпоксидной и фенолформальдегидной смол, светочувствительного компонента - производного нафтохинондиазида и растворителя, отличающийся тем, чтос целью увеличения щелочестойкости и уменьшения дефектности защитного рельефа, в его составе светочувствительный компонент взят в количестве 5-40% от веса пленкообразующего, составленного из фенолформальдегидной и эпоксидной смол в весовом соотношении 2:1.