Способ получения р-п=перехода в германии р=типа
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 447969
Авторы: Акимченко, Вавилов, Галкин, Краснопевцев
Текст
11 447969 Йвюа Советских Социапистическик Республик) М. Кл, Н 011 7/54 Государственнын комите Совета Министров СССР Опубликовано 15.04.75, БюллетеньДата опубликования описания 18.07,7 УДК 621,382.00(088,8) по делам изобретений и открытий2) Авторы изобретен И. П, Акимченко, В. С. Вавилов, В, В. Галкин и В, В. Краснопе Ордена Ленина физический институт им, П, Н. Лебедева 1) Заявител(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ Р-П-ПЕРЕХР-ТИПА В ГЕРМАНИ емени редм изобрете Способр-типа с водников месей, н О 100 кэв,получения помощью ой подложк апример ф отличаюр-и-переход бомбардиро и ионами д осфора, с э щийся тем,в германии ки полупронорных приергией 20 - что, с целью Изобретение относится к ионно-лучевой технологии получения полупроводниковых приборов на основе германия р-типа.Известно, что проявление химической природы донорной примеси, введенной в германий р-типа методом ионного внедрения, происходит после отжига при 400 - 600 С. Это объясняется тем, что ионное внедрение сопровождается образованием радиационных нарушений акцепторной природы при концентрациях, существенно превышающих концентрацию легирующей примеси. Для технологических целей высокотемпературная термообработка легированных образцов является нежелательной.Известный способ получения р-и-перехода в германии и- и р-типов методом ионно-лучевой технологии состоит в ионном внедрении донорной (акцепторной) примеси с последующей термообработкой при 400 - 600 С или в ионном внедрении донорной (акцепторной) примеси при повышенной температуре 400 - 500 С.Цель изобретения - увеличение вр жизни неосновных носителей заряда.Цель достигается путем бомбардировки германия р-типа ускоренными ионами донорной примеси при определенных плотностях тока ионного пучка, Слои с проводимостью и-типа получаются при внедрении ионов фосфора и лития с энергией 40 кэв при .плотности тока 4 мка/см - е и выше и дозах облучения 5 10" см -и выше.Кристалл германия, легированный галлием (удельное сопротивление 0,3 - 0,5 ом см), с химически полированной и очищенной поверхностью подвергался бомбардировке ионами донорных примесей, например, ионами фосфора с энергией 40 кэв, при комнатной температуре при дозах 5 10" см - 2 и выше, в вакууме не ниже 10 - с мм рт. ст, В результате бомбардировки в указанных условиях в тонком приповерхностном слое германия происходит инверсия проводимости, что приводит к образованию р-и-перехода,Изобретение может быть использовано для получения р-и-переходов в германии р-типа без термообработки, которая во многих случаях оказывается нежелательной, поскольку она приводит как правило к ухудшению параметров полупроводниковой основы (например, при производстве детекторов - у излучения из чистого германия).Заказ 1714/2 Изд.1390 Тираж 833 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 увеличения времени жизни неосновных носителей заряда, бомбардировку примеси осуществляют при комнатной температуре пучком ионов, плотность тока которого не ниже 4 мка/см -при дозе облучения 5 10" - 10" см - 2
СмотретьЗаявка
1875589, 25.01.1973
ОРДЕНА ЛЕНИНА ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. П. Н. ЛЕБЕДЕВА
АКИМЧЕНКО И. П, ВАВИЛОВ В. С, ГАЛКИН В. В, КРАСНОПЕВЦЕВ В. В
МПК / Метки
МПК: H01L 7/54
Метки: германии, р-п=перехода, р=типа
Опубликовано: 15.04.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-447969-sposob-polucheniya-r-pperekhoda-v-germanii-rtipa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения р-п=перехода в германии р=типа</a>
Способ определения концентрации примеси и глубины залегания р-п-перехода встроенного канала мдп-транзисторов
Номер патента: 1283874
Опубликовано: 15.01.1987
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: встроенного, глубины, залегания, канала, концентрации, мдп-транзисторов, примеси, р-п-перехода
...потенциалов между встроеннымканалом и подложкой;Е- концентрация примеси вподложке.Начальное значение р быпо выбрано равным 900 см /В с.Значение констант в формупах (1)и (2) таковы:- 1 610 Кл= 12 о8 85 10 Ф/см, Ц = 0 7 В.Расчет привел к значениям К6 -Эс2,45 10 см, Х = 0,43 мкм.По графику эавнсймости(И,)для кремния находят значение шсоответствующее полученному значению И, : р = 1140 см /В с,Подставляют это число в формулы(1) и (2), проводят расчет вновь иполучают М = 1,710 см , Х0,45 мкм.Дальнейшие итерации не проводятк. заметному изменению результатов.При этом измерения по способу-прототипу заняло около трех часов, тогда как измерения предлагаемым способом были выполнены в течение10 мин,Формула изобретения Способ определения...
Способ определения электрически активных примесей в полупроводниковых структурах с р п-переходом
Номер патента: 1669407
Опубликовано: 07.08.1991
МПК: G01N 22/00
Метки: активных, п-переходом, полупроводниковых, примесей, структурах, электрически
...детектор 20, первый усилитель 55 21, блок 22 автоматической настройки частоты, второй усилитель 23, линию передачи 24, первый генератор 25 импульсов, второй генератор 26 импульсов, блок 27 обработки сигнала, ЭВИ28 и образец 29.Устройство (фнг. 3) содержит генератор 30, резонатор 31, СВЧ-детектор 32, генератор 33 импульсов, предусилитель 34, контур 35 удерживания,синхронный детектор 36, ЭВМ 37, блок38 регулирования температуры. Вместорезонатора можно использовать СВЧ-рефлектометр. В этом случае образец устанавливается в торцовой части волновода, а позади образца на регулируемом интервале располагается отражательсоответствующего размера,Устройство (фиг. 1) работает следующим образом.Излучение носителей из глубокихуровней, которые и...
Паста типа вазелина для защиты поверхности р-п переходов
Номер патента: 150941
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Антонов, Борисов, Дохман, Иоселевич, Уклонский, Чичерова
МПК: H01B 3/46, H01L 23/18
Метки: вазелина, защиты, паста, переходов, поверхности, р-п, типа
...жидкости с вязкостью от 300 до б 00 сст. В качестве наполнителя используются мелкодисперсные порошки окисей титана, к емнияи алюминия, которые вводятся в зависимости от требуемой консистенции в количествах от 5 до 100% к весу жидкости, Смесь тщательно пе Ъ 150941ретирается и подвергается прогреву в вакууме для удаления летучих составляющих. Полученная высоковязкая вазелиноподобная паста нассится непосредственно на р - и переход, пастой можно также заполять корпус прибора.Предлагаемые пасты могут применяться для защиты переходов как ерманиевых, так и кремниевых полупроводниковых приборов.В качестве исходных компонентов для изготовления пасты КВприменяются: полиметилсилоксановая жидкость ПМСс вязкостью 432 сст (20), белая сажа У-ЗЗЗ,...
Способ получения осесимметричных оболочек двойной кривизны
Номер патента: 579073
Опубликовано: 05.11.1977
Авторы: Новобратский, Перпер, Потапов
МПК: B21D 22/02
Метки: двойной, кривизны, оболочек, осесимметричных
...переходе на матрицу 1 вмес.то неретяжного кольца 2 устанавливаюткольцо 4, диаметр отверстия которого равен большему диаметру конической поверхности матрицы 1. В матрицу устанавливаютполуфабрикат, полученный на нервом переходе и прижимают его кольцом 3.Снова воздействуют ьа полуфабрикатвзрывом заряда ВВ в воде, обеспечивая м ораздачу в зоне, примыкающей к фл щу579073 Риг. г Фиг. Составитель О. МатвееваРедактор С. Головенко Техред М. 1 упе Корректо ярас з 4297/15БНИИ 11 И Госу Тираж 1ственного ком 80 Подписноеитета Совета Министров СССРений и открытий,3 ГРуикя бя. к/б елям изобре Москва, Ж 11303 лиял ППП 11 атент", г. Ужг д, ул, 11 роектнвя,одновременным обжимом средней части ио коничес" ой поверхности матрицы и вытяжкой его в осевом...
Способ получения легированных монокристаллов германия п типа
Номер патента: 623294
Опубликовано: 23.05.1982
Авторы: Дудник, Левинзон, Логинова, Нижегородов, Соколов, Шаповалов, Шершель
МПК: C30B 15/04
Метки: германия, легированных, монокристаллов, типа
...вытягивания монокристаллов, расплавляют шихту, выдерживают расплав 5 - 10 мин, и вытягивают монокристалл из расплава по Чохрольскому на затравку, ориентированную в направлении 31, со скоростью 2 мм/мин при скорости вращения затравки и тигля, соответственно, 30 и 5 обор,/мин.Получают монокристалл германия и-типа проводимости с концентрацией оптически активного атомарного кислорода 6,0 10 в ат, см - з. Однородность распределения оптически активного атомарного кислорода по объему монокристалла составляет (6 0,5) 10" ат, см -623294 Зависимость концентрации оптически активного атомарного кислорода от содержания двуокиси германия в борном ангидриде и соотношения борного ангидрида и двуокиси германия к расплаву германия показана в таблице....
Предыдущий патент: Электрохимический способ получения пербората натрия
Следующий патент: Способ получения окисных пленок
Случайный патент: Глушитель шума выхлопа