Способ определения параметра анизотропии в полупроводниках

ВСЕС д ЧфЗАТЕЕТг О П И С-А ЙИф ИЗОБРЕТЕНИЯ пц 442441 Союз Советских СоциалистическихРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ф Я огчте "ф ,",сЬкк ккь 1) Зависимое от авт. свидетельства2) Заявлено 21.02.72 (21) 1748165/26-25 б 01 г 31/О вкиисоединением з Гасударственный комитет Совета Министров СССР до делаМ изобретений(32) Приорите 53) УДК 621,382(088.8) публиковано 05.09.74,летеньи открытии ата опубликования описания 13.08.7 2) Авторы изобретени К. Пожела и Р, Б. Толут 71) Заявител на Трудового Красного Знамени институт физики полупрАН Литовской ССР ико СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРА АНИЗОТРОПИИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ м измереи полуме( мнн,кс)1кс)я ее зависимостного магнитног(фмнн, фм полученному путем измерени от напряженности постоя нполя.Сущность изобретения по жом, на котором схематично тация магнитных полей, к ских направлений и измеряе нитной индукции относительнисследуемый образец; черте- орпен- афичеа маг- Здесь ясняется показана исталлогр ого поток о образца В - внешн О 1 -е п Изобретение относится к способаний параметров полупроводниковталлов.Понятие параметр анизотропии й обычно характеризует кинетические свойства носителей в полупроводниках и полуметаллах.Согласно известному способу, определение параметра анизотропии Й в полупроводниках, например, типа и= бе и и=5 сводится к измерению продольного и поперечного магнитосопротивления на плоскопараллельных образцах прямоугольной формы. Такой образец должен иметь две пары плоскостей, параллельных двум кристаллографическим плоскостям, например, для и - бе это плоскости (100) и (110). В случае и - бе постоянный электрический ток пропускают в направлении (100), а постоянное магнитное поле ориентируют вдоль направления ( 100) для измерения продольного магнитосопротивления и вдоль направления ( 110) для измерения поперечного магнитосопротивления. Параметр анизотропии определяется по кинематическим коэффициентам, полученным путем экспериментальных измерений продольного и поперечного магнитосопротивления.Известный способ трудоемкий и длительный, причем результаты измерений содержат значительные погрешности,Предложенный способ позволяет значительно упростить процесс измерения и повысить точность измерений экспериментальных величин, по которым определяется параметр анизотроппп Й.Согласно предложенному способу, в плоскости образца возбуждают высокочастотное электромагнитное поле, пндуцируют возникающий в той же плоскости поток высокочастотной магнитной индукции в направлении, перпендикулярном возбуждаемому магнитному полю, по зависимости которого от угла между направлением индикации и кристаллографическим направлением в плоскости образца устанавливают соотношение минимального г 1)мнн и максимального Фмлнс потоков. Параметр анизотропии определяют по максимальному значению величины442441 Составитель Ю, Николаев Техред В. Рыбакова Корректор Н. Лебедева Редактор Т. Орловская Заказ 1963/5 Изд. Мо 462 Тираж 679 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, )К, Раушская наб., д. 45Типография, пр. Сапунова, 2 стоянное магнитное поле; Ь - возбуждаемое высокочастотное магнитное поле; Ф - измеряемый поток магнитной индукции; 00 - кристаллографическое направление в плоскости образца; а - угол между направлением индукции Ь и направлением 00, 2 - индикатор потока Ф, например катушка индуктивности. При определении параметра анизотропни в полупроводниках и полуметаллах предложенным способом плоскопараллельный исследуемый образец, имеющий форму круглой пластинки 1 с плоскостями, перпендикулярными одному из основных кристаллографических направлений, ориентируют плоскостями перпендикулярно внешнему постоянному магнитному полю В,В плоскости образца создают высокочастотное магнитное поле Ь, При этом в образце возбуждаются поперечные, в общем случае, эллиптически поляризованные магнитоплазменные волны, распространяющиеся вдоль пав 3.правления В (геликонная и обыкновенная волны), которые могут распространяться в замагниченной плазме полупроводника или полуметалла с одним типом подвижных носителей.Индуцируют возникающий в плоскости образца в направлении, перпендикулярном Ь поток высокочастотной магнитной индукции Ф, например, при помощи катушки индуктивности,При угле а=45 получают максимальноезначение Ф, а при сс= 135 - минимальное.5 Для определения параметра анизотропии Йустанавливают по экспериментально измеренной зависимости от а соотношение минимального Фпгн и максимального Фак, потоков. Параметр анизотропии Й определяют по макси 10 мальному значению величины(фмнн/фмакс)а=31 + (фмнн/фмакс)при измерении ее зависимости от напряженности постоянного магнитного поля.Предмет изобретенияСпособ определения параметра анизотропиив полупроводниках и полуметаллах с исполь 20зованием гальваномагнитных измерений наплоскопараллельном образце, установленномперпендикулярно к постоянному магнитномуполю, отличающийся тем, что, с цельюповышения точности измерений и упрощенияпроцесса измерений, в плоскости образца возбуждают высокочастотное электромагнитноеполе, в этой же плоскости измеряют магнитную индукцию в направлении, перпендикулярном возбуждаемому магнитному полю, и параметр анизотропии определяют по максимальному значению величины+ (фмнн/фмакс)полученному при измерении ее зависимости от35 напряженности постоянного магнитного поля,