Способ изготовления магнитной пленки для термомагнитной записи

Номер патента: 1076940

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Горох, Солодков, Сурганов

МПК: G11B 5/858

Метки: магнитных, пленок

...ии,Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу получениямагнитных пленок путем электролитического осаждения на подложку пленки магнитного материала и термического отжига полученной пленки в магнитном поле, вектор напряженностикоторого параллелен плоскости подложки, в процессе термического отжигаподложку приводят в колебательноедвижение в направлении, параллельномвектору напряженности магнитного поля 40с амплитудой колебаний 0,4-1,0 мкми частотой колебаний 100-200 кГц,При введении ультразвуковых колебаний, направление которых совпадаетс направлением силовых линий магнитного поля, происходит более полнаяликвидация кристаллографических деффектов, Кроме того, происходит дополнительная механическая ориентация доменов и...

Номер патента: 1095234

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Афтеньев, Горшенин, Силантьев

МПК: G11C 11/14

Метки: исследования, источник, магнитных, магнитоодноосных, магнитооптического, пленок, полей, управляющих, устройства

...полей для исследования магнитоодноосных пленок, содержащий источник постоянного магнитного поля, выполненный в виде двух постоянных магнитов, и источник ортогональных магнитных полей, направленных 10 параллельно плоскости пленки, выполненный в виде двух катушек индуктивности 1.Недостатком этого источника управляющих магнитных полей является трудность магнитооптического исследования пленок,Наиболее близким техническим решением к изобретению является источник управляющих магнитных полей для устройства магнитооптического исследования магнитоодноосных пленок, содержащий две двухконтурные катушки для создания ортогональных 20 магнитных полей в плоскости пленки и двух- контурную катушку для создания магнитного поля, нормального к плоскости...

Номер патента: 1836487

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Витторио, Джанфранко, Джованни

МПК: C23C 14/00

Метки: вакууме, гидрида, металла, металла,полученной, нанесения, пленки, пленкой, пленок, полученной, применение, способом, субстрата

...образец4 +с энергией 2,2 МеЧ и под углом 750. Как известно, эти два метода позволяют 50 определить концентрацию атомов в см, в результате чего можно сразу подсчитать стехиометрию гидрида, В данном случае получили величину соотношения Н/Т в интервале от 1,7 до 2. 55Анализ пленки при помощи малоуглового рентгеновского излучения подтвердил присутствие одной фазы гидрида титана, тогда как негидрированный титан имеет гексагонал ьную кристаллическую решетку. Анализ с помощью Оже-спектроскопиипоказал, что кислород содержится только ввиде примеси с концентрацией менее 1 ф,П р и м е р 2. На субстрат, представляющий собой стеклянную пластину размерами 5 х 5 см, была осаждена пленка гидрида титана при помощи того же оборудования и тем же...

Номер патента: 180457

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Горбунова, Пннчук, Сныткин, Шпиньков

МПК: C23C 14/54

Метки: вакууме, испарении, напыления, пленок, скорости

...В, Сныткин и В, Д. ГорбуноваЗаявител ПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ СКОРОСТИ НАПЫЛЕНИЯ ПЛЕНОК ПРИ ИСПАРЕНИИ В ВАКУУМЕмеряемый микроампер мет леп скорости напыления. пропорциона луч аемы. т скоро ристалли гим, на псп. ескую е магтзобретени 5 гп пасе.ппя ися этоользуяемогопепоктрод.спариок, из Своиства тонких пленок, порением в вакууме, зависят о с осаждения, влияющей на к ч структуру пленки и, в связи с е нитные и другие свойства.Известны способы измерения скорос пыления пленок при испарении в вакуу.Цель изобретения -- упростить измере повысить степень точности. Достигает тем, что по предлагаемому способу исп ют самопроизвольную ионизацию испар вещества. Ионы испаряемого вещества средственно переносят свой заряд на эле Измерительный электрод соединяют...

Номер патента: 731405

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Ноздрин, Паншин, Подпалый

МПК: G01R 33/12

Метки: коэрцитивной, магнитных, пленок, силы, тонких

...структуру пленки орисцтруют переменивм м нитным полем, после выключс О ция этого ноля прикгадьгваот цостоялиос магцитцос цолс параллелцо цлоскосгплсгки в направлении, псрцецдикулярцом к оси ориентации стрптурц, всл:чицой15Н= Н, ( Н,. где Н - поле сарта цри орисцтацциструктры посто 5 ццм по,см;Н, - поле, перпендикулярное псрвоца 20агьной оси ориентации структуры;Н - .поле старта при ориентацииструктуры гпаременым полем, а величину коэрцитивцой силы определяют по скачкообразному изменению азимутальцого угла ,ди фр а кци и.Сущность изобретения заключается в следуощсм.На магнитную пленку наносят магццтй коллоцд с гарстируоцм покрытием, оавсщаот ее коллимирова ни ым п чком авета, ориентируат магнитную структуру пленки переменным мапнитиым...