Царенксш

Номер патента: 423217

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Дмитриев, Евстропов, Калинина, Ордена, Царенксш, Чиабришвилн

МПК: H01S 3/00

Метки: излучательных, переходов, полупроводниках, типов

...и одновременно зависимость проводимости полупроводника от температуры.Недостатком известного способа является неточность определения типа излучательных переходов, особенно в тех случаях, когда зависимость интенсивности люминесценции от температуры полупроводника отличается от экспоненциальной,Целью изобретения является повышение точности процесса определения. Согласно изобретению, эта цель достигается измерением интенсивности спектральных полос фотолюминесценции при двух вариантах возбуждения. При первом варианте длина волны возбуждающего света выбирается такой же, как и при известном способе. При втором варианна волны выбирается такой, чтобывозбуждающих фотонов была меньшезапрещенной зоны, но больше, чем5 фотонов Йъизлучаемых при...