Способ определения типов излучательных переходов в полупроводниках
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ и 11423217 Союэ Советскил Социалистических Республик)М. Кл. Н 01 ем заявкиисоедине Йсударствеииый комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий Приоритетликовапо 05.04.74,Бюллетень1 3) УДК 621,375,8(088.8) Дата опубликования описания 1 б.09.7. Дмитриев, В В. Евстрооов, Б. В. Цвреив 4 в -и Н. Г, Чиабришвилифизико-технический институт им. А, Ф. Иоффеина ленинградский политехнический институтим. М. И, Калинина Ордена Ленина и Ордена Лен зитсл 4) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТИПОВ ИЗЛУЧАТЕЛЬНЬ ПЕРЕХОДОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХИзобретение от вой оптоэлектрони вано при разрабо приборов, которые оптоэлектронных носится к полупроводникоке и может быть использоке электролюминесцентных используются в различных устройствах. те длиэнергия ширины энергия ценции при котоована и выднике и-ти- чупроводниргией акти- электронакие уровни, ЛЕв, а в посоздающие ргией акти- а примеси, заполнены,ют спектры фотолюминесые при двух вариантах возри переходе от первого ва в спектрах люминесценции е полосы, то можно утвержзпувшие полосы были обусмн между такими энергети, один из которых располовных носителей. Далее сравценции по чубужденпя. Есрианта ко втисчезают некдать, что этпловлены переческими уровжен в зоне не нива ченн орому оторь исчехода нями оспо Известен способ определения типа излучательных переходов в полупроводниках, который заключается в возбуждении люминесценции полупроводника путем облучения его светом при энергии фотонов Йю)ЛЕе (ЛЕе - ширина запрещенной зоны полупроводника). Далее измеряют зависимость интенсивности спектральных полос фотолюминесценции от температуры полупроводника и одновременно зависимость проводимости полупроводника от температуры.Недостатком известного способа является неточность определения типа излучательных переходов, особенно в тех случаях, когда зависимость интенсивности люминесценции от температуры полупроводника отличается от экспоненциальной,Целью изобретения является повышение точности процесса определения. Согласно изобретению, эта цель достигается измерением интенсивности спектральных полос фотолюминесценции при двух вариантах возбуждения. При первом варианте длина волны возбуждающего света выбирается такой же, как и при известном способе. При втором варианна волны выбирается такой, чтобывозбуждающих фотонов была меньшезапрещенной зоны, но больше, чем5 фотонов Йъизлучаемых при люминест. е, Й, (Ьс,(ЛЕе. Температура полупроводника (Т рой производят измерения, фиксир 10 бирается такой, чтобы в полупрово па примеси, создающие в этом по. ке мелкие допорные уровни с эне вации Л Е, были бы не заполнены ми, а примеси, создаюгцие грубо 15 заполнены, т. е. ЛЕ, - йгк, ЙТ) лупроводнике р-типа примеси,мелкие акцепторные уровни с эне нации ЛЕ, были бы заполнены,создающие глубокие уровни, - не 20 т. е. Л Е. - Й у ) ЙТ) Л Еа423217 Предмет изобретения Составитель В. Давыдов Техред Е. Борисова Корректор А. Степанова Редактор Т, Орловская Заказ 2216/17 Изд. Мц 699 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий Москва, К, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Способ определения типов излучательных переходов в полупроводниках посредством возбуждения фотолюминесценции фотонами энергией Ь)ЛЕк и измерения интенсивности спектральных полос, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения точности, вторично измеряют интенсивность спектральных полос при возоуждении фотонами энергией Ь(Ь,(ЛЕл при фиксированной температуре полупроводника, выбранной исходя из условия Л Е - Ь т,) ЬТ) К Е, л, при этом тип излучательных переходов устанавливают, сопоставляя интенсивности спектральных полос, полученных при первом и втором вариантах 5 возбуждения; где: Ь Ь - энергии возбуждающих фотонов соответственно при первом и втором возбуждениях; Л Еа - ширина запрещенной зоны полупроводника; Й - постоянная Больцмана; Т - температура; Ь, - энер гия фотонов, излучаемых при люминесценции,Л Ен - энергия активации мелких примесей соответственно в п- и р-полупроводниках,
СмотретьЗаявка
1685334, 20.07.1971
А. Г. Дмитриев, В. В. Евстропов, Б. В. Царенксш, Н. Г. Чиабришвилн, Ордена Ленина физико технический институт А. Ф. Иоффе, Ордена Ленина ленинградский политехнический институт, М. И. Калинина
МПК / Метки
МПК: H01S 3/00
Метки: излучательных, переходов, полупроводниках, типов
Опубликовано: 05.04.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-423217-sposob-opredeleniya-tipov-izluchatelnykh-perekhodov-v-poluprovodnikakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения типов излучательных переходов в полупроводниках</a>
Устройство для поляризационных измерений спектральной интенсивности
Номер патента: 818249
Опубликовано: 30.10.1984
МПК: G01J 4/04
Метки: измерений, интенсивности, поляризационных, спектральной
...спонтанного комбинационного рассеяния, содержащем оптический 55 квантовый генератор накачки и установленные по ходу луча пластинку.б/2, кювету с комбинационно-активным вещест 9вом, собирающую линзу, спектральный прибор, кювета с комбинационно-актив3ным веществом снабжена коническим зеркалом, системой апертурных диафрагм и помещена на оси конического зеркала, расположенного между пластинкой/2 и собирающей линзой.На фиг.1 изображена принципиальная схема предлагаемого устройства; на фиг,2 - кювета с комбинационно-активным веществом с системой апертурных диафрагм.Она содержит оптический квантовый генератор, состоящий из зеркал 1,2, образующих оптический генератор, активного тела 3, кювету с комбинаци 6 нно-активным веществом 4, коническое...
Способ анализа состава минералов и горных пород
Номер патента: 1807350
Опубликовано: 07.04.1993
Авторы: Загулов, Месяц, Михайлов, Осипов, Соломонов
МПК: G01N 21/64
Метки: анализа, горных, минералов, пород, состава
...изучении научно-технической и патентной литературы не найдены способы с указанными отличительными признаками. Таким образом, предлагаемый способ является новым, отвечает критерию "существенные отличия".Такой способ возбуждения люминесценции дает возможность исследовать минералы не являющиеся естественными кристаллофосфорами, не требует предварительной химической и механической обработки образцов перед анализом и обеспечивает оперативность анализа,Предложенный способ был конкретно реализован следующим образом. Для возбуждения люминесценции использовали электронный пучок с параметрами:энергия электронов Е - ЗОО кэВ;плотность тока пучка ) = 10 Айм; длительность импульса т" 12 нс;частота повторения импульсов менялась от одиночных до 256...
Способ получения структур с -переходом на основе полупроводников типа
Номер патента: 928942
Опубликовано: 07.02.1987
Авторы: Есина, Зотова, Матвеев, Рогачев, Стусь, Талалакин
МПК: H01L 21/208
Метки: основе, переходом, полупроводников, структур, типа
...кон 6 - 3 центрации дырок не менее 5 10 см / /мкм).В соединениях А В подвижностьш чэлектронов значительно больше подвижности дырок, например для 1 пАз их отношение составляет 50 при 300 К. Это обуславливает преимущественную инжекцию электронов в р-область.Поскольку вероятность излучательной рекомбинации можно считать пропорциональной концентрации дырок на диффузионной длине от р-п в перехо, то эффективность излучения р-п-перехода с резким профилем распределения дырок вблизи р-п-перехода значительно (по крайней мере, на порядок) выше, чем в р-п-переходах, полученных известным способом, а наиболее оптимальный интервал легирования, как показывает опыт, находится в пределах 510 - 110 смй . в -3 Указанный состав жидкой фазы определяют на...
Способ определения параметров варизонного полупроводника
Номер патента: 1074336
Опубликовано: 23.11.1985
Авторы: Волков, Липко, Царенков
МПК: H01L 21/66
Метки: варизонного, параметров, полупроводника
...его фотолюминесценции при возбуждении со стороны широкозонной поверхности,.полупроводник охлаждают от комнатнойтемпературы до сверхнизких температур, при различных температурах Тизмеряют спектры неполяризованной иполяризованной фотолюминесценции,по измеренным спектрам определяютдлины смещения неравновесных носителей , и их спинов, находят коэффициент оптических потерь поформуле6 наснаса внутренний квантовый выход излучения находят по формуле 55 336 2гдеи .- значенияинасна участке низкотемпературного насыщения зависимостей , Т) и, (т)При освещении варизонного полупроводника, например-типа, с широкозонной стороны неполяризованным светом, в нем возбуждаются неориентированные электроны. Эти электроны движутся под действием...
Способ определения оптической энергии ионизации и типа симметрии глубокого примесного центра в полупроводнике
Номер патента: 1114262
Опубликовано: 15.11.1985
МПК: H01L 21/66
Метки: глубокого, ионизации, оптической, полупроводнике, примесного, симметрии, типа, центра, энергии
...носителей тока, создаваемых светом из рассматриваемой области энергии фотона (дырка, электрон). Эти сведения могут быть 0 Далее по формулам (4-8), приведенным ниже, строятся расчетные кривые спектральной зависимости сечений фотоионизации б , учитывающие зону проводимости / д /, зону тяже лых дырок /И 1, /, зону легких дырок/ Ве /, зону спин-орбитального расщепления / б 6 / для каждого типа симметрии /Г 6, Г, Гз /. Сечение фо тока определяют зарядовое состояние исследуемого центра после фотоионизации, экспериментальные зависимости фотопроводимости или коэффициента поглощения сопоставляют с расчетными кривыми, величину оптической энергии иойизации глубокого примесного центра с и тип его симметрии определяют по значениям параметров...
Предыдущий патент: Щеткодержатель
Следующий патент: Стержневой электроакустический преобразователь
Случайный патент: Ступенчатый концентратор ультразвуковыхпродольно крутильных колебанийдля привода potopa вибродвигателя