Широтно-импульсный многоустойчивый элемент

Номер патента: 1367043

Опубликовано: 15.01.1988

Авторы: Осинов, Худяков

МПК: G11C 27/00

Метки: памяти, ячейка

...величиназаряда, накопленного на МДП-конденсаторе элемента 5, зависит от напряжения на информационном входе 7 адресного ключа 4. После заряда конденсатора элемента 5 адресный ключ 4закрывается, открывается ключ 2, ана вход записи-считывания элемента 1подается импульс записи. Процесс записи заканчивается, как только весь 67043 . 2заряд МДП-конденсатора 5 перетечетна плавающий затвор транзистора элемента 1. После записи ключ 2 закры 5вается, Ключ 3 считывания в режимезаписи остается всегда закрытым. Временные диаграммы рассмотренного режима приведены на фиг. 2.В режиме стирания информации открываются адресный ключ 4, ключ 2,на информационный вход 7 адресногоключа 4 и на вход 8 .подаются импульсы стирания. Ключ 3 в режиме стирания...

Номер патента: 1140165

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Гайворонский, Рогозов, Самойлов, Чернов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...второго и - р - и ключевого транзистора последующего каскада ячейки памяти, база и коллектор блакировочного и - р - и-транэистора подключены к соответствующим обьеди- у йенньи коллекторам первого и второго и - р - й ключевых транзисторов. 4На фиг. 1 приведена электрическая принципиальная схема ячейки памяти для четырехуровневого входного сигнала; на фиг. 2 - функциональная схема устройства, поясняющая принцип ее работьц на фиг, 3 - временная диаграмма работы устройства,Ячейка памяти (фиг. 1) содержит многоколлекторный и - р - и-транзистор 1, связан тактирующий многоколлекторный и - р - и-транзистор 2,и - р - и-транзисторы 3, 4 и 5 связи, первые ключевые многоколлекторные и - р - и-транэисторы 6-9, вторые ключевые и - р -...

Номер патента: 677012

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Акопян, Маркарян

МПК: G11C 11/39, G11C 19/28

Метки: памяти, ячейка

...ий резистор, катод втоен к катоду первого дииода соединен с катодом ретий резистор с шиной а. На чертеже предс схема ячейки памяти регистра, содержащ ячеек памяти. Ячейка памяти, н ряде регистра содер резисторы 2, - 2, 3 5, - 5, 6, - 6, конд 8 управления, шину левого потенциала.авлена электрическая и электрическая схема его гг предложенных пример, в перв життиристор- Зп и 4, - 4 п, енсаторы 7, - 7 9 питания, шин ом раз 11 1 п диоды шину у 10 ну Работает ячейка памятиющим образом.На шину 8 управленияуправляющий импульс (полярности), который, прохозажигает тиристор 1,. Полтенциал с резистора 4, чер егистра следупервый ной по- диод 5 ный по, подаподаетсяложительдя через жител з дио677012 Ячейка памяти, содержащая тиристор,ансд...

Номер патента: 972592

Опубликовано: 07.11.1982

Автор: Кутовой

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...2 и 4, инвертора 4, ключи 5 и 6. Первый ключ каждой пары выполнен на двух транзисторах 7, Ц и 7, 8, а второй - на транзисторе 9,9,третий и четвертый ключи55 фполнейы на транзисторах 10 и .11. Триггер 1 ячейки памяти выполнен на транзисторах 12-15, инвертор 4 выполнен на транзисторах 16 и 17, транзисторы 7, 10, 7, 1112 13 60 16 - с р-каналом, транзисторы 8 9., 8, 9, 14, 15, 17 - с и-каналом.Запоминающая ячейка работает следующим образом. 65 Если на входах 18 и 19 транзисторов 16 и 17 напряжение логической единицы положительной полярностиа на входе 20 напряжение логического нуля, то открываются транзисторы 8 и 10 и напряжениемлогического нуля с инвертора 4 открывается транзистор 71, транзисторы 9 и 11 закрыты. Благодаря выполнению в...

Номер патента: 1161989

Опубликовано: 15.06.1985

Автор: Костюк

МПК: G11C 11/40

Метки: варианты, ее, информации, озу, памяти, хранением, энергонезависимым, ячейка

....памяти может быть применен любой изизвестных вариантов, используемыйв динамических, статических иликвазистатических ячейках памяти ОЗУ,вплоть до самого простого из них -ИДП-емкости. Необходимо только соблюсти следующее приближенное соотношение:Сз прс 1,1-2) В где С, - емкость затвора ИНОП-транзистора;С - емкость узла хранения поутенциала,"- напряжение программирования,Конструкция адресного формирователи, используемого как для записи,так и для считывания, может иметьили отдельные транзисторы записи исчитывания информации, или в простейшем случае один общий ИДП-транзистор, выполняющий обе функции,На фиг. 1 представлены ячейкипамяти по первому и второму вариантамф на фиг. 2 - то же, принциниальная электрическая схема на фиг. 3...