Ячейка памяти

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 1 С 27 00 51) ИСАНИЕ ОРСКОМУ СВ ИЗОБРЕТЕНИ ЕЛЬСТ а при- поформации - досчейку памяти,мяти, адресный читывания и ный элемент наналоговои итем, что вю элемент и минаниятигаетсясодержащключ, вв ны ключинакопител ирания о запомио и аналоОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(56) Разработка элементной базы БИППЗУ информационной емкостью 16 кбс электрической сменой. информацииМДП-транзисторах с плавающим эатвором: Отчет о НИР. Киев, 1982, НРГос. регистрация Ф 15236.Патент США Р 4203158,кл. 365-185, 1980,54) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ57) Изобретение относится к выч лительнои технике, в частности к запоминающим устройствам, и может быть использовано для создания полупроводниковых устройств сбора, предварительной обработки и передачи цифровой и аналоговой информации. Цель изобретения - расширение области менения ячейки памяти за счет за онденсаторе. Это позволать не только цифровуюовую информацию. 4 ил.1 13Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам, и может бытьиспользовано для создания полупроводниковых устройств сбора, предварительной обработки и передачи цифровой аналоговой информации,Целью изобретения является расширение области применения ячейки памяти эа счет обеспечения запоминанияаналоговой информации.На фиг.1 приведена функциональнаясхема предложенной ячейки памяти, нафиг.2-4 - временные диаграммы, поясняющие ее работу.Ячейка памяти содержит элемент 1памяти, ключ 2 стирания, ключ 3 считывания, адресный ключ 4, накопитель.ный элемент на конденсаторе 5, шину6 нулевого потенциала, информационный вход-выход 7, вход 8 записи-считывания, вход 9 разрешения записи,вход 10 сброса, вход 11 разрешениясчитывания, вход 12 управления накоплением.Ячейка памяти выполнена на МДПтранзисторах.Предложенная ячейка памяти работает следующим образом.Рассмотрим режимы работы ячейки памяти с учетом, что ключи ячейки памяти представляют собой МОП-транзисторы с индуцированным каналом, накопительный элемент - МДП-конденсатор,а элемент памяти - МОП-транзиетор сплавающим затвором и областью туннельного переноса зарядов.В режиме слежения за изменениемвходной информации потенциал от внешнего устройства поступает на информационный вход 7 и через открытыйадресный ключ 4 - на накопительныйэлемент 5 и заряжает его.В режиме записиинформации записываемый потенциал подается на информационный вход 7 адресного ключа 4. Вмомент записи адресный ключ 4 открывается и происходит заряд накопительного элемента 5. При этом величиназаряда, накопленного на МДП-конденсаторе элемента 5, зависит от напряжения на информационном входе 7 адресного ключа 4. После заряда конденсатора элемента 5 адресный ключ 4закрывается, открывается ключ 2, ана вход записи-считывания элемента 1подается импульс записи. Процесс записи заканчивается, как только весь 67043 . 2заряд МДП-конденсатора 5 перетечетна плавающий затвор транзистора элемента 1. После записи ключ 2 закры 5вается, Ключ 3 считывания в режимезаписи остается всегда закрытым. Временные диаграммы рассмотренного режима приведены на фиг. 2.В режиме стирания информации открываются адресный ключ 4, ключ 2,на информационный вход 7 адресногоключа 4 и на вход 8 .подаются импульсы стирания. Ключ 3 в режиме стирания информации остается закрытым.Временные диаграммы данного режимаприведены на фиг. 3.В режиме считывания информацииоткрываются адресный ключ 4 и ключ 3,на вход 8 подается напряжение считыВания, а на информационный Вход 7адресного ключа 4 - напряжение пита ния. Уровень выходного напряжения,,снимаемого с информационного входавыхода 7, зависит от порогового нап 25 ряжения элемента 1, т.е. от величинызаписанного на плавающий затвор заряда его транзистора. Временные диаграммы данного режима приведенына фиг. 4,Режим "Невыбор" расмматриваетсяв.случае, если ячейки объединены всТроку, Режим обеспечивается закрытием адресного ключа 4.В таблице показаны уровни напряжения на элементах ячейки памяти в различных режимах.1Эффективность изобретения заключается в том, что представляется возможность построения полупроводнико 40вых устройства для хранения и обработки аналоговых сигналов без применения .цифроаналоговых преобразователей. Это позволяет создавать аналоговые устройства в интегральном ис 4 полнении. формула изобретенияЯчейка памяти, содержащая адресныйключ, информационный вход которого 50является информационным входом-выходом ячейки памяти, элемент памяти,вход записи-считывания которого является входом записи-считывания ячейкипамяти, вывод элемента памяти,.подключен к шине нулевого потенциала ячейки памяти, управляющий вход адресного ключа является входом разрешениязаписи-считывания ячейки памяти, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что, с367043 Режим работы Вывод ячейки памяти 4 1 О 8 12 7 13 Слежение Запись информации 1 О 0 Стирание информации О О 0 Считывание информации 0 5 В О Невыбор 3, целью расширения области применения ячейки памяти за счет запоминания аналоговых сигналов, в нее введены ключ считывания, ключ стирания и наколительный элемент на конденсаторе, первая обкладка которого является входом управления накопления ячейки памяти, вторая обкладка конденсатора соединена с выходами адресного ключа, ключа стирания и ключа считывания, информационные входы ключа стирания и ключа считывания. соединены 5соответственно с выходами элементапамяти, управляющий вход сброса ключа стирания является входом сбросаячейки памяти, управляющий вход ключа считывания является входом разрешения считывания ячейки памяти. 1 0 ОВ. О О1367043 Вхо 8 оставитель А.Ворониехред И. Попович Редактор М.Цитки Кравцов оррект акаэ 6 9 одписно д4/5 Производственно-полиграфическбе предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ВНИИП и 11303Тираж 590И Государственногокомитета елам изобретений и открыти Москва, Ж, Раушская наб