Впт5фвад а: ш: ;: пит;
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
395925 Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 28.Ч.1971 ( 1661809/26-25)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 28.Ч 11,1973. Бюллетень35Дата опубликования описания 7.1.1974 М. Кл. Н 011 29/45 Н 011 31/38Государственный комитет Совета Министров СССР ле делам изобретений н открытийУДК 621.385(088,8) Авторыизобретения В, М. Любин, Г. А. Федорова, О, А, Баско и Л. М. Прокатор Заявитель Ргт-ГБ ЕНЬ ТЕЛЕВИЗИОННОЙ ПЕРЕДАЮ 1 ЦЕЙ ТРУБКИ где О.-"Х(1,5.Предлагаемаячувствительностьтанин с малойнизкими значени высокойв сочетоответа, широкой мишень обладает ю в режиме пагмят нерционностью ф ми темповых токов Изобретение относится к телевидению, в частности к телевизионным передающим трубкам типа видикон.Известна мишень телевизионной передающей трубки типа видикон, содержащая сигнальную пластину, два фоточувствительных слоя, один из которых выполнен на основе селенида кадмия, преимущественно активцрованного, например, медью, а второй изготовлен из полупроводникового материала высокого сопротивления, например, из трисульфцда сурьмы, нанесенного на первый слой.С помощью известной мишени, с точки зрения применения видиконов в малокадрсзых системах телевидения, невозможно получить достаточно высокое темновое сопротивление, необходимое для обеспечения длитсльного хранения потенциального рельефа на мишени в режиме памяти.Отличие мишени, выполненной по предлагаемому изобретению, состоит в том, что втопой фоточувствительный слой выполнен из .теклообразного сплава состава:Рг 2 1 АЯ 1 З 1 спектральной областью фоточувствцтельностии высокой термостойкостью,На чертеже изображена предлагаемая мишень телевизионной передающей трубки ти 5 па вцдиконМишень содержит примыкающие друг кдругу слой 1 селенида кадмия, активированного, например, медью, серебром ц другимиактиваторами, ц слой 2 селенцда фосфора10 или селенида фосфора и мышьяка, которыерасположены ца прозрачной сигнальной пластине 3 цз проводящего материала, нанесенного на прозрачную диэлектрическую подложку 4.15 Физика процессов, протекающих в данноймишени, обусловлена следующими факторами.На контакте двух фотопроводящих слоев,поликристаллического слоя СЙЬе с проводимостью гг-типа и аморфного слоя селенцда20 фосфора с проводимостью р-тцпа, формируется эффектпвный гг - р гетеропереход, который и позволяет сочетать в мишени высокую чувствительность селенида кадмия с малой инерционностью ц высоким сопротцвлени 25 ем, необходимым для длительного удержанияпотенциального рельефа в режиме памяти,Толщина слоя селенида кадмия может изменяться в пределах от 0,3 до 1,5 лклг и определяется, в основном, условием наибольшего30 поглощения света. Толщина аморфной про395925 Р(2 -АЯхЯ 1 з 40 где 0(Х(1,5. Составитель И. ЕреминаТекред А. Камышникова Корректор Л, Царькова дактор А. Морозова Подписнос ография, пр, Сапунова, 2 3слойки мишени может изменяться в пределах от 0,05 до 0,7 мклю в зависимости от выбора материала этой прослойки и от толщины слоя селенида кадмия. Ограничение толщины второй прослойки обусловлено, главным образом, возможностью образования эффективного гетероперехода. Нарушение оптимальных толщин прослоек ведет к падению чувствительности, росту темновых токов и величин остаточного сигнала при перекрывании света.Тщательное изучение вольтамперных, люксамперных характеристик, инерционности фотоответа, зависимости свойств мишени от полярности приложенного напряжения показало, что предлагаемая мишень обладает рядом признаков, характеризующих образование эффективного гетероперехода и - р-типа.Вольтамперные характеристики имеют диодный характер с коэффициентом выпрямления от 10 до 10, причем запорное направление соответствует приложению положительного потенциала на слой селенида кадмия и отрицательного потенциала на слой селенида фосфора.Уровень темповых токов при запорном смещении понижается в 10 - 10 раз по сравнению с однослойной мишенью из селенида кадмия и обеспечивает сопротивление, необходимое для работы, мишени в режиме памяти.Инерционность фотоответа при запорном смещении резко уменьшилась 1 величина остаточного сигнала через 40 исек не больше 10 - 20% при освещенности 1 лк) по,сравн"нию с длинновременными процессами, характерными для селенида кадмия.Люкса мперные характеристики линейны при запорном смещении на мишени в широком диапазоне освещенностей.Высокочувствительный слой селенида кадмия, активированный, например, медью, прпказ 3601 8 Изд М 928 ЦИИИПИ Государственного по делам изо Москва, Ж, готавливается химическим способом и имеет при этом мелкокристаллическую структуру с плотной упаковкой кристалликов, обеспечивающей хорошую равномерность слоя, 5 Аморфный слой селенида фосфора или селенида фосфора и мышьяка наносится обычным термическим испарением в вакууме 10- л,и рт. ст.Были изготовлены и испытаны эксперимен тальные видиконы с предлагаемой мишенью.Такие видиконы генерировал и сигнал до 0,1,яка при освещенности 0,5 лк на мишени при величине остаточного сигнала через 40 .цсек после перекрывания света не больше 15 20 - 30% в стандартном режиме разложенияи показали хоробрую работоспособность в малокадровом режиме разложения с импульсным освещением при экспозициях до 0,05 лксек, с инерционностью не хуже 5 - ;10% 20 .во втором кадре.Мишень, выполненная согласно предлагаемому изобретению, является перспективной для впдиконов с памятью, работающих в системах малокадрового разложения, а также 25 для видиконов, работающих в системах стандартного разложения.Г 1 редмет изобретенияМишень телевизионной передающей трубкитипа видикон, содержащая сигнальную пла стину и два фоточувствительных слоя, одиниз которых выполнен на основе селенида кадмия, преимущественно активированного, например медью, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения высокой чувствительности 35 в режиме памяти, второй фоточувствительный слой выполнен из стеклообразного сплава состава Тираж 780 комитета Совета Министров СС ретений и открытий Раушскаи наб., д, 4/5
СмотретьЗаявка
1661809
В. М. Любин, Г. А. Федорова, О. А. Баске, Л. М. Прокатор
МПК / Метки
МПК: H01J 29/45, H01J 31/38
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-395925-vpt5fvad-a-sh-pit.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Впт5фвад а: ш: ;: пит;</a>
Предыдущий патент: 395924
Следующий патент: Электронный микроскоп
Случайный патент: Способ получения модифицированного синтетического латекса