Патенты с меткой «пит»

Номер патента: 329648

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Научно, Песочинский, Синицым, Физики, Шевчик

МПК: H03L 7/099

Метки: лния, лов, пит

...данного устроиства,Устройство содержит источникиция 1 - 3 и лампу обратцой волны с 1, подогревателем а, анодом К коллектором электронов 7 и замедляющей системой в виде электродов О и 9 соответственно с меньшими и большими отверстиями для пролета электронов. 11 сточшгк напряжения 1 включсц в цепь подогревателя о, источник напряжения 2 для электрической перестройки частоты подклочен положительным водом к атоду лииы обратной волны и отрицательным - к электродам 9 с большими пролетными отверстиями, источник напряжения 3 подключен положительным вывотом к электродам 8 с меньшими пролетными отверстиями, и отри. цательным - к катоду 4.Перестройка ускоряющего напряжения и, следовательно, ге:ерируемой частоты осуществляется источником...

Номер патента: 395925

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Баске, Любин, Прокатор, Федорова

МПК: H01J 29/45, H01J 31/38

Метки: впт5фвад, пит

...и определяется, в основном, условием наибольшего30 поглощения света. Толщина аморфной про395925 Р(2 -АЯхЯ 1 з 40 где 0(Х(1,5. Составитель И. ЕреминаТекред А. Камышникова Корректор Л, Царькова дактор А. Морозова Подписнос ография, пр, Сапунова, 2 3слойки мишени может изменяться в пределах от 0,05 до 0,7 мклю в зависимости от выбора материала этой прослойки и от толщины слоя селенида кадмия. Ограничение толщины второй прослойки обусловлено, главным образом, возможностью образования эффективного гетероперехода. Нарушение оптимальных толщин прослоек ведет к падению чувствительности, росту темновых токов и величин остаточного сигнала при перекрывании света.Тщательное изучение вольтамперных, люксамперных характеристик, инерционности...