Элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 394849
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 394849 Союз Советских Социалистицеских Республиксвндстс ьства Ъо Зависимое от авт.1, Е,л, 6 11 с 11/ 03,11,1970 ( 140009518-24 аявл заявкис присоединение осударственный комитеСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий ПриоритетОпубликовано 22 81.3( 66(088 8 111.1973. Бюллетень34 ликования описания 14.;11.1973 та о Авторыизобретен А.М. Райтаровск М. Ленивцев и И. Ф. Ивано аявител ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ 1-1 а чси прння аемый элемент е обозначения: 2 - диэлсктрилини 5; 4 - циртеже показанты следующие у ллическин прово 1 ложка; 3 - ческая магнитная рсдла сл овны одник; словая пленка- ме еская чиндр акопнтсля на макет азряд. гасоо о э с результпитсля, смедными смепта о:еата:и испыо с т а в, с но гоэлектростаИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических тонких магнитных пленках, нанесенных на диэлектрической подложке.В известных запоминающих устройствах на цилиндрических тонких магнитных пленках из-за близко расположенных элементов между разрядными линиями и между числовыми и разрядными в момент считывания и записи возникают достаточно большие помехи, которые в основном носят емкостный характер. Для устранения этих помех используют конструктивные методы: применяют проводящие заземленные пластины между матрицами, увеличивают расстояние между линиями. Однако эти методы не позволяют полностью уничтожить помехи и в то же время увеличивают габариты запоминающих устройств. Для устранения этих помех используют также схемные методы: применяют реакторы, пользуются сложные балансные схемы усилителя считывания, Однако эти методы заметно усложняют электронику управления запоминающего устройства.В предлагаемом элементе памяти для по вышения помехоустойчивости заземляют магнитную пленку, которая, кроме выполнения функций запоминания информации, служит в качестве электростатического крана. Предлагаемый элемент памяти, экспериментально исследованный, бьл изготовлен на основе магнитной пленки, нанесенной на медный 10 провод в стеклоизоляцип. Провод в стеклоизоляции получали методом литья; диаметр медного провода д=0,1 лл, тотщна стеклонзоляции - 15 - 20 лкл, 1-1 а нее хлическим путем осаждали слой Ля (0,3 лкл), затем ( и 15 (1,0 лкл) и, наконец, электролитическим методом наносили пленку ГеМ (1,0 лкл), Уйагнитную пленку заземлили, как изображено на чертеже, и, таким образом, расстояние:,ежду пленкой-экраном и медным проводом, являю щимся проводом записи в считыван, составило -15 - 20 лк.и. Числовые шины конструктивно выполняли в виде плетеных соленопдов. Испытания проводили емкостью 256 чисел, 51 р Эффективность предла нивалась при сравнении таний аналогичного пако из матриц, разделенны.; тическими экранами,Предмет изобретения оставитель Е. Иванеева едактор Л. Струве Тсхред Т. Курилко Корректор Е. Бломина Тираж 576гиитета Совета Министровтений и открытийушская наб., д. 4/5 Изд.1817 осударственного к по делам пзобр Москва, 7 К, Раказ 3321/12ЦНИИП ПодписноеССР Типография, пр. Сапунова,Так как заземленная пленка-экран располагается между числовой и разрядной лилиями, полностью устраняется электростатическая связь между ними, что принципиально невозможно при других способах экрапирования. Это же относится и к электростатической связи между разрядными линиями.Результаты испытаний показали, что суммарная помеха уменьшается примерно на порядок. Следует учитывать, что приближение экрана к разрядному проводу увеличивает емкость между разрядным проводом и землей и, как следствие, увеличивает задержку сигнала в разрядной линии, однако, как показал эксперимент, опа не существенна для накопителейсредней емкости и среднего быстродействия. Элемент памяти, содержащий цилиндрическую пленку, нанесенную на диэлектрическую подложку с расположенным внутри проводом 10 записи - считывания, отличающийся тем, что,с целью повышения помехоустойчивости, цилиндрическая магнитная пленка соединена с шиной нулевого потенциала.
СмотретьЗаявка
1400095
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-394849-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>
Элемент памяти
Номер патента: 371615
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 11/40
...электрод б.5 Элемент паьмяти работает следующим образом,При подаче постоянного напряжения на управляющий электрод б оно распределяетсямежду пленками 4,и б пропорционально их10 сопротивлениям. Так как поляризация диэлектрика пленки 4 обладает пороговым свойством, то сопротивления пленок 4 и б подбирают так, чтобы без освещения поляризация и,следовательно, запись не происходили.15 При освещении пленки б через полупрозрачный электрод б его сопротивление резко падает и все поданное на управляющий электрод напряжение оказывается птриложено к 20 пленке 4, вызывая ее поляризацию, т, е.запись; освещение при другой полярности поданного напряжения приводит к стиранию информации. Например, пленка из ЯзИ 4 толщионой 500 А,и...
Элемент памяти
Номер патента: 1737514
Опубликовано: 30.05.1992
Авторы: Маринчук, Поплевин, Трошин, Чекмазов
МПК: G11C 17/00
...предварительного резервирования, значительно упростив его по сравнению с известным,На чертеже приведена схема предлагаемого элемента памяти.Элемент памяти содержит транзисторы 1 - 4, образующие запоминающий элемент, второй ключевой транзистор 5, плавкую перемычку б, первый ключевой транзистор 7, элемент И 8,шину питания 9, вход предварительного резервирования 10, выход 11, шину нулевого потенциала 12, вход разрешения резервирования 13, адресный вход 14,Истоки 3 и 4 транзисторов запоминающего элемента соединены с шиной питания 9, а стоки транзисторов 2 и 3 с затворами транзисторов 1 и 4 и выходом элемента 11, Истоки транзисторов 1 и 2 запоминающего элемента подключены к шине нулевого потенциала 12 и истоку первого ключевого транзистора 7,...
Двухдырочный элемент памяти из ферритовогоматериала
Номер патента: 238596
Опубликовано: 01.01.1969
МПК: G11C 11/08
Метки: двухдырочный, памяти, ферритовогоматериала, элемент
...пр, Сапунова,ла в обмотке 8 - 9. Если ампер-витки опроса не превышают определенной величины, то по окончании импульса тока опроса поток в тороиде 1 восстанавливается до значения, близкого к первоначальному, за счет обратимых процессов изменения намагниченности. При последуюгцих опросах устанавливается такой режим, когда дальнейшего уменьшешя потока в тороиде 1 не происходит.Важной особенностью предлагаемого элемента памяти является то, что при значительном увеличении ампер-витков опроса невозможно изменить направление остаточного готока записи, так как насыщение тороида 2 происходит раньше, чем изменение направления потока в тороиде 1. Пусть теперь в элементе записан нуль, т. е, остаточный поток записи направлен противоположно...
Элемент памяти на двухотверстном трансфлюксоре
Номер патента: 275142
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Коваль, Кузнеченков, Финогеева
МПК: G11C 11/06
Метки: двухотверстном, памяти, трансфлюксоре, элемент
...петлей гистерезиса, пронизывают обмотка 1 установки в исходное состояние, входная обмотка 2 и обмотка 3, шунтированная сопротивлением 4. Малое отверстие пронизывают обмотка опроса 5 и выходная обмотка 6.В предложенном элементе памяти информация представляется импульсами тока. По обмотке 1 перед записью информации подается импульс тока, устанавливающий трансфлюксор в состояние, соответствующее записи О, Затем на обмотку 2 поступает У импульсов тока. Неразрушаемое считывание осуществляется подачей биполярной импульсной последовательности в обмотку опроса 5. При этом в выходной обмотке 6 наводятся импульсы напряжения, амплитуда У которых зависит от числа входных импульсов. Эффект линеаризации характери копления в некотором диапазоне...
Элемент памяти
Номер патента: 1336113
Опубликовано: 07.09.1987
Авторы: Моторин, Сизов, Теленков
МПК: G11C 11/40
...на стробирующие вхо-:.,ды 7 и 8 уровней "О" динамическиеинверторы 1 и 4 закрыты, а динамические инверторы 2 и Зоткрыты и хранятранее записанную информацию, При поступлении на вход 7 (8) уровня "1"открывается динамический инвертор 1(4) и закрывается динамйческий инвертор 2 (3), соответственно пропускаяна запись информацию, поступающую 40по первому (второму) информационному,входу 9 (10). При поступлении на прямой и инверсный стробирующие входы 15 и 17 уровней "1" и "О" соответственно МДП- транзисторы 12 и 14 открываются и разрешают прохождение поступающей по информационному входу 16 информации через МДП-транзисторы 11.и 1 3 соответственно.Формула изобретения1. Элемент памяти, содержащий первый инвертор и первый динамический инвертор,...
Предыдущий патент: Устройство для извлечения полезной информации из считанного сигнала
Следующий патент: Оперативное запоминающее устройство
Случайный патент: Устройство для формирования кольцевых канавок на полимерных трубах