Элемент памяти на двухотверстном трансфлюксоре

Номер патента: 275142

Авторы: Коваль, Кузнеченков, Финогеева

ZIP архив

Текст

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 07.11.1969 ( 1311066(18-24) л. 21 ад, 37рисо ением заяв ПК б 11 е 11/06 ПриоритетОпубликовано 03,711.1Дата опубликования о Комитет по делам изобретений и открыти при Совете Миниотрав СССР, Фино ва, Е, Н. Коваль и В, П, Кузнечен аявител ЕНТ ПАМЯТИ НА ДВУХОТВЕРСТНОМ ТРАНСФЛЮКСОРЕ памяти может быть х автоматики и вы Предложенный элемен использован в устройств числительной техники.Известны элементы па ных трансфлюксорах из угольной петлей ги стер е режиме частичного перем мяти на двухотверсгматериала с прямозиса, работающих вагничивания. тики павыходныхсоответ- интегридиода 7, . Диод 7, нии, пределинейноеобласти линеаризировать характериЭто позволяет тику накопления На фиг. 1 дан иг. 2 - харак люксора; на фи очки, схема элемента памяти; на ристика накопления транс - характеристика ВС-цего напр Основной недостаток подобных элементов заключается в невысокой линейности характеристики накопления У=(М), (где У - амплитуда импульса, снимаемого с выходной обмотки трансфлюксора, У - число запоминаемых импульсов), которая имеет место вследствие неидеальной прямоугольности петли гистерезиса магнитного материала, конечных размеров трансфлюксора и других причин.Предложенный элемент памяти отличается тем, что в нем выходная обмотка трансфлюксора соединена с его нагрузкой через четырехполюсник, выполненный по схеме интегрирующий КС-цепочки с изменяющейся постоянной времени,2Большое отверстие трансфлюксора, выполненного из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, пронизывают обмотка 1 установки в исходное состояние, входная обмотка 2 и обмотка 3, шунтированная сопротивлением 4. Малое отверстие пронизывают обмотка опроса 5 и выходная обмотка 6.В предложенном элементе памяти информация представляется импульсами тока. По обмотке 1 перед записью информации подается импульс тока, устанавливающий трансфлюксор в состояние, соответствующее записи О, Затем на обмотку 2 поступает У импульсов тока. Неразрушаемое считывание осуществляется подачей биполярной импульсной последовательности в обмотку опроса 5. При этом в выходной обмотке 6 наводятся импульсы напряжения, амплитуда У которых зависит от числа входных импульсов. Эффект линеаризации характери копления в некотором диапазоне значений имеет место в результате ствуюшего подбора характеристики 2 рующей КС-цепочки, состоящей из сопротивления 8 и конденсатора 9 включенный в проводящем направле ставляет собой в данном случае н сопротивление, величина которого в ЗО малых токов зависит от приложенно275142 Ф 3 1 2 ЙЪ) Фиг.2 С 7 ыхЦ Щ УФссг. 8 едактор Л. А. Утехина ставитель Заказ 2794/9 Тираж 480ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СоветеМосква, Ж, Раушская набд. 475 Подписноеинистров СССР Типография, пр. Сапунова,жения. Сопротивление 8 служит для коррекции характеристики диода 7,Выходная характеристика накопления элемента памяти линеаризуется с достаточной степенью точности. Это достигается включением нелинейного четырехполюсника с характеристикой, компенсирующей нелинейность выходной характеристики трансфлюксора.Выходное напряжение элемента памяти располагается в диапазоне 0 - 1,3 в, а приращение выходного напряжения, ЛУ, соответствующее единице записываемой информации (одному импульсу на,входе) составляет 30 лсв. Предмет изобретения Элемент памяти на двухотверстном трансфлюксоре из материала с прямоугольной пет лей гистерезиса, содержащий обмотки входную, установки в исходное состояние, опроса, выходную и обмотку, шунтированную резистором, отличающийся тем, что, с целью линеаризации характеристики накопления элемен та, выходная обмотка трансфлюксора соединена с нагрузкой через четырехполюсник, выполненный по схеме интегрирующей КС-цепочки с изменяющейся постоянной времени. озенталь Корректор И. С. Хлыст

Смотреть

Заявка

1311066

Г. Г. Финогеева, Е. Н. Коваль, В. П. Кузнеченков

МПК / Метки

МПК: G11C 11/06

Метки: двухотверстном, памяти, трансфлюксоре, элемент

Опубликовано: 01.01.1970

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-275142-ehlement-pamyati-na-dvukhotverstnom-transflyuksore.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти на двухотверстном трансфлюксоре</a>

Похожие патенты