Элемент памяти

Оп ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ 37 615 Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 07.17.1971 (Рй 1649327/18-24)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 22.11.1973. Бюллетень12Дата опубликования описания 5.17.1973 М. Кл. б 11 с 11/34 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРУДК 681,327.67(088.8) Авторы изобретения Б. С, Борисов и В. В. Поспелов Заявитель ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ Изобретение относится к области запоминающих устройств.Известен элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку с втодсоединенными к ней электродами считывания, на поверхность которой нанесена, пленка поляризующегося диэлектрика, и управляющий электрод,Однако известный элемент памяти имеет малое время хранения информации (несколько часов), низкую чувствительность и быстродействие (до миллисекунд), что связано с использованием в качестве поляризующегося диэлектрика фотоэлектрета.Предложенный элемент памяти отличается тем, что на поляризующийся диэлектрик нанесена, пленка фоточувствительного полупроводника, к которой подсоединен управляющийэлектрод.Это позволяет увеличить время хранения информации и повысить чувствительность и быстродействие элемента памяти.На чертеже схематически изображен элемент памяти.Он содержит полупроводниковую, подложку 1, например, из Я с подсоединенными к ней электродами 2 и т считывания, например омическими контактами или р - п переходами. На поверхность подложки нанесена пленка 4 однослойного или многослойного поляризующегося диэлектрика, например, из ЯзХ 4 .или ЯОЗ - ЯзК 4, а На НЕЕ В СВОЮ ОЧЕРЕДЬ - ПЛЕНка б фоточувствительного полупроводника, например, из РЬО, Ст 15, ЯЬзЯз. На фоточувствительную пленку б напылен полупрозрачныйуправляющий электрод б.5 Элемент паьмяти работает следующим образом,При подаче постоянного напряжения на управляющий электрод б оно распределяетсямежду пленками 4,и б пропорционально их10 сопротивлениям. Так как поляризация диэлектрика пленки 4 обладает пороговым свойством, то сопротивления пленок 4 и б подбирают так, чтобы без освещения поляризация и,следовательно, запись не происходили.15 При освещении пленки б через полупрозрачный электрод б его сопротивление резко падает и все поданное на управляющий электрод напряжение оказывается птриложено к 20 пленке 4, вызывая ее поляризацию, т, е.запись; освещение при другой полярности поданного напряжения приводит к стиранию информации. Например, пленка из ЯзИ 4 толщионой 500 А,и с удельным сопротивлением р = = 101 з ом см и пленка из ЬЬзЗз толщинойо100000 А (10 мк) и р = 10 тз - 10 т 4 ом см имеют в темноте соотношение сопротивлений Рзьз,/Рз;ч, = 2 - 20. При освещении Р зь,зф ЗО уменьшается на 2 - 3 порядка и Рзь.з,/Язи,м, --371615 Составитель В, РудаковГрузова Текред Т. Курилко Корректор Е, Зимин Редакт Заказ 800/16 Изд. М 1187 Тираж 576 ПодписноЦНИИПИ Комитет: по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр, Сапунова 3Элемент памяти может работать также в режиме импульсного управляющего напряжения. При этом длительность имнульеа- недби рается, чтобы она была меньшепостоянной времени зарядки паразитного конденсатора поля ризующийся диэлектрик - полупроводник через неосвещенный фоточувствительный полупроводник и больше, постоянной времени зарядки того же конденсатора через освещенный фоточувствительный полудроводник.В этом случае за врвмя импульса конденсатор в темноте не успевает заряжаться и падение напряжения управляющего импульса происходит на фоточувствительном полупроводнике, т, е. запись. не происходит. При освещенности конденсатор успевает зарядиться и напряжение в основном приложено к поляризующемуся диэлектрику, т. е. происходит записьили стирание,Предмет изобретенияЭлемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку с подсоединенными к ней электродами считывания, на поверхность которой нанесена пленка поляризующвгося диэлвк трика, и управляющий электрод, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения,информации и повышения чувствительности и быстродействия элемента, на поляризующийся диэлектрик нанесена аленка фото чувствительного полупроводника, к которойподсоединен управляющий электрод,