Способ электролитического осаждения

Номер патента: 394462

Авторы: Грибковска, Дмитриева, Илюшенко

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е 394462ИЗОБРЕТЕН ИЯН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик.% 1631344,23-26 СОЕДИНЕ)ГИЕХ зяяв Государственный комитет Совета Министров СССР оо делам изобретений Приоритет -Опубликована 22. К 621.357,7:669.018.7 (088.8) Бо,лстень М 3 и открыти та Опублконг) н 11 Он:гсгк:я .Х 11.1 Э 3 Авторыизааретени 1Л, ф, Ильюшенко, Л. Г. Грибковская н В, С. Дмитрие ститут физики твердого тела и полупроводников АН Белорусской ССР аявитель СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДТРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ПЛЕНОК НА ОСЖЕЛЕЗА И НИКЕЛЯ Изабретс:ие относигся к технологии получения трехкомпонентных пленок с полосовой доменной структурой, благодаря которой пленки могут использоваться для оптической заприон быстро протекающих процессов, в качестве управляемых дифракционных решеток, в голографии и т. д.Известен способ электролитическога Осяждегтия трехкох пане)нтных пленЭк. Одна ко ен не обеспечивает получения пленок с полосавой доменной структурой.Целью изооретения является получение трехкомпонентньх пленок с паласовой доменной структурой ня медных и других проводящих подложках прн комнатиой температуре. Это достигяется путем введения в сернокислый электролит различных Органческих добавок, содержащих серу, угглерод и т. д.Спосоо состоит в том, что трехкомпонентные пленки на основе железа и никеля осаждают из электролита, содержащего (в г/л):М 1504г НеО 70 - 280 Ге 504 Н 0 2 - 35 Соль третьего кокпонентя 1 - 30Буферный агент 0,5 - 66Органическую добавку 0,03 - 150 при комнагной температуре, рН электролита 1,5 - 4,7 и плотности тока 1 - 50 ла/см 2.В качестве органической добавки можно использовать серусодержащие добавки, напрн 1 ер сях;рин О,1- ,0 с/.г, норсульфазол 0,03 -0,3 Я/л; углерг)дсадержащие добавки, Ипримерер глюкозу 10 - -150 я/л, этиловый спирт1 - 30 лл/л. При добавлениями в электролит любой нз перечисленных добавок в соответствующем количестве и ведении процесса осажде 1,:,гя в укязянчгох режиме .получак)тся пленкии;)лосов)11,10)енной сгруктяэой, Осяждегиепроизводят ня медные;другие проводящие1 О подложки.Трехказгпонентные пленки с паласовой доменной структурой имеют следующие магнитные хярякте 1)1 ст:1 ки, измеренные при помощиферротестера: коэрцитивную силу И, 15 э,л поле насьпцсния Б, 100 - 200 э и относительную остаточную индукцию В, /В 0,3 - 0,8.П р и м е р 1. Из элекгролитя, содержащего,10. 120Глюкозу 9025 при игатности тока 15 1 а/схг, рН 1,7 и температуре 20 С осаждают железо-никель-кобальтовые пленки с полосовой доменной структурой,Пр и м е р 2. Из элекгролнтя, содержаще 30 га (в /л)).)5),. Оц. о 5)0) ко 51 5 ц)цвлцц 5 цвчс)о 5 втв, )г)црс)51 ц)ц ц кцц)кцГ )095 ов,ц ЕЗО 7 Н О 230 1 е 504 7 Н)О 10 Ха 2 МОО пНО 2 Ха С 1 1,1 СвН;О)Мав 66 Глюкозу 90 при плотности тока 15,1 а/с,2, рН 4,2:1 темаературе элект)ролита 20 С осаждают железо- никель-молибдепо)вые пленки с полосовой доменной ст)руктурой.Предмет изобрете;1;я 1. Способ злектрол)ити 1 еокого Осажден;1 трехкомпоиептиьх пленок иа основе железа и никеля на проводящую подложку пр 1 пронуск 11 иии электрического тока ге 1 эез серокислы злектролит, содержащий се)1 гиокпс,5 е железа и никеля, растворимую соль третьего копо 11 еита, буферный агент и органпческуо добавку, отлаюцшся тем, что, с целью получения пленок с полосовой дом.11 ИОЙ с Грукт ло,:, осаж;1 епие веду);), с 1, ркк .1;держапего в г,л.11 ЯО, 7 Н,О 70 .280ГеЯОН)О 2 - 35о Соль третьего компонента 13013 уфер 1 ый агент ОЛ - 66Оргаиическуо добавку 0,03 - 150пр; комнатной температуре, рН электролита1,5- 4,7 и плотности тока 1 - 50,а/см.о 2, Способ по п, 1, отличающийся тем, что икачеспве органической добавки используютглюкозу в количестве 10 - 150 г/л.3. Спгосоо по п, 1, отличающийся тем, что вкачестве орга 1 Ической добавки используОт) норсульфазол в количесгве 0,03 - 0,3 г/л.4. Спосоо по п. 1, Отличающийся тем, что вкачестве орга 11 И еской добавки используютзтиловый спирт в коляесгве 1 - 30 мл/л.5. Способ по и. 1, Отличающийся тем, что вкачестве органической добавки испОльзук)тгахарин ц количестые 0,1 - 2,0 г/.г.

Смотреть

Заявка

1631344

Институт физики твердого тела, полупроводников Белорусской ССР

Л. Ф. Ильюшенко, Л. Г. Грибковска, В. С. Дмитриева

МПК / Метки

МПК: C25D 3/56

Метки: осаждения, электролитического

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-394462-sposob-ehlektroliticheskogo-osazhdeniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ электролитического осаждения</a>

Похожие патенты