Электростатическая плита

Номер патента: 942150

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Баринов, Кимарский, Ковалдин, Кузовлев, Орликовский, Черняк

МПК: G11C 11/34, G11C 11/40

Метки: памяти, полупроводниковый, элемент

...которых соединены с эмиттерами транзисторов 4 и5, а катоды - с коллекторами.35Элемент памяти работает следующим образом.В режиме считывания информации равные токи считываниявтекают из разрядных шин б и 7 в элемент па 40 мяти. Предположим, что элемент памяти находится в состоянии, когда транзистор 5 насыщен и коллекторным током насыщает транзистор 1, Тогда транзистор 2 работает в нормальном45 активном режиме, но ток через него практически отсутствует, так как напряжение на-И-переходе эмиттербаза этого транзистора равно напряжению между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора 1. Транзистор 4 также работает в нормапьном активном режиме. Ток через диод 9 практически отсутствует, так как напряжение на диоде равно напряжению между...

Номер патента: 1355952

Опубликовано: 30.11.1987

Автор: Орлов

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, элементов

...в масштабе графики Г = Ч (1); Г = ч (1), и оба графика, совмещают. Точка пересечения обоих графиков определяет резонансную частоту Г . Краевую емкость С внутреннего проводника 7 измерительного коаксиального резонатора 1 определяют по формуле3о у х2.,1 зогде Е, - волновое сопротивление измерительного коаксиальногорезонатора 1, Измерение суммарной емкости С проводят при выбранном обратном напряжении на переходе. 35Затем полупроводниковый элемент 6 подключают к входу измерительного коаксиального резонатора 1, при этом коллекторный или эмиттерный вывоД СВЧ-транзистора соединяют с внутренним проводником 7, а вывод базы - с внешним проводником 8 и на переходе полупроводникового элемента 6 устанавливают рабочее обратное напряжение....

Номер патента: 56080

Опубликовано: 01.01.1939

Автор: Цикерман

МПК: G01L 13/02, G01L 19/06

Метки: герметическую, дифференциальный, заключенного, камеру, манометр, например, применением, сильфона, упругого, элемента

...что толщина врубки, ее материал, радиус плеча рычага а, усилие, развиваемое манометрическим элементом и т. д будут для каждой конструкции отличными) дает пучок прямых выходящих из начала координат, но имеющих различные углы наклона к оси абсцисс (фиг. 2).С другой стороны совершенно очевидно, что увеличение длины трубки 1. при данном коэфициенте С дает увеличение угла закрутки р. Однако увеличение длины трубки увеличивает габариты приборов и, следовательно, имеет определенные границы,Учитывая все вышеперечисленные обстоятельства, влияющие на увеличение угла закрутки , приходим к конструкции типа телескопических трубок (фиг. 3).Как видно из фиг. 3, путем введения одной трубки с 1 в другую и жесткого соединения их попарно между Таким...

Номер патента: 383124

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Астафьев, Думаневич, Крылов, Минаев, Ничуразов, Сутько, Учайкин

МПК: H01L 21/00

Метки: групповой, полупроводниковых, элементов

...полупроводниковыеэлементы 2. Очищающий реагент, напримервысокоомная депоннзованная вода, подается вкамеру 3, Из камеры 3 очищающий реагентнаправляется через отверстия 4 в полость 5 кассеты, а затем через направленные под углом кольцевые щели 6 непосредствеццо к полупроводниковому элементу 2.Над каждым полупроводниковым элеме;пом 5 благодаря внешнему экрану 7 в рабочей полости ячейки создается одинаковый уровень очищающего реагецта для всех ячеек. Таким образом, о 11 ннаю 1 ций реагент, попадая в камеру 3, ранимерно распределяется по поло сти 5 кассеты н цз нее равномерно подаетсяк полупроводниковых элементам, обеспечивая непрерывное и практически равномерное растворение примесей н нх унос одновременно и непосредственно от...

Номер патента: 489368

Опубликовано: 25.10.1975

Автор: Якоб

МПК: H02H 3/08

Метки: двухпроводных, защиты, перегрузки, полупроводниковых, цепей, элементов

...1, 2 и выходные 3, 4 зажимы устройства предназначены для под соединения соответственно источника питания и нагрузки (на чертеже не шэказаны).В сотельным проводом 12. В результате это- го основной ток проходит не через магнитную катушку, а через транзистор 10.В устройстве, показанном на фиг. 1, конец резистора 8, подключенный к кон тактам 6, соединен через диод 13 с основанием транзистора 10, а в устройстве, показанном на фиг. 2, вместо диода 13 включен транзистор. 14 с резисторами 15 и 16 в цепи его базы. 10Устройство работает следующим образом.По мере увеличения тока потребления напряжение на резисторе 8 возрастает и при достижении пробивного напряжения дио да 13 (см, фиг, 1) последний открывается и запирает транзистор 10. В...