Электронный ключ

Номер патента: 1081574

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Бингелис, Клебанский, Шпаков

МПК: G01R 31/26

Метки: крутизны, полевых, транзисторов, характеристики

...напряжения стока и нагрузка, параллельно которой вклю чена первичная обмотка трансформатора, во вторичной обмотке которого включен измеритель переменного напряжения 23Однако в известном устройстве 4 О необходима линейная характеристика усилителя переменного напряжения в большом диапазоне измерения амплитуд сигнала при значительном его усилениичто приводит к неудобству 45 измерения и снижению помехоустойчивости из-эа малого уровня выходного сигнала, обусловленного необходимостью выполнения условия малости сигнала, а также иэ-за наводок и пролеэаний амплитудного характера.Целью изобретения является увеличение помехоустойчивости.Указанная цель достигается тем, что в устройство для измерения крутизны характеристики полевых транзисторов,...

Номер патента: 235100

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Басиладзе

МПК: H03K 19/0948

Метки: динамический, инвертор, полевых, транзисторах

...цз обкладок запоминающего конденсатора 3. Сток входного транзистора 1 соединен с истоками нагрузочного транзистора 4 и проходного транзистора 5, затвор которого подключен к шине тактовых импульсов 6 и че. рез управляюгццй конденсатор 7 - к общей точке затвора нагрузочного транзистора 4 стока дополнительного транзистора 8; затвор последнего соеднен со входом 2 инвертора.Входной 1 и дополнительный 8 транзисторы включены по схеме с заземленным истоком 9 - выход д шамического инвертора.Динамические схемы на МОП-транзисторах позволяют реализовать лоиес сложныс схемы цифровых вычислительных машин иа малом числе элементов. Так, например, один разряд регистра сдвига состоит из двух последовательно соединенных инверторов, на входы тактовых шин...

Номер патента: 1559975

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Липшиц, Полторацкий, Родионов, Шелюхин

МПК: H01L 21/283

Метки: арсениде, галлия, затвором, полевых, сбис, создания, транзисторов, шоттки

1. Способ создания полевых транзисторов с затвором Шоттки для СБИС ЗУ на арсениде галлия, включающий формирование истоковых и стоковых областей, нанесение защитного слоя, вскрытие в нем окон с помощью фотолитографии, локальное окисление подзатворной области, удаление оксида, формирование металлизации затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя арсенида галлия, локальное окисление проводят методом термического окисления в атмосфере сухого кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, а удаление оксида проводят методом термического отжига в атмосфере водорода при 600...

Номер патента: 1559395

Опубликовано: 23.04.1990

Авторы: Смесова, Чукаев, Шаманаев

МПК: H03K 3/28

Метки: генератор, импульсов, управляемый

...ВЯ-триггераприсутствует напряжение, соответствующее логическому "0", так как на вхо"ды логического элемента ИЛИ-НЕ 6 подаются напряжения, соответствующиеуровню логической "1",Скорость заряда конденсатора изменяется в зависимости от управляющего напряжения и определяет регули 50руемый и нтер вал между импул ь сами.При появлении уровня логической"1" на К-входе КБ-триггера 1, триггер1 опрокидивается и на прямом выходепоявляется низкий уровень напряжения, 55что приводит к отпиранию ключаКонденсатор КС-цепи 3 начинает разряжаться. Так как напряжение, до которогозаряжается конденсатор, постоянно,то и время разряда конденсатора постоянно, а это обеспечит постояннуюдлительность импульса при изменениичастоты следования импульсов в зависимости...

Номер патента: 961104

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Курицкий, Марьясин, Поляков

МПК: H03K 3/00

Метки: генератор, импульсов, инфранизкочастотных

...его пластин 7 происходит с большой скоростью. В результате получается резкое изменение емкости датчика и возникает высокочастотный импульс с крутым передним фронтом. Задний фронт импульса получается пологим за счет возврата кулачка 4 в исходное положе-. 04ние, которое происходит в течение остальной части периода его вращенияОдна иэ пластин 7 конденсаторного датчика 6 связана с выходом источника 8 напряжения высокой частоты, ко" торый выполнен в виде экономичного высокочастотного генератора на одном транзисторе по трансформаторной схе" ме с последовательным колебательным контуром. Такая схема обеспечивает при высокой добротности контура выходное напряжение порядка нескольких десятков вольт. Частота источника 8 лежит в пределах 1-2...