H03K 19/0948 — с использованием комплементарных МОП-структур

Номер патента: 235100

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Басиладзе

МПК: H03K 19/0948

Метки: динамический, инвертор, полевых, транзисторах

...цз обкладок запоминающего конденсатора 3. Сток входного транзистора 1 соединен с истоками нагрузочного транзистора 4 и проходного транзистора 5, затвор которого подключен к шине тактовых импульсов 6 и че. рез управляюгццй конденсатор 7 - к общей точке затвора нагрузочного транзистора 4 стока дополнительного транзистора 8; затвор последнего соеднен со входом 2 инвертора.Входной 1 и дополнительный 8 транзисторы включены по схеме с заземленным истоком 9 - выход д шамического инвертора.Динамические схемы на МОП-транзисторах позволяют реализовать лоиес сложныс схемы цифровых вычислительных машин иа малом числе элементов. Так, например, один разряд регистра сдвига состоит из двух последовательно соединенных инверторов, на входы тактовых шин...

Номер патента: 405178

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Вител

МПК: H03K 19/0948

Метки: 405178

...гп входных транзисторов противоположного 10 типа проводимости, шину питания.Предлагаемый элемент отличается от известных тем, что в нем входные транзисторы подключены затворами к выходу первого и входу второго инверторов, истоками - к вход ным шинам элемента, а стоками - к выходу первого инвертора и через резистор к общей шине, причем исток нагрузочного транзистора первого инвертора подключен к дополнительной шине питания. 20Это позволяет повысить помехоустойчивость схемы путем создания неоднозначной передаточной характеристики с гистерезисом.На фиг. 1 изображена схема предлагаемого устройства; на фиг. 2 - передаточная харак теристика.Устройство состоит из инверторов 1 и 2, каждый из которого содержит инвертирующий 3 и 4 и...

Номер патента: 1817240

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Игнатьев, Неклюдов, Савенков, Темкин

МПК: H03K 19/0948

Метки: инвертор

...транзистора 9. После достижения выходным напряжением инвертора уровня, равного потенциалу шины 10 положительного напряжения питания минус пороговое напряжение базаэмит.жр биполярного транзистора 8, эмиттерный р-и-переход транзистора 8 закрывается и процесс заряда нагрузочной емкости выхода 12 инвертора до напряжения шины 10 завершает ток стока р-канального МДП-транэистора 3, канал которого соединяет выход 12 с шиной 10 положительного напряжения питания с самого начала переходного процесса до его завершения,При повышении напряжения на входе 11 инвертора от низкого логического уровня до высокого канал появляется у и-канальных МДП-транзисторов 4, 5 и исчезает у р-канальных МДП транзисторов 1,3. Вызванное этим йонижение потенциала...