Способ отделения гафния от циркония

,ф.Класс 12 п2178 ЕНТ НА ИЗОБРЕТЕ Е А П особа отде ирк га ния ноннмного Общества(1 Ч. 7. РЫ 11 рв 61 о андия, заявленному 14 исвид.519).ретателн ин-цы Д, К он-Хевези (б. акоп Не фабрик ламп нае 11 атпреп 1 аЬг 1 е 1 сеп), юля 1924 г. (ваяв. патенту ин-го А аливания Филипс" г, Эйндгофене, ГолСов 1 ег) стер (Рев 1),ействительные из выдаче патента опубликовано 31 января 1927 г. Действ распространяется на 15 лет от 15 сентября 1924 г,патента До настоящего времени был известен способ отделения гафния от циркония путем фракционированной кристаллизации раствора двойных фтористых соединений этих металлов.Предлагаемый способ отделения гафния от циркония основан на различной растворимости галоидных соединений гафния и циркония и ,различной упругости паров тетрагалоидных соединений этих элементов.Для разделения гафния от циркония предлагается цирконовую руду переводить в легко растворимую форму, например, обработкой серной кислотой - в сернокислое соединение, затем осаждать аммиаком и полученную водную окись растворять в соляной кислоте, При сгущении или при охлаждении последнего раствора хлористые соединения гафиия кристаллизуются почти без остатка, такие же соединения циркония - в большей своей части, примеси же, как, например,постоянно присутствующее хлорное железо - в совершенно незначительной степени. При повторении кристаллизации, количество гафния в кристаллах постоянно возрастает; в то же время эти кристаллы все более и более освобождаются от железа и других примесей. Таких же результатов можно достигнуть применением и других галоидоводородных кислот, а также и их смесей.Как пример применения кристаллизации для разделения гафния от циркония, можно привести следующее: 1 вес. часть окиси хлористого соединения циркония, содержащую гафний, растворяют при нагревании в 3 вес. частях концентрированной соляной кислоты и в 3 вес. частях воды, после чего раствор оставляют для охлаждения, вследствие чего происходит кристаллизация окисей хлорных соединений, которые более богаты гафнием, чем раствор. Полученные кристаллырастворяются в горячей воде, после чего раствор оставляется для охлаждения, что вызывает новую кристаллизацию названных соединений, содержащих большее количество гафния, чем полученные при первоначальном осаждении. Продолжая этот метод, можно достигнуть желаемой степени разделения гафния и циркония.Вместо того,. чтобы выделять окиси галоидных соединений этих металлов из раствора помощью охлаждения, можно производить отделение их из водных или слабо кислых растворов, прибавлением соответствующих концентрированных галоидноводородных кислот или соответствующего растворимого галоидного соединения, например, галоидного соединения кальция, или прибавлением спирта или иного осадителя. Полученный при этом осадок богаче гафнием, чем раствор; продолжая же работу по этому же методу, можно достигнуть желаемой степени разделения гафния и циркония.Так как растворимость окисей галоидных соединений гафния и циркония, в зависимости от концентрации галоидоводородных кислот, может достигнуть минимума, то осаждение можно производить прибавлением воды к раствору окисей галоидных соединений обоих металлов в соответствующей, сильно концентрированной, галоидной кислоте.Вместо того, чтобы подвергать дробной кристаллизации или дробному осаждению окиси галоидных соединений гафния и циркония, можно для разделения этих металлов исходить из смеси тетрагалоидных соединений, Эти соединения подвергаются фракцио- ( нированной возгонке, посредством ко-торой остающееся (не испариншееся) вещество является более богатым гафнием., так как пары тетрагалоидных соединений гафния обладают ( меньшей упругостью, чем пары таких, же соединений циркония. При жела-нии, тетрагалоидные соединения легкоперевести вновь в окиси галоидных со-единений растворением в воде, соот-ветствующей галоидноводородной кислоте, спирте и т. под., после чего раствор можно подвергнуть дальнейшей обработке по одному из описанных способов,ПРЕДМЕТ ПАТЕНТА.1. Способ отделения гафния от циркония, отличающийся использованием различной растворимости галоидных соединений гафния и циркония, кроме двойных фтористых,2, Прием выполнения способа, указанного в п. 1, отличающийся тем. что содержащую гафний галоидоокись циркония растворяют при нагревании в соляной кислоте и, оставляя раствор охлаждаться, вызывают выделение осадка галоидоокисей, более богатого гафнием, чем исходное галоидоокисное соединение.3. Прием выполнения способа,. указанного в п.п. 1 и 2, отличающийся тем, что для получения осадка галоидоокисей, обогащенного гафнием, водные или слабокислые растворы галоидоокиси циркония, содержащие гафний, разбавляют концентрированной галоидоводородной кислотой или раствором ее соли, или спиртом и ему подобными веществами, или же раствор, содержащий гафний и галоидоокиси циркония в крепкой соляной кислоте, постепенно разбавляют водой, с целью получения, как в этом, так и во всех вышеуказанных в этом пункте случаях, осадка более богатого гафнием, чем исходная галоидоокись.4. Прием выполнения означенного в п.п. 1 - 3 способа, отличающийся тем, что смесь тетрагалоидных соединений гафния и циркония сначала подвергают частичной возгонке, с целью полу чения возгона, более богатого цирконием, и остатка, более богатого гафнием, чем исходная смесь, а затем эти тетрагалоидные соединения растворением в воде, галоидоводородной кислоте, спирте и т. д. переводят в галоидоокисные соединения и подвергают дальнейшей обработке по п.п.2 - 3.