202874

Номер патента: 197525

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гольдштейн, Карпенко, Тресв

МПК: C30B 11/02, C30B 29/16

Метки: выращивания, кристаллов, магния, окиси

...от известных тем, что в качестве исходного сырья ис. пользуют магнезию, содержащую не менее 90 вес. % активной окиси магния, в которю в процессе гидратации вводят не менее 6 мол.% избыточной воды. При расплавлении шихты наплавляют блок расплава объемом це менее 0,2 л 1 з, с отношением высоты к диаметру от 1:2 до 1:1 и перегревают расплав на 20 - 100=С выше температуры плавления окиси магния,Проведение процесса выращивания кристаллов при указанных условиях дает возможность получать друзы оптически прозрачных металлов 50 лтл длиной и 25 - 30 млт диаметром в количестве 25 - 30 вес. % закристаллизованного блока, Кристаллы могут использоваться в полупроводниковой технике, и в радиоэлектронике и расчетной технике. Прп увеличении...

Номер патента: 96144

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Штернберг

МПК: C30B 7/02

Метки: выращивания, кристаллов, способа, этого

...1 НИ 51 кристаллов. Непрерывная работа установки обеспечивается тем, что каждая из форм снабжена охлддителем для переохлаждения раствора внутри этой формы при неизменной темперд гуре раствора в баке. На сертеже схематически предслч 1 всена конструкция предлагаемой установки в двух проекциях,Выращивание кристаллов осуществляется в разборных формах 1, погруженных в бак 5 с ненасыщенным раствором 3. Для выращивания блоков заданного размера или пластинок определенной толщиныЛ" 9 б 144 11 р од к сн зобретения тв. редактор Г. А, Лапушки тандартгиа. Подп, к печ, 4/1-1957 г. Объем 0,125 и. л, Тираж 250. Цена 25 коп Гор. Алатырь, типография2 Министерства культуры Чувашской АССР. Зак. 3998 формы 1 могут бьп ь разделены редкими нли частыми пг...

Номер патента: 1657946

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Гукасов, Ильин

МПК: G01B 11/06, G02B 27/60

Метки: ионной, процесса

...обработки остается плоским.,Лругая поверхность 7 свидетеля 5 подверга 5 ется обработке одновременно с поверхностью детали, при этом часть поверхности 7 экранируют неконтактной пластиной 9, которую располагают на расстоянии 0,5-5,0 мм от поверхности 7 свидетеля 5 так, что кромка пластины 9 ориентирована параллельно ребру .клина свидетеля 5.В исходном состоянии афронт волны, отравленной от поверхности 7, тоже плоский, В процессе обработки на поверхности 7 Формируется ступенька, величина которой отражается на Форме волнового фронта и соответственно на наблюдаемой интерференционной картине. В поле зрения окуляра 8 происходит искривление полос равной толщины на величину И, пропорциональную глубине травления неэкрани ронанной части...

Номер патента: 933718

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Найдек, Петров, Синица, Ткаченко

МПК: C21C 1/00

Метки: магнием, металла

...образом.Перед вводом вставки в расплав35нижний ее срез устанавливается науровне нижнего торца трубы. Затемот источника сжиженного газа по(трубопроводам подводится к патруб"ку в крышке футерованной трубы сжиженный инертный газ. Проходя по пазамна боковой поверхности вставки сжиженный газ охлаждает саму вставку .и трубу, сам частично газифицируется45и выдувается с нижнего торца трубы.Вставка с пазами на боковой поверхности отличается простотой изготовления по сравнению с пористойПри погружении трубы со вставкойв металл на заданную глубину за счеттермоиэоляции трубы и охлаждения боковой поверхности вставки сжиженнымгазом плавление и испарение ее про"исходит только с торцевой части.Вставка во время ее оплавленияи испарения перемещается...

Номер патента: 482499

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Житник, Залевский, Кармазин, Курдюков, Левин, Мачикин

МПК: C21C 1/00

Метки: магнием, металла

...6 и 7, Сверху желоб накрывается крышками8 и 9, одна из которых соединена с трубопроводом для подачи магния и образует испарительную камеру, а вторая соединена с вакуумнасосом и образует вакуум-камеру для обра 10 ботки металла, В верхней части вакуум-камеры установлена емкость 10 для конденсациинепрореагировавших паров магния,В желоб 2 подают металл и включают вакуум-насос и подачу магния. Так как уровень15 порогов 6 и 7 выше уровня отверстий под перегородками 4 и 5, уровень чугуна в вакуумкамере будет повышаться. Благодаря этому,степень усвоения паров магния, проходящихчерез слой металла в вакуум-камере будет20 улучшаться; чем выше уровень металла в вакуум-камере, тем большее усвоение магнияможно ожидать, причем высота чугуна в...