Способ измерения параметров плазмы
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
194988 ОПИ САНИ ЕИЗОБВЕТЕ Н ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Свес Советских Социвлистических рвспурликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 01.Ч 11,1966 ( 1087177/26-25)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 21,Х.1971. Бюллетень28Дата опубликования описания 15.Х 1.1971 МПК Н 051 т 1/00 Комитет но делвм ивоОретений и открытий ори Совете Министров СССРЗаявитель СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПЛАЗМЫ Изобретение относится к способам измерения параметров плазмы, в частности, к способам определения функции распределения ионов плазмы по скоростям с помощью зондирования плазмы пучком нейтральных атомов.Зондирование плазмы пучком нейтральных частиц позволяет измерить целый ряд параметров (плотность, степень ионизации и др.) путем измерения ослабления пучка при прохождении через плазму.Известны спектроскопические, зондовые и другие методы, позволяющие определить функцию распределения ионов в плазме по скоростям. Однако каждый из них имеет определенную область применения.Данный метод дает возможность определить функцию распределения ионов (а также ионную температуру) в заданном достаточно малом элементе объема, занятого плазмой. Это дает также возможность измерить распре. деление ионной температуры по сечению плазмы. Метод является бесконтактным и может быть применен при наличии магнитных полей в плазме,Сущность предлагаемого метода заключается в следующем.Известно, что при упругом рассеянии частиц, налетающих на неподвижные частицы, потеря энергии зависит только от соотношения масс частиц и угла рассеяния. В этом случае энергетическое распределение частиц, рассеянных на определенный угол, представляется в виде узкой линии, сдвинутой на некоторую величину относительно энергии на летающих частиц. Наличие упорядоченногодвижения частиц-мишеней должно, приводить к расширению линии, в частности, беспорядочное тепловое движение приводит к расширению энергетического распределения рассе янных частиц. Измерив экспериментальноэнергетическое распределение частиц, рассеянных на некоторый фиксированный угол, и зависимость сечения рассеяния от угла, можно найти функцию распределения частиц в 15 плазме. Нетрудно получить соответствующиеформулы, связывающие, например, Полуширину энергетического распределения рассеянных частиц на данный угол с температурой ионов в плазме.20 Для исследований указанным методом водородной плазмы предлагается инжектировать в плазму узкий монокинетический пучок атомов водорода. Для получения атомных 25 пучков можно использовать известные приборы, которые используются для зондирования плазмы.Расчеты показывают, что описываемый способ позволит определить функцию распреде ления ионов плазмы при их средней энергии,Составитель Б, КононовТехред Л. Евдонов Корректор А. П. Васильева Редактор Джарагетти Заказ 3165/1 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 превышающей 20 эв, при плотностях плазмы,лежащих в пределах 10" - 10" ионов/смз. Предмет изобретения1. Способ измерения параметров плазмы путем зондирования плазмы моноэнергетическим пучком нейтральных атомов, отличающийся тем, что, с целью определения функции распределения нонов плазмы по скороса ям, измеряют энергетическое распределение атомов пучка, рассеянных на определенный угол.2. Способ по п. 1,.отличающийся тем, что, с 5 целью упрощения обработки результатов измерений, для зондирования плазмы используют атомы того же вещества, из ионов которого состоит плазма.
СмотретьЗаявка
1087177
А. И. Кисл ков, Физико технический институт А. Ф. Иоффе
МПК / Метки
МПК: H05H 1/00
Метки: параметров, плазмы
Опубликовано: 01.01.1967
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-194988-sposob-izmereniya-parametrov-plazmy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения параметров плазмы</a>
Способ изготовления трансформаторов с распределенными параметрами
Номер патента: 164892
Опубликовано: 01.01.1964
Авторы: Всесою, Грохольский
МПК: G01R 17/12, H01F 21/12
Метки: параметрами, распределенными, трансформаторов
...цих уложилось десять витковжгута. При первом обходе сердечника по периметру наматывают К витков, укладывая цхна границах указанных участков. После намотки К витков от одного цз проводов делают отвод, а после намотки 9 К витков делаютотвод от любого другого провода. Обмоткузаканчивают, намотав 10 К витков, оца содержит 30 элементарных обмоток по 10 К витковв каждой, равномерно расположенных цасердечнике.Обмотки, служащие для получения заданных плечевых отношений, получают последовательным соединением десяти элементарныхобмоток, а генераторную пли измерительнуюобмотку можно получать последовательным,параллельным или последовательно-параллельным соединением также десяти элементарных обмоток,Соединение делают так: находят элементарную...
Структура с распределенными параметрами
Номер патента: 314239
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Дмитриев, Кутлин, Меркулов
МПК: H01G 5/00
Метки: параметрами, распределенными, структура
...с распределенными параметрами, состоящая из диэлектрической подложки и нанесенных на нее в одной плоскости резистивной и проводящей пленок, не позволяет получить крутизну спада амплитудно-частотной характеристики более 7 дб на октаву.В предлагаемом устройстве для улучшения амплитудно-частотной характеристики резистивную и проводящую пленки выполняют с переменной шириной,На чертеже представлена конструкция предлагаемой КС-структуры с распределенными параметрами.КС-структура состоит из двух полосок с изменяющейся вдоль структуры шириной, где полоска 1 - резистивная пленка, а полоска 2 - проводящая пленка. Обе пленки нанесены па диэлектрическую подложку 3 с высокой диэлектрическои пронпцаемостью. Избирательность предлагаемой...
Способ изготовления rc-структур с распределенными параметрами
Номер патента: 329691
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Бондаренко, Васильева, Туфлин
МПК: H05K 3/14
Метки: rc-структур, параметрами, распределенными
...менее 300"С. 15 Спосоо изготовления КС-структур с расппеделенными параметрамп, основанный на осаждении и аиодироваиии танталовой пленки, термообработке в вакууме полученной си.стсмы тантал - пятиокись тантала и последу)ощея) напылении верхнего металлического электрода, отлпчаюцийсл тем, что, с целью ,)дсширспия фуикцпоиальиь)х возможностей 25структур, в качестве материала верхнего электрода ипользу)от высокоомный резистивный сплав, например металлосилицидньш сплав, напыляемый со скоростью не более, чем 30 1сек. Изобретение относится к технолог:и производства элементов радиоаппаратуры и может быть использовано в различных устройствах в микромиииапориом иполиеишьИзвестен способ изготовления ЯС-структур с распре;слснными и)раметрами,...
С-структура с распределенными параметрами
Номер патента: 337829
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Брук, Грибовский, Ейн, Терентьев
МПК: H01C 7/18, H01L 49/02
Метки: параметрами, распределенными, с-структура
...характерны невысокая надежность диэлектрического слоя, плохая повторяемость н ограниченный диапазон номиналов 1 и С, длительный цикл разработки и изготовления.Цель изобретения - расширение диапазона объемного сопротивления и увеличение удельной емкости ЛС-структуры,Это достигается тем, что йС-структура выполнена в виде полнкерамического твердого тела, у которого в качестве резистивного слоя использована керамика на основе смеси окислов металлов, например цинка, кадмия, меди, а в качестве диэлектрического слоя - керамика и на основе титанатов металлов, например бария, кальция.На чертеже представлена РС-структура с распределенными параметрами,Распределительная ЯС-структура состоит из резистивного 1, диэлектрического 2 второго...
Rc-структура с неоднородными распределенными параметрами
Номер патента: 361474
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: H01C 7/18, H01G 4/40, H01L 49/02
Метки: rc-структура, неоднородными, параметрами, распределенными
...как вдоль длины ГсС-структ параметром является тольк емкость. С целью увеличения рактеристик, па резист ры нанесена укорочепн которая образует допо цое сопротивление и дл пе диэлектрической п цад цей. На чертеже изображена схема КС-структуКС-структура содержит резистивный слой 1, диэлектрические пленки 2, 3, проводящие пленки-обкладки 4 и 5 и дополнительную резистивную пленку б, расположенную между слоем 1 и диэлектрической пленкой 3.Дополнительная укороченная резистивная пленка 6 уменьшает удельное сопротивление слоя 1 на участке перекрытия, что приводит к образованию по длине неоднородности резистора КС-структуры, причем чем больше неоднородность, тем выше крутизна частотных характеристик КС-структуры,5 Крутизна частотных...
Предыдущий патент: Способ измерения естественного переменного магнитного поля земли
Следующий патент: Ускоряющая система для синхротрона
Случайный патент: Цифровой телевизионный приемник