Способ нанесения диэлектрических пленок

Номер патента: 128009

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Крыжановский, Кузнецов

МПК: C03C 17/22, G02B 1/10

Метки: диэлектриках, пленок, полупроводниковых

...топкий слой окиси молибдс:н;. Деталь с этим слоем:Одверга 1- ют затем термической обработке, в атмосфере сухого водорода прп 370 - 500.М 128009 П р сдмет из о бретени я Применение трехокиси молибдена для получения на диэлектриках полупроводниковых пленок, прозрачных не только в видимой, но и в инфракрасной области спектра, путем термообработки в атмосфере водорода диэлектриков, например, оптических деталей, покрытых слоем пятихлористого молибдена, нанесенного из раствора в сухом этиловом спирте, или непосредственно слоем трехокиси молибдена путем испарения последнего в вакууме,Комитет но делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор и. И. Мосин Гр. 145Информационно. издательский отдел.Объем 0,17 и. л. Зак. 2382...

Номер патента: 1154003

Опубликовано: 07.05.1985

Авторы: Клейменов, Ковалева, Крашенинников, Проневич, Шершнев, Яромицкий

МПК: B05C 3/12

Метки: диэлектрика, длинномерный, материал, нанесения

...достигается тем, что устройство для нанесения диэлектрика на длинномерный материал, включающее теплоизолированную плавильную емкость, нагревательные элементы для ее нагрева, установленные в дне плавильной емкости с воэможностью возвратно-поступательного перемещения, направляющие трубки и соосные им выходные фильеры, снабжено механизмом перемещения и Фиксации направляющих трубок, выполненным в виде закрепленной на плавильной емкости поворотной рукоятки и шарищто на ней закрепленного рычага, соединенного с направляющей трубкой посредством фиксатора.На фиг.1 изображено предлагаемое устройство, вертикальный раэУстройство включает плавильную емкость 1 с крышкой 2 и днищем 3, которое крепится на станине 4 с помощью кронштейна 5 и винтов 6....

Номер патента: 947688

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Ханжин, Яковлев

МПК: G01N 3/00

Метки: металлическую, нанесенной, пленки, подложку, прочности

...В процессе деформированияматериал подложки упрочняется и О,предел текучести повышается. Однако947688 формула изобретения 30 Составитель М. Кузьмин Техред М. Надь Корректор М. Шарошн Редактор М. Янович Тираж 887 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Заказ 5620/64 филиал ППП 1 Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 это увеличение ограничено предель-, ным значением предела текучести, после достижения которого увеличение деформации уже не вызывает существенного увеличения напряжения. Этот факт используется при последующем совместном деформировании подложки и пленки, когда предел текучести не изменяется и остается равным предельному значению...

Номер патента: 1033853

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Кайбин, Калнин, Кулешов

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрической, нанесенной, пленки, подложку, проводящую, толщины

...натянута полимерная пленка с металлнзированным покрытием, Цилиндр заполнен жидкой средойили тонкой суспенэией, давцение которойрегулируется, благодаря чему может бытьплавно изменена пластичность электрода,чтопозволяет контролировать неравномерное по",крытие с особо шероховатой поверхностью Я.Однако выполнение электрода емкостного преобразователя из металлцолимерного композиционного материала не позволяет измерять толщину диэлектрическогопленочного покрытия, меньшую чем 35 мкм на неболыцих участках поверхности,площадь которых не превышает десятыхдолей квадратного сантиметра.Целью изобретения является повьццениеточности измерения толщины тонких пленок порядка О, 015 - 3 мкм с большой50пористостью и повышение степени локааности...

Номер патента: 1280311

Опубликовано: 30.12.1986

Автор: Альперович

МПК: G01B 11/06

Метки: нанесенных, пленок, подложку, толщины, тонких

...Результатвзаимодействия лучей, отраженных отформула из обр ет енияверхней и нижней поверхностей пленки 4 О1, регистрируется устройством 6. При;измерении изменяют длину волны интерферирующих лучей и фиксируют зна,чения длин волн, соответствующиедвум соседним максимумам или минимуВыполнение пластинки клиновидной 35 дает возможность исключиь ияниена результат измерений засветки, вызываемой отражением от верхней поверхности. Способ измерения толщины тонкихпленок, нанесенных на подложку, за"ключающийся в том, что освещаютконтролируемую пленку пучком инфра 45 красного излучения, наблюдают интер" Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения толщины пленок,прозрачных в инфракрасной...