Способ контроля толщины последовательно наносимых на подложку слоев диэлектрикови металла

Номер патента: 526768

Опубликовано: 30.08.1976

Авторы: Кацнельсон, Фурман

МПК: G01B 11/06

Метки: детали, изготовлении, оптического, покрытия, слоев, толщин

...производят при напылении слоя на уже готовую систему слоев.Непосредственно на деталь наносят первый простой диэлектрический пропускающий интерференционный фильтр к-го порядка, состоящий из двух одинаковых многослойных зеркал, разделенных слоем диэлектрика. Зеркала представляют собой двухкомпонентные системы из чередующихся непоглощающих слоев диэлектриков с высоким и низким показателями преломления, оптические толщины которых равны между собой. Оптическая толщина разделительного слоя в 2 к раз больше оптической толщины слоев зеркал.О том, что оптическая толщина достигла требуемой величины, делают заключение, регистрируя минимумы светопропускания для слоев с высоким показателем преломления и максимумы - для слоев с низким показателем...

Номер патента: 1670384

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Адамян, Барсегян, Паносян, Чибухчян

МПК: G01B 11/06

Метки: диэлектрического, поверхности, полупроводника, слоя, толщины

...О =(1/2 а) п(ЙЙ 1 - 2 Й 1 1)Й 2/(Й - Й 1, где Й = (и - 1)/(п 11)2, Й 2 = (п 2 - п 1)/п 2п 1)1, определяют толщину б контролируемого диэлектрического слоя. 1 ил.С Облучают контролируемый образец пуч- О ком монохроматического света с длинойволны, для которой выполняется условие С) 1 а( 10 см,где а - коэффициент поглощения (р,) материала диэлектрического слоя, измеря- (ф ют интенсивность Й света, отраженного от ф поверхности диэлектрическо о слоя, коэффициент а поглощения, показатели п 1, п 2 преломления материалов диэлектрического слоя и полупроводника, соответственно, вычисляют коэффициенты Й 1 и Й 2 отражения от диэлектоического слоя и границы диэлектрик/полупроводник, соответственно с оомощью выражений1670384 и определяют...

Номер патента: 1727487

Опубликовано: 30.07.1994

Автор: Любашов

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретоковых, градуировки, имитатор, металлических, покрытий, слоев, толщиномеров, толщины

ИМИТАТОР ТОЛЩИНЫ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ ДЛЯ ГРАДУИРОВКИ ВИХРЕТОКОВЫХ ТОЛЩИНОМЕРОВ ПОКРЫТИЙ, содержащий основание в виде прямоугольного параллелепипеда с отверстиями на рабочей поверхности и имитирующие элементы, размещенные в отверстиях заподлицо с рабочей поверхностью, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности при имитации электропроводных многослойных покрытий с верхним слоем, имеющим электропроводность, существенно большую, чем электропроводность нижних слоев, имитирующие элементы выполнены из различных электропроводных материалов с толщиной, большей глубины проникновения электромагнитного поля вихретокового толщиномера в данный материал, электропроводность материала каждого имитирующего элемента выбрана соответствующей...

Номер патента: 901890

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Водотовка, Глазков, Скрипник

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрических, толщины

...измеренной величине приращения частоты электромагнитных колебаний, обеспечивающей равенство разности фаз электрромигНитных волн, распределяюшихся по 5различным каналам во времени и в пространстве, при известных и постоянных/значениях Со, 1, Сиопределяется толщина контролируемого материала 7. 1 ОУстройство работает следующим образом.Сигнал СВЧ генератора 1, стабилизированного по частоте, через управляемыйдвухпозиционный переключатель 2 поступа ет на вход трехканального разветвителя3, На один вход фазового детектора 4поступает сигнал, прошедший через измерительную ячейку, образованную излучающей и приемной антеннами 5 и 6, например, логопериодического типа, между которыми помещен контролируемый диэлектрический материал 7, а на второй...

Номер патента: 292057

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Денискин, Трахтенберг, Хорев

МПК: G01B 7/06, G01N 27/90

Метки: amp, ipaf, ir-i, »»ч11гг, диэлектрических, нднбчвлю-ека, озная, покрытийв, толщины

...Об 1)язол.Няпряэксппс 1 з пр(смпых сстушксх 9, 11 датии 1 8 Н 1)п Отс тсвнп Око,н) НСГО пэ(э 30 д 51- ЦСО ЛСс 1(1,1 с КОЛ П(.ПСП 1)УЕТС 51 КОЛи(ССГ 01)Я - Ыи 4, д. ВПОСИЛ 10 С Пс 1 П 1)5 ЖЕППС) С ПЭИСЛ 1 НОЙ Кс 1- ТЛПКИ 9 ОО,ЬП 1 СГО дис 1 Л 1( 1)с) ЧС 1)СЗ Л И П ГС Ь О ПО.сС ). 5 П )ХОДЫ фс.)(,Ч) Б ТБПС, П)ПЬХ С ГСКТ(1)013 .1, 20, ОдП П;3 СОТрьХ ПсСТ 1 ЭОСП Б (рсзс с 3 Око ы )30:30 лждс 1 юпсЙ кс 1 тлпп(п Э,зтчи- КЯ 1, с,1)Л(ЭП В К)сД 1)сГ 3 1)С С Ппл.С)сЗС)сУСТП С(П)ПЬС;СГСК Г(11)Ь 1 19, 50 Пс 1 С Г 1)сивс 10 С 5 фс:30 врс 11,;1 ТСГ 5 ЫИ 6, 7. В 1)с;),ПТс- ТС ПсСГ)Р)011 КП СЛЗЛЛсТР .СЛЛЛ 11 РЛС 1 Д)с 1 с- Н 1)51 жси И 5;, Одпо пз сот 01) ь х и ропорппэп Ял ьпо ДСПСБПТ(.;ППО 1, с Д)ЭЛО(. Л 111)1031 СОСТс 13,ЯОПСЙ БОСПМ 010 ПЯ 11)5 ЖСПЯ...