Оптически управляемый транспарант

(51)5 С 02 Г 1/135 ГОС ДПО 30ПРИ П АРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТБРЕТЕНИЙМ И ОЩРЦТИЯМУНТ СССР ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(57) чес осн ком кре пар про пре сис и о тич шен уме опт (ОУ на сен пол хал 4476647/24-2522.07,8823.11.90. Вюл. У 43Ф.Л.Владимиров, И.Е.Моричев,летнева и Т.О.Решетникова535.8(088.8)Васильев А.А. и др. Пространсте модуляторы света. М.: Радиоэь, 1987, с. 142-145.П, 1982 У 11, с. 24-27. ОПТИЧЕСКИ УПРАВЛЯЕМЬЙ ТРАНСНТИзобретение относится к оптин управляемым транспарантам на ве структуры фотопроводник-жидзобретегие относится к оптичесприборостроению, а более конно к оптически управляемым транснтам на основе структуры фотоодник-жидкий кристалл (фп-жк) назначенным для использования в емах обработки, преобразования ображения информации.ель изобретения - улучшение опского качества эа счет уменья фазовых неоднородностей и ьшение брака при иэготсвлении чески управляемых транспарантов )а чертеже представлена схема ОУТ. УТ имеет две подложки 1.1, 1.2, нутрЕнние стороны которых нане- прозрачные проводящие покры 2.1,2,2. Между подложками расжены: дополнительный слой 3 из когенидного стекла, слой 4 фо,801608610 А 1 кнй кристалл, предназначенным для использования в системах обработки,преобразования и отображения информации, Цель изобретения - улучшениеоптического качества за счет уменьшения фазовых неоднородностей иуменьшения брака при изготовленииоптически управляемых транспарантов.Для этого между подложкой и слоемхалькогенидного стеклообраэного полупроводника дополнительно введенслой халькогенидного стекла системыселен-сера-мышьяк-германий, обладающий повышенной адгеэией к подложкеи фотопроводникам системы селенмышьяк. 1 ил. топроводника-халькогенидного стеклообразного полупроводника (ХСП), слой5 жидкого кристалла, ориентирующиепокрытия 6.1, 6.2 и диэлектрическиепрокладки 7.1, 7.2. Поскольку дополнительный слой имеет малую толщину0,05 мкм, а по проводимости согласован с проводимостью фотопроводника, его наличие не сказывается наэлектрических параметрах транспаранта. Наличие дополнительного слоя состава сера-селен-мышьяк-германий, например ИКС, существенно повышает адгезню слоев ХСП системы селенмышьяк к слоям Тп ОЗ и ЯпО, образующим проводящие покрытия 2.1, 2.2, из-за чего существенно повышается оптическая однородность .по рабочему полю иуменьшается брак при иэготов -1608610 Составитель А.Парфенов Редактор С.Патрушева Техред Ко ррек то р Л, Бе скидТираж 468 П венного комитета по изобретениям и 113035, Москва, Б, Раушская наб дписно аказ 3615ИИПИ Госуда крытням пр: ГКНТ СССР ат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,10 Производственно-издательский ком ленни ОУТ с, 60 до 203, что в свою .очередь уменьшает расход материалов (подложки, ХСП, ЖК).Оптически управляемый транспарант работает следующим образом.5К прозрачным проводящим покрытиям 2,1 и 2.2 прикладывается постоянное напряжение. Сопротивление слоев 4 и 5 выбрано так, что в отсутствие записывающего излучения большая часть приложенного напряжения падает на слое 4, а часть напряжения, падающая на слое 5, меньше порогового напряжения используемого электрооптического эффек 5 .та. При проецировании на слой 4 изображения его сопротивление изменяется, зызывая .перераспределение приложенного напряжения. Когда .напряжение на слое жидкого кристалла достигает порогового напряжения, возникает тот или иной электрооптический эффект, локально изменяя его оптические свой ства. Считывающий свет, к которому ФП нечувствителен, модулируется в со ответствии с входным изображением, что позволяет осуществить преобразование входного изображения из некогерентного в когерентное, из оцной . спектральной области в другую и т.д,Измерение .характеристик реализованных ОУТ с дополнительным слоемхалькогенидного стекла марки ИКСпоказано, что предлагаемое устройство имеет высокую чувствительность-7 210 Вт/см, разрешающую способность 100 пар лин./мм, высокое оптическое качество и может быть использовано в системах когерентно-оптической обработки информации. Формула изобретенияОптически управляемый транспарант, содержащий слои халькогенидного стеклообразного фотопроводника системы селен-мышьяк и жидкого кристалла, заключенные между двумя диэлектрическими подложками с прозрачными проводящими покрытиями на основе Хп 0 "БпО, нанесенными на обращенные к фотопроводнику и жидкому крис" таллу етороны подложек, о т л и - ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения оптического качества эа счет уменьшения фазовых неоднороднос" тей и уменьшения брака при изготовлении оптически управляемых транспарантов, между слоем халькогенидного стеклообразного полупроводника и прозрачным проводящим покрытием на подложке дополнительно введен слой халькогенидного стекла системы селен-сера-мышьяк-германий.