Способ записи информации в элемент памяти на -канальном моп-транзисторе (его варианты)

Номер патента: 953732

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Кильметов, Краснопольский, Механцев, Переверзев, Сухоруков

МПК: H03K 19/094

Метки: инвертор, переходом, полевых, транзисторах, управляющим

...Переверзев н А., И. СухоруксЬ3 98 твор 1 гранзистора 1 через 3 -диод 7 в обратном включении подключены к входной шине 8. У дополнительног введеннсго бипспярного транзистора 9 км- . лектор подключен к выходной шине 3, эмиттер - к общей шине 4, а база- к управляющему затвору 3 -гранзистора 1.Устройство работает следуккцим образом.В исходном состоянии сигнал на входно шине 8 отсутствует, ее потенциал равен потенциалу общей щнны 4,-диод 7 оькрыт, затвор 3 -транзистора 1 подвпочен к входу, имеющему нулевой потенциал, поэтому Я -гранзистор 1 закрыт. В то ж время 3 -транзистор 2 открыт, а 3- диод 6 закрыт, и поэтому ток через прямосмещенный переход полевого транзистора-транзистора 2 не протекает. При этом на выходной шине 3 формируеъ ся...

Номер патента: 326641

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Карахан

МПК: G11C 11/00

Метки: моп-транзисторах, памяти, ячейка

...с подложкой.Периодическое открывание транзистора Т создает цепь под аряда конденсатора С, вход Ф 1, конденсатор С, транзистор Ть конденсатор С, земля. Одновременно открывается транзистор Т . Однако конденсатор С, зарядиться не может, так как он зашунтирован открытым транзистором Т.Таким образом, периодически медленно изменяющееся напряжение на входе Ф, дает возможность поддерживать заряд конденсатора С ца необходимом уровне, а так как отсутствует делитель сопротивлений, подключенный к источнику питания, то отсутствует связанное с ним рассеяние энергии,326641 Составитель М. ЗиминаТехред 3. Тараненко Редактор Л. Утехина Корректор А, Васгльева Заказ 513112 Изд.107 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете...

Номер патента: 1631606

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Груданов, Сидоренко, Хоружий

МПК: G11C 17/00, G11C 7/00

Метки: авторегулируемый, записи, запоминающих, кмоп-транзисторах, постоянных, программируемых, устройств, формирователь, электрически

...5 модуляции стокового напряжения записи уменьшается до величины, при которой через транзистор 5 на сток транзистора 8 с плавающим затвором передается напряжение, равное напрякению лавинного пробоя р-и-перехода стоковой области, Одновременно напряжение с коллектора транзистора 11 подается на шину 14 выходного сигнала, которая соединена с затвором соответствующих ключевых транзисторов (идентичных транзистору модуляции стокового напряжения записи), которые обеспечивают передачу через последующие цепи дешифрации столбцовых шин на сток выбранных ячеек памяти накопителя напряжения записи, равного по величине напряжению, воздействующему на сток транзистора 8 с плавающим затвором. Таким образом, стоковое напряжение записи ячеек памяти...

Номер патента: 697937

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Тальнова, Хцынский

МПК: G01R 31/26

Метки: моп, напряжений, пороговых, транзисторов

...эталонный резистор, одним выводом соединенный с общей шиной, а другим - с истоком транзистора и инвертирующими входами двух компараторов напряжения, к неинвертирующим входам которых подключены два ис точника опорных напряжений, выходыкомпараторов напряжения через схемыформирования импульсов управлениясоединены с аналоговыми ключами. Такое устройство позволяет иэмерять как пороговые напряжения МОПтранзисторов с индуцированным каналом, так и напряжения отсечки полевых транзисторов с встроенным каналом, причем не только в режиме насыщения, но и в ненасыщенной области,а также независимо от длины каналатранзистора.На чертеже изображена блок-схемапредлагаемого устройства,Устройство содержит генератор 1низкой частоты, клеммы для...

Номер патента: 287629

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: H01L 29/78

Метки: моп-структурой, полевой, транзистор

...т,)П 1 2 В тО:)1 с,1-ае, с.;П 1 "12.етР пс 13 ехода10 я)пОДлох)к ОбразОВ 212 13 к,рсмн 15сопротпвлсп)псм - 1 О 0),)1,сзхГсл 11 разность и,)тспцпсло) мс: д) затв)ро.1 под;ОжкОй10 и 10 Гд 2 сопротпВлснпе бу.30;1 ет П 01)я)дка 10 - 1)0.)1, и эта Г)ел 1 чппг со287629 Фи ЯСоставитель О. Б, федюк едактор Л, Герасимова Корректор Л. А. Царько аква 0075,10- - 70 г. Тираж 480 Подписное1 И 11111 Комитета но делам ивооретений н откргктнй нрн Совете Министров СССРМосква, К.зо, 1 аушскав най, д. 4/о нгральна тнографнв МО противления достаточна в больгшшстве случаев для входного сопротивления для транзисторов с такой структурой. Транзистор прн отсутствии повреждения или пробоя окисной изолилирующей пленки может свободно функционировать в качестве...