Патенты с меткой «моп-транзисторе»

Номер патента: 1287231

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Свердлов, Соскин

МПК: G11C 11/40

Метки: варианты, его, записи, информации, канальном, моп-транзисторе, памяти, элемент

...электронов из объемной части истокового р-и перехода в объем подложки, В результате концентрация электронов в подложке транзистора возрастает.Эти электроны, попадая в ОПЗ, созданную затвором под каналом транзистора, увлекаются полем к поверхности, приобретая энергию, достаточную для преодоления барьера между крем,нием и окислом.Процесс инжекции из подложки происходит при меньших потенциалах ижектирующей области, чем инжекция иэ канала. Поэтому плавающий затвор при таком процессе получает больший заряд, что ведет к большему сдвигу порогового напряжения, т.е. более эффективной записи.Вторичный пробой стокового р-и пе рехода транзистора может быть вызван различными путями: увеличением стокового напряжения при записи; подачей на...