Покрытие внутренней стенки разрядной камеры термоядерной установки

(19) 0) 4 1/00 ИЗОБРЕТ 13,ЬИв МЮ ВА ОПИСАН НИЯ СССВ 985. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ВТОРСКОМУ Сви ТЕЛЬСТВ(56) Авторское свидетельство В 1157971, кл. 0 21 В /00, 17,Р.Соай, 1.М.Мс СгасКеп е 1 а 1. Ргос. 12 Ецг, СопГ. оп Бцс 1. Ре.йапй Р 1 авша РЬуэ, Вцйарез 1, ч, 11,571-574.54) ПОКРЫТИЕ ВНУТРЕННЕЙ СТЕНКИ РАЗРЯДИОЙ КАМЕР 1 ТЕРМОЯДЕРНОЙ УСТАНОВКИ (57) Изобретение относится к термоядерной энергетической технологии и может быть применено при создании устройств управляемого термоядерного синтеза с магнитным удержанием, использующих ионно-циклотронный нагрев плазмы, в частности токамаков и стеллараторов, Цель изобретения - повышение эффективности покрытия внутренней поверхности разрядной камеры путем повышения предельного уровня вкладываемой в разряд мощности ионно-циклотронного нагрева плаз" мы. Покрытие внутренней стенки разрядной камеры выполняют из легких химических элементов, обогащенных изотопами, для которых Е/А с 0,5,где Е - зарядовое число; А - массовое число, например изотопом углерода С . За счет того, что этот изотоп является основной примесью в разряде, значительного увеличения радиационных потерь не происходит. При высокочастотном нагреве с использованием эффекта конверсии быстрых магнитозвуковых волн в медленные плазменные волны вблизи зовы двойного циклотронного резонанса для дейтерия зона двойного циклотронного резонанса дляизотопа С будет находиться в области распространения плазменной волны, Поглощение высокочастотной энергии будет происходить в основном за счет поглощения на двойной циклотронной частоте ионами С , а высокая концен 1трация этого изотопа в разряде обеспечивает повышение мощности высокочастотного нагрева. Иэобрвтение исключает необходимость введения тяжелых примесей. 1 з.п. ф-лы.1413678 г395 Подписное Произв,-полигр. пр-тие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к термоядерной энергетической технологии и может быть применено при создании устройств управляемого термоядерного синтеза с магнитным удержанием, использующих методы конно-циклотронного нагрева плазмы, например токамаков и стеллараторов.Цель изобретения - повьппение эффек.10 тивности путем повышения предельного уровня вкладываемой в разряд мощности ионно"циклотронного нагрева ,плазмы.Покрытие внутренней стенки разряд ной камеры термоядерной установки выполняется из легкого химического элемента, для которого Е й 10, где Е- зарядовое число, обогащенного иэотопом, удовлетворяющим условию 2/А с 20 с 0,5, где А - массовое число. В качестве покрытия может быть использован, например,.углерод, обргащенный изотопом С.Работа покрытия состоит в следующем. Благодаря тому, что покрытие вакуумной камеры обогащено иэотопом с отношением Е/А с 0,5, происходит образование в поверхностном слое вакуумной камеры соединений на основе этого изотопа, Поэтому в результате взаимодействия пристеночной плазмы с поверхностью камеры в разряд будет 351 Ъ поступать этот изотоп, например С 3 таком случае основной примесью в плазменном шнуре будет являться изо" топ углерода С , концентрация котозрого может достигать нескольких про" ф центов, В процессе ВЧ-нагрева с использованием эффекта конверсии быстрых магнитозвуковых волн в медленные плазменные волны вблизи эоны двойного циклотранного резонанса для дей терия зона двойного циклотронного1 Ь резонанса для изотопа углерода С будет находиться в области распространения плазменной волны. В этом случае поглощение ВЧ-энергии будет 50 в основном происходить за счет поВНИИПИ Заказ 3790/54 Тираж глощения на двойной циклотронной час 1 Ътоте для ионов С , В результате кулоновского обмена ионы изотопа угле 15рода С будут передавать приобретенную энергию основным компонентам плазмы. Благодаря относительно боль" шой концентрации резонансных ионов и их относительно высокому заряду бу" дет осуществляться преимущественный нагрев ионов основной компоненты даже при увеличенных уровнях мощности, Кроме того, несмотря на то, что в процессе нагрева ьоэможен уход резо 13нансных ионов С иэ разряда, этот уход будет компенсироваться ионами того же сорта в результате взаимодействия пристеночной плазмы с поверхностью, насыщенной изотопом углерода С . Таким образом в процессе)Ънагрева в разряде будет поддерживаться достаточно высокая концентрация резонансных ионов и при этом концентрация примесей будет оставаться на приемлемом уровне, например, иэ условия допустимых радиационных потерь, Если в разряде присутствуют также ионы основного изотопа углерода 1 С ) поглощение медленной волны на таких вонах не происходит, так как для этих ионов Е/А 0,5. формула изобретения 1, Покрытие внутренней стенки разрядной камеры термоядерной уста" новки с ионно-циклотронным нагревом плазмы, содержащее легкие химические элементы с зарядовым числом Е 6 10, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения его эффективности путем повышения предельного уровня вкладываемой в разряд мощности ионно-циклотронного нагрева плазмы, в него дополнительно введены изотопы химических элементов, для которых Е/А0,5, где А - массовое число.2. Покрытие по п. 1, о т л н ч аю щ е е с я тем, что оно выполнено из углерода, в которое введен изотопуглерода С