Чмыга

Номер патента: 1758826

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Заходяченко, Кильдишев, Ковальков, Наумов, Петри, Савельев, Чмыга, Чупыра, Янушкевич

МПК: H02P 9/14

Метки: бесщеточная, синхронная

...Размещение токоподводом постоянного тока, проходящих через 35 соединительную муфту в продольных пазах,45 15 20 50 55"т"-фазного источника питания переменного тока.Стабилизацию напряжения питания осуществляют согласнь выражения:1Опит,доп. = Опв+ Опи,1где Опит,доп. - допустимое напряжение питания;Опв - напряжение якоря подвозбуаителя;Опи - напряжение "т"-фаэного источника питания переменного тока.В общем случае, при разных значениях /Опв/ и /спи/ определенная. степень стабилизации Опит.доп. достигается соответст вующим выбором угла между Опв и Опи; частным случаем является /Опв/ = /Опи/, тогду угол между ними должен быть равен 120, Выбор угла между Опв и Опи осуществляют выбором групп соединения обмоток первого и второго трансформаторов,...

Номер патента: 1413678

Опубликовано: 30.07.1988

Авторы: Лонгинов, Павлов, Чмыга

МПК: G21B 1/00

Метки: внутренней, камеры, покрытие, разрядной, стенки, термоядерной, установки

...в разряд мощности ионно"циклотронного нагрева ,плазмы.Покрытие внутренней стенки разряд ной камеры термоядерной установки выполняется из легкого химического элемента, для которого Е й 10, где Е- зарядовое число, обогащенного иэотопом, удовлетворяющим условию 2/А с 20 с 0,5, где А - массовое число. В качестве покрытия может быть использован, например,.углерод, обргащенный изотопом С.Работа покрытия состоит в следующем. Благодаря тому, что покрытие вакуумной камеры обогащено иэотопом с отношением Е/А с 0,5, происходит образование в поверхностном слое вакуумной камеры соединений на основе этого изотопа, Поэтому в результате взаимодействия пристеночной плазмы с поверхностью камеры в разряд будет 351 Ъ поступать этот изотоп, например...