Способ лечения отечных форм эндотелиально-эпителиальной дистрофии роговицы
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 61 БРЕТЕН ОПИСАН А ВТОРСКОМ СВИДЕТЕЛЬСТВУ телиально-эпителиальнои дистрофии роговои оболочки различной этиологии. Цель изобретения - повышение зрительных функций. Для этого производят несквозную трепанацию роговицы реципиента в центре от 0,6 до 0,8 ее диаметра на глубину, соответствующую толщине донорской роговицы. Роговицу расслаивают по всей площади трепанации и удаляют поверхностные слои. Производят сквозную трепанацию роговицы донора, выкраивают донорский трансплантат диаметром, соответствующим диаметру удаленных поверхностных слоев роговицы реципиента. Разница между трепанационными отверстиями поверхностных и глубоких слоев должна составлять 2 - 3 мм, т. е. трепан глубоких слоев диаметром 0,4 - 0,6 диаметра роговицы реципиента. Трансплантат укладывают на глубокие слои роговицы реципиента и фиксируют непрерывным обвивным швом. ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИ(56) Копаева В. Г., Мороз 3. И. Сквознаясубтотальная кератопластика при дистрофиях роговой оболочки. - Сб. Оптикореконструктивные операции и аллопластика в офтальмологии. ММСИ, 1974, с. 31 - 35.НИЯ ОТЕЧНЫХЬНО-ЭПИТЕЛИРОГОВИЦЫится к медицине,предназначено длятечных форм эндо(54) СПОСОБ ЛЕЧЕ ФОРМ ЭНДОТЕЛИАЛ АЛЬНОЙ ДИСТРОФИИ (57) Изобретение относ точнее к офтальмологии, хирургического лечения о1360729 Формула изобретения Составитель М. ГознякРедактор В. Данко Техред И. Верес Корректор И.МускаЗаказ 5775/7 Тираж 595 ПодписноеВНИгПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Производственно. полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Г 1 роектная, 4 Изобретение относится к медицине, более конкретно к области офтальмологии, и может быть использовано для хирургического лечения отечных форм эндотелиально-эпителиальной дистрофии роговой оболочки различной этиологии.Цель изобретения - повышение зрительных функций.Способ осуществляют следуюшим образом,После обработки операционного поля и выполнения местной анестезии глазное яблоко фиксируют кольцом Флиринга, Производят несквозную трепанацию роговицы реципиента в центре микрометрическим трепаном диаметром 0,6 - 0,8 диаметра роговицы, что определяется ее размерами и степенью выраженности патологического процесса, на глубину, соответствующую толщине роговицы донора. Роговицу расслаивают по всей площади трепанации и удаляют поверхностные слои. Производят сквозную тре панацию роговицы донора в центре трепаном, соответствующим трепану поверхностных слоев роговицы реципиента, Глубокие слои роговицы реципиента трепанируют в центре трепаном диаметром 0,4 - 0,6 диаметра роговицы реципиента с расчетом, чтобы разница между трепанационными отверстиями поверхностных и глубоких слоев составила 2 - 3 мм. Выкраивают донорский трансплантат диаметром, соответствующим диаметру удаленных поверхностных слоев роговицы реципиента. Трансплантат укладывают на глубокие слои роговицы реципиента и фиксируют непрерывным обвивным швом,Предлагаемый способ позволяет повысить зрительные функции на 50 Я . Способ лечения отечных форм эндотелиальн 0-эпителиальной дистрофии роговицы путем выполнения кератопластики, отличаюи 4 ийся тем, что, с целью повышения зрительных функций, производят несквозную трепанацию роговицы от 0,6 до 0,8 ее диаметра на глубину, соответствующую толщине донорской роговицы, расслаивают роговицу и удаляют поверхностные слои, трепанируют глубокие слои роговицы на 0,4 - 0,6 ее диаметра, выкраивают донорский трансплантат диаметром, соответствующим диаметру удаленных поверхностных слоев роговицы реципиента, укладывают его на глубокие слои роговицы и фиксируют.
СмотретьЗаявка
4061428, 21.03.1986
МОСКОВСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ МИКРОХИРУРГИИ ГЛАЗА
ФЕДОРОВ СВЯТОСЛАВ НИКОЛАЕВИЧ, МОРОЗ ЗИНАИДА ИВАНОВНА, ЧЕГЛАКОВ ЮРИЙ АНАТОЛЬЕВИЧ, КОВШУН ЕВГЕНИЯ ВЛАДИМИРОВНА, ВОЛКОВА ОЛЬГА СЕРГЕЕВНА
МПК / Метки
МПК: A61F 9/007
Метки: дистрофии, лечения, отечных, роговицы, форм, эндотелиально-эпителиальной
Опубликовано: 23.12.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1360729-sposob-lecheniya-otechnykh-form-ehndotelialno-ehpitelialnojj-distrofii-rogovicy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ лечения отечных форм эндотелиально-эпителиальной дистрофии роговицы</a>
Измеритель диаметров объектов сферической формы
Номер патента: 1753264
Опубликовано: 07.08.1992
Автор: Перевертень
МПК: G01B 15/00
Метки: диаметров, измеритель, объектов, сферической, формы
...волны на двух длинах волн 4 и 4 и отдельно канала отраженной волны на этих двух длинах волн, а также отсутствия переотражений в этих каналах, Для этого к выходу детектора 3 подключают чувствительный измерительный прибор и добиваются путем регулировки подстроечных согласователей канала ответвитель 2 - детектор 3 равенства показаний измерительного прибора на этих двух длинах волн. Затем подключают этот измерительный прибор к выходу детектора 6 и при отсутствии измеряемого объекта 13 сначала добиваются на этих двух длинах волн отсутствия показаний измерительного прибора, т.е, отсутствия отражений в канале отраженной волны, Это достигается путем изменений конструкций и взаимного расположения поглотителей 11 и 12 и излучателя 5, Затем,...
Способ определения двухосных остаточных напряжений в поверхностных слоях тела (его варианты)
Номер патента: 953439
Опубликовано: 23.08.1982
Автор: Михайлов
МПК: G01B 5/30
Метки: варианты, двухосных, его, напряжений, остаточных, поверхностных, слоях, тела
...определения величины и направ ления главных растоцных напряжений в поверхностном слое тела 1, на по" верхности тела 1 закрепляют датчики 2-4 деформации, располагая их группами на разноудаленных от намеченного центра углубления окружностях. Для датчиков с активной базой равной 9 мм расстояния от центра до этих 9 4окружностей составляет; 3,5 мм длядатчиков 2-ой группы, 24 мм - для3-й группы и 36 мм - для 4-ой группы.В каждую группу вклюцают одинаковоечисло датчиков, например шесть. Приэтом углы между осями датчиков будутравны 0; 60; 120; 180; 240; 300 и3600(фиг. 1),Измеряют начальные показания датчиков, Затем в намеченном центре выполняют цилиндрическое углубление 5диаметром 10 мм на глубину 12 мм втри этапа, равных 2,5; 5,8 и 12...
Способ контроля поверхностного слоя полупроводникового монокристалла
Номер патента: 763751
Опубликовано: 15.09.1980
Авторы: Афанасьев, Болдырев, Буйко, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Кон, Лобанович
МПК: G01N 23/207
Метки: монокристалла, поверхностного, полупроводникового, слоя
...того, кривые дифракционных отражений от исследуемой и ненарушенной поверхности монокристалла получают с помощью поляризованных пучков рентгеновского излучения.и Чтобы пояснить физическую сущностьпредлагаемого способа, рассмотрим модель,описывающую дифракию на тонких кристаллических слоях. Кристалл (подложка)представляет собой плоскопараллельнуюплаСтину с идеальной кристаллической решеткой, на поверхности которой находитсянарушенный слой толщиной 1, При этомслой считается слабо отражающим. Этосправедливо при условии, когда толщина слоя 1.н меньше экстракционнойзь длины кристалла Еэ, которая в геометрии Брэгга зависит от порядка отраженияи величины структурной амплитуды. Рассеяние в такой ситуации описывается кинетической теорией....
Способ определения поверхностной вязкости мономолекулярных слоев и устройство для его осуществления
Номер патента: 864060
Опубликовано: 15.09.1981
Автор: Гудзь
МПК: G01N 11/14
Метки: вязкости, мономолекулярных, поверхностной, слоев
...всех дальнейших измерениях остаются неизменными, приступают к измере нию вязкости мономолекулярных слоев веществ . Для этого чувствительный элемент (диск 1) перемещают вместе с устройством вдоль вертикали и приводят его в контакт с чистой подложкой, находящейся в кювете. Затем выверяют "нуль" устройства по горизонтально расположенной миллиметровой шкале 13 амплитуд, т.е. поворотом юстировочной головки 10 в горизонтальной плоскости приводят в движение механическую подвижную систему через токопроводящие упругие элемен.ты 7 так, чтобы световой поток, направленный в горизонтальной плоскости от осветителя, попадал при помощи эерк.-ла 5 на нулевое деление горизонтально расположенной миллиметровой шкалы амплитуд (А=О, Км= + 00) . Затем путем...
Установка для изготовления активного слоя радионуклидных поверхностных источников
Номер патента: 1542304
Опубликовано: 20.11.1999
Авторы: Воробьев, Грищенко, Фаддеев, Феофилов
МПК: G21G 4/00
Метки: активного, источников, поверхностных, радионуклидных, слоя
Установка для изготовления активного слоя радионуклидных поверхностных источников, содержащая емкость для размещения контейнера с радионуклидом и подложек, устройство для нанесения защитного покрытия и нагревательный элемент, отличающаяся тем, что, с целью повышения радиационной безопасности процесса изготовления и качества готовой продукции за счет исключения контакта заготовок источника с воздушной средой, емкость для размещения контейнера с радионуклидом и подложек установлена в устройстве для нанесения защитного покрытия, которое снабжено механизмом запирания с крышкой для емкости, имеющей со стороны указанной емкости устройство вскрытия контейнера с радионуклидом.
Предыдущий патент: Устройство для внутриглазных операций
Следующий патент: Устройство для глазной хирургии
Случайный патент: Цифровое устройство для воспроизведения функций