Элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51)4 6 Ц С 11 ЛИСАНИЕ ИЭОБРЕТЕНИ К АВ КОМУ СВИДЕТЕЛЬС фв 4 РМ 0 Щ;: й которогор - си йин еж ССР73.Р 888207,в тороп под стора, олниГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(21) 3492778/24 - 24(56) . Авторское свидетельствойе 3778 ф 1, кл. 6 11 С 11/34,Авторское свидетельство ССкл. 6 11 С 11/40, 1981,(54) (57) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащиитиристор, катод которого соединен с, выборки, транзистор записи, змиттерсоединен с шиной записи, а коллектоп-базой тирнстора, о т л и ч а ю щс я тем, что, с целью повышения нности элемента памяти, в него введенключевой транзистор, эмиттер которогоключен к адресной шине, база соединеЛ-базой, а коллектор - с анодом тнрбаза транзистора записи соединена с дтельной шиной записи-считьвания.1180980 Составитель А. ДерюгинТехред Л.Микеш Редактор Л. Коссей Корректор Л.Бескид Тираж 583 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж 35, Раушская наб д. 4/5Заказ/ 5934/52 Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительнойтехнике и может быть использовано дляпостроения эапоминавнцих устройств (ЗУ),Целью изобретения является повышениенадежности элемента памяти. 5На чертеже представлена электрическаясхема элемента памяти,Элемент памяти содержит тиристор 1,, транзистор 2 записи, шину 3 записи, шину4 выборки, второй ключевой транзистор 5, 10адресную шину 6, шину 7 записи-считываЭлемент памяти работает следующим обраэом.В режиме хранения информации устойчивость выключенного состояния обеспечиваетсявторым ключевым транзистором 5, которыйв этом случае выключен, и поэтому анод тиристора 1 не подключен к адресной шине 6.В этих условиях включение тиристора 1 20невозможно, Устойчивость включенного состояния обеспечивается протеканием через тиристор 1 тока, большего или равного токуудержания. Ток включенного состояния протекает по цепи: адресная шина 6, эмиттер. 25коллектор второго ключевого транзистора 5,анод-катод тиристора 1, шина 4 выборки.В режиме считьвания по шине записисчитывания 7 подается ток, который протекает по цепи: шина записи.считывания 7, база. коллектор транзистора записи 2, и -база. катод тиристора 1. Шина 3 записи в режиме считывания имеет потенциал, исключающий протекание тока по цепи база-эмнттер транзистора записи 2,Состояние элемента памяти определяется так: наличие тока в шине записи-считывания 7 означает, что тиристор 1 открыт, а его отсутствие что он закрыт. В режиме записи включение тиристора 1 осуществляется включением транзистора 2 при равных потенциалах на шине 4 выборки и на шине 3 записи, В базу транзистора 2 записи подается ток, необходимый для его включения. При этом появляется ток базы второго ключевого транзистора 5, а затем после егр, включения включается транзистор 1, так как на его и -базы вьпекает ток. Выключение тиристора 1 происходит по тому же электрическому контуру, что и в режиме считывания, с той лишь разницей, что потенциал, формируемый на и-базе тиристора 1 такой, при котором невозможно протекание тока в базовой цепи второго ключевого транзистора 5. Ток, втекающий в 11-базу тиристора 1, выключает его, рассасывая избы точный заряд в базовых областях,
СмотретьЗаявка
3492778, 17.09.1982
ОРГАНИЗАЦИЯ ПЯ А-3106
БОТВИНИК МИХАИЛ ОВСЕЕВИЧ, ЕРЕМИН ЮРИЙ НИКОЛАЕВИЧ, КУЗОВЛЕВ ЮРИЙ ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Опубликовано: 23.09.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1180980-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>
Предыдущий патент: Элемент памяти
Следующий патент: Элемент памяти
Случайный патент: Способ защиты стальных изделий от коррозии