Запоминающее устройство с коррекцией информации

(56 ) 1. Авторское свидетельство СССРВ 492935, кл. 8 11 С .29/00, 1972,2. Вопросы радиоэлектроники,Серия ЭЬТ, вып. б, 19 б 9, с. 45-53(54)(57) ЗИКЖИНАЮЩЗИ УСТРОЙСТВО СКОУРЕКЦИБИ ИНФОИЮЦКИ, содержащее,блок памяти ащесов дефектных элементов памяти и регистр адреса,входы которых объединены н явлюаюся адресиыии входаик устройства, а юыкОды соединены со входав 6% дюйзиФратоРа адРФса, раэрядйые блоки памяти и наке 3 йиелЬ, Зврвчеи входй йакопитеющ н ащесмые авнпа первого.разрядного блока памяти соединеныс выкодамн деаифратора адреса, о т .л и ч а в щ е е с я теи, что, сцелью упрощения устройства, в немадресные ыкиы каждого разрядногоблока лаияти, соединенные с дефектнцин элементаии памяти данного раэрядного блока памяти, подключены к адреснъм юВмаи смййникраэряанык блоков наиятн, аоедниеиныи с деФек.тныии элементами лаветк данных раэряднык блоков паияЗаказ 4988/49 Тираж 594 Пщ 9 нское ВЯИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений к открытий 113035, Москва, Ж, Раужкая каб., д.4/5Филиал ппп "патент", г. Ужгород, ул, проектная, 4 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устрой ствах.Известно запоминающее устройство с коррекцией информации, содержащее основной и дополнительныйнакопители, регистры адреса и чис ла, дешифратор и блок коррекции 1.Недостатком этого устройства является сложность и громоздкостьблока коррекции.Наиболее близким техническим ре-шением к изобретению является запоминающее устройство с коррекциейинФормации, содержащее. основной идополнительный многоразрядные накопители, собранные из матричных мо"дулей, блок хранения кодов дефектных адресов уцравляющий дешнфратором адресов, подключенным кадресным входам накопителей, регистрчисла, соединенные с информацион ными входами накопителей и регистрадреса, включенный на вход дешифратора 2 эОднако случайный характер расп-.ределения дефектных элементов.памяти в объеме основного накопителятребУет большого объема блока хранения кодов дефектных слов и большой емкости дополнительного накопителя, разрядность которогоке завкснт от количества деФектов.а блокируемом слове, прн этом исправные элементы блоккруемых словисключаются кз работы.Это устройство также являетсясложным к громоздким.Цель изобретения - упрощениеустрОйства,Поставленная цель десткгаетсятем, что в эапомккаецем устройстве с коррекцией кк 4 юрмации, содержащем бкек памяти адресов дефекткых ячеек памяти к регистр адреса,входы которых объединены и являютая адресиымк входами устройства,э выходы соедккюйы со в)юдами дбФИФРатора адреса, раэрядйые блокийамяти к накопитель, яричем входынакопителя к юдреркые шккы первогоразрядного блока памяти соединены свьаюдами дешкфратора адреса, адресые шины каждого разрядного блокапамяти, соединенные с дефектнымиэлементами памятиданного разрядного блока памяти, подключены к адресным шинам разрядных блоков памяти, соединенным с дефектнымиэлементами памяти данных разрядных блоков памяти.На чертеже изображена Функциональная схема запоминающего устрой ства с коррекцией информации.Устройство содержит регистр 1адреса, блок 2 памяти адресов дефектных ячеек памяти, имеющий выход 3, дешифратор 4 адреса, нако питель 5, регистр 6 числа, разрядные блоки 7 -7 памяти (для пркмера на чертеже изображены трнмагнитных блока 7 - Ъ памяти, каждый из которых содержит 16 дефект"ных элементов 8 памяти, выколненных. на ферритовых сердечниках). Сэлементами 8 памяти связаиы адресные шины 9. Соединение адресныхшин 9. блоков 7 - 7 осуществляется4конструктивно, например при помощи соединительных узлов 16. Блоки 7, в : 7 и соединительные узлы10 образуют накопитель 11.Устройство работает следующимобразомеЯрк обрвщенкк к ячейке памяти,не содержащей дефектных элементов 6,памяти, по адресу из регистра 1через дешифратор 4 выбирается ячейка памяти в накопителе 11 к ее со держимое поступает в регистр б,Прк обращении к ячейке памяти, содержащей дефектные элементы 8 памяти (на чертеже отмечены кружкамн),блок 2 переадресует через деавюфра О тор 4 обращение к соответствующейячейке памяти иакопктеля 5.Тежнко экоиомкчесмое. Ирекмущество описанного устройства передпрототипом заключается в его простоте, Упрощение достигается засчет то о, что дефектные элементыпамяти объедяниются в ячейки памяти с максимальным числом дефектных элементов памяти, что уменьшает число дефектных ячеек памяти, 5 т.е. уменьшает объем накопителя