Патенты опубликованные 15.08.1987

Номер патента: 1330520

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Гурин, Огнев, Огнева

МПК: G01N 21/67

Метки: атомов, источников, концентрации, металлов, нестабильных, поля, света

...монокристаллов.Интервал концентраций, для которого определялись поля, соответствовал содержаниям в пробе исследуемых элементов 1 10 -1 10 вес 7. Основой для приготовления образцов служили щелочно-галоидные соединения натрия и калия. Образцы смешивали с угольным порошком и испаряли из канала нижнего электрода дуги переменного тока (=10-12 Л), дуговой промежуток поддерживался во времени экспозиции постоянным - 5 мм, время испарения, после которого регистрировали спектр, соответствовало 1, 5, 15, 20 с с момента зажигания дуги. Форму электродов задавали глубиной канала 4-10 мм, диаметром канала 1-3 мм и толщиной стенки канала. 0,5-2 мм. Для зондирования пространства испольэовали безэлектродные лампы.1Составитель Б. ШироковТехред...

Номер патента: 1330521

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Путилина, Ярым-Агаева

МПК: G01N 21/78

Метки: воздухе, формальдегида

...диаэотированной сульфаниловой кислоты, временивзаимодействия формальдегидов с фенилгидразином и диазотированной сульфаниловой кислотой представлены втабл.З - 5.Как видно из табл.З, при добавлении только одной серной кислоты образуются интенсивно окрашенные раст 21 2воры, однако оптическая плотностьих быстро падает во времени: через30 мин - на 167, через 60 мин " на307, с добавлением уксусной кислотызаметно повышается устойчивость образующихся окрашенных соединений, очем свидетельствует более стабильнаяоптическая плотность, при добавлении6-7 мл уксусной кислоты оптическаяплотность падает на 0-37 через 30 мини на 4-67 через 60 мин, что практически укладывается в ошибку определения. Оптимальными являются, количества уксусной и серной...

Номер патента: 1330522

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Дерюгина, Зоря, Петренко, Янчук

МПК: G01N 21/78

Метки: гексаметилентетрамина

...(0,0150 г в 100 мл) и раствором-фоном. Оптическую плотность испытуемого и стандартного растворов измеряют с помощью спектрофотометра в кюветах с толщиной слоя 1 см на Фоне контроля при 485 нм.Расчет процентного содержания гексаметилентетрамына проводят по Формуле0100 25 Со 0 Р 1,5 1 5 где Р - оптическая плотность анализируемого раствора при485 нм;Э - оптическая плотность станьдартного раствора;С - концентрация стандартногооспектрофотометрируемого раст.вора (0,0009 г в 100 мл)Р - навеска, г1 - толщина слоя, см.Результаты количественного определения гексаметилентетрамина приведены в табл.1. 10 Результаты определения представ 40лены в табл.2,В табл.3 представлены результатыприменения различных солей кальция.В табл.4...

Номер патента: 1330523

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Иосебашвили, Чаруев, Шуглиашвили

МПК: G01N 21/85

Метки: веществ, влажности, жидких, твердых

...действительности,45П р и м е р 2. В результате измерения оптических показателей оказалось что П =. - "-= 0 64 ПК,а17 5 К= - "- = 0,84, по их значениям иэ4Ксоответствующих градуировочных характеристик произвели отсчет влажностей- Их = 7,57.,50 где 1 р м, 8- угловые коэффициентыградуировочной характеристики при двух па Поскольку их значения не совпадают и, соответственно, имеет место дрейф показаний, действительную влаж ность находят по формулеУ 1 к М, - ЧСКР.еемва - кРПодставляя цифровые значения, получают16 а 7 067 - 75 Оь 29 6 093.0,67 - 0,29 фФормула изобретенияСпособ измерения влажности твердых и жидких веществ, заключающийся в том, что направляют излучение на исследуемое вещество при аналитической и реперной длинах волн,...

Номер патента: 1330524

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Магазина, Самотоин

МПК: G01N 23/04

Метки: кристаллов, энантиоморфных

...устанавливается по одинаковому зеркально-симметричному виду (узору) ступени, наблюдаемой на вершине (в центре) элементарных картин роста. Штриховой линией показано одно из возможных положений плоскости зеркальной симметрии, позволяющей совместить эти картины роста с помощью операции отражения в указанной плоскости относительных смещений и азимутальных разворотов. Относительная правизна и левизна наблюдаемых кристаллов легко определяется по четко выраженной асимметричной их форме и зеркально- симметричному расположению. Картины роста этих кристаллов могут быть совмещены друг с другом (если не учитывать незначительные различия в тонких деталях) при помощи только одной операции симметрии - зеркального отражения, т.е. каждая из них по...

Номер патента: 1330525

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Мамлеев, Цирельман, Шпиндлер

МПК: G01N 25/18

Метки: контакта, сопротивления, термического

...термопара 2, находящаяся втермическом центре отливки 4, подключены к осциллографу. Термопара 2 слу- З 0жит только для контроля. Материалотливки - никель с известной температурой кристаллизации и известнымизначениями коэффициента теплопроводности, Показания двух измерителейтемпературы и значения коэффициентатеплопроводности формы, полученные изнезависимого эксперимента, позволяютопределить температуру поверхностилитейной формы. Изменение температуры во времени, зарегистрированноетермопарой 5, используется для расчета теплового потока через поверхность контакта и для вычисления температуры поверхности отливки. 45 50 Р(",го, г,) - параметр, равныйдля плоской, цилиндрической и шаровойгаотливок (г - г )/а; г,1 п -а Йиг552 г (г " г,) Ь ,...

Номер патента: 1330526

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Грабовская, Календерьян, Корнараки

МПК: G01N 25/18

Метки: аксиальной, комплексного, коэффициентов, плотного, слоя, теплоотдачи, теплопроводности, фильтруемого, эффективных

...за счет излучениячастиц. Горячие спаи термопар, измеряющих температуру частиц, зачеканеныв частицы на расстоянии 1,5 мм отповерхностиТермопары размещены наоси слоя в различных сечениях по высоте. В нескольких сечениях термопарыустановлены на различных расстоянияхот оси с целью проверки равномерности распределения температур. Черезпереключатель с общим холодным спаем11 термопары подключены к цифровомувольтметру 12. Электрический ток подается в слой от сети через автотран"Кн ас Ьд Ргг- Р1ас Р К,Р Р 4+ Рд Рдг= Ви р р фэ + 14 К,. сформатор 13 и стабилизатор 14 напряжения с помощью пластинчатых перфорированных электродов 15, расположенных во входном и выходном сечениях.5 Сквозные трубы торцового теплообменника размещены равномерно с шагом...

Номер патента: 1330527

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Березин, Костюрин, Попов

МПК: G01N 25/18

Метки: анизотропных, теплопроводности

...м;, Я;, , (1. = 1,2,3) - углы,образуемые соответственно первым,вторым и третьим направлениями пере-.мещения источников энергии относитель 45но главных осей теплопроводностианизотропного тела,При нагреве полубесконечного изотропного тела подвижным точечнымисточником энергии предельная избыточная температура поверхности телана линии нагрева позади источникаопределяется формулой Яд = ---2 й ф(7) 55 где й - предельнаяизбыточная температура поверхности изоИз соотношений (3) и (5) следует, что при нагреве полубесконечного 10 анизотропного тела точечным источником энергии, перемещающимся по поверхности тела в направлениях и и.ои (фиг. 1), регистрируемые датчиком предельные избыточные температуры равны тропного тела, нагреваемого источником,...

Номер патента: 1330528

Опубликовано: 15.08.1987

Автор: Граф-Тио

МПК: G01N 25/20

Метки: абсорбции, кислорода, скорости

...4, После тщательного перемешивания жидкой среди в аппарате включают побудитель 9 расхода и через теплоизолированный трубопровод 5 и измерительный участок 6 объемом 1 л прокачивают пробу жидкости с постоянной скоростью 1,0 лч из нижней части аппарата в верхнюю. Затем включают в работу КСП. В начале прокачивания жидкой среды через измерительный участок разность температур вдоль данного участка равнялась нулю. Далее в жидкую среду находящуюся в аппарате, вводят катализатор СцБО, после чего в аппарате начинается активное окисление сульфита натрия кислородом, переходящим из газовых пузырьков в жидкость, В результате перехода кислорода из газовой фазы в жидкую протекает реакция окисления сульфита натрия, и жидкая среда в аппарате начинает...

Номер патента: 1330529

Опубликовано: 15.08.1987

Автор: Алишаускас

МПК: G01N 25/54

Метки: взрывоопасность, газовых, испытания, смесей

...не показан) . Канал 28 соединяет дугообразное основание 27 с вакуумным насосом 31, а канал 29 - с анализатором 32 продуктов сгорания и приспо" соблением 33 цля инициирования горения.Устройство работает следующим образом.Поршень 5, находясь в исходном положении, через дискообразный контакт 6 и запускающие контакты 3 замыкает цепь и подает питание на подвижный кольцеобраэньпй контакт 11 30529 2 и электромагнитное устройство 22,которое закрывает клапан 20. Привращении осн электродвигателя 9 коленчатый вал 8 воздействует через .)стержень 7 на поршень 5, который придвижении всасывает газ иэ резервуара 17 через открытый клапан 19, Привращении оси электродвигателя 14 че рез коленчатый вал 13 и тягу 12 приводится в движение подвижной...

Номер патента: 1330530

Опубликовано: 15.08.1987

Автор: Кухарев

МПК: G01N 25/56

Метки: влажности

...измерителя 9временных интервалов, При стабилизации величины мощности термочувствительного элемента 3 величина ограничительного резистора 4 определяетсякак и К, - минимально ное значения сопротивле стора 3 при температура ующих граничным значени измеряемых влажностей.мещении резисторов 3ю среду блок 1 управлисточникнапряжени 0530 2 линейной зависимости сопротивления терморезистора 3: КьЮ = Ка(1 +о) э (2) где К - сопротивление терморезисто 3ра 3;К - сопротивление терморезисторапри С = 0 С;- температура;М - температурный коэффициентсопротивления.Сопротивление ограничительного резистора 4 не зависит от температуры.На, выходе блока 5 присутствует нормированный электрический сигнал в виде линейной функции температуры где Е - постоянный...

Номер патента: 1330531

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Афанасьев, Байбуз, Бенедиктов, Михайлов, Петерс, Сердаков

МПК: G01N 25/68

Метки: газов, дымовых, росы, точки

...элемента.В корпусе 1 закреплен электрод 5,на внешней поверхности которого, яв- ЗОляющейся конденсационной поверхностью, расположен точечный чувствительный элемент 7, Второй электрод б поджимается пружиной-острием к центру .поверхности точечного чувствительного элемента. На электроды 5 и бподается напряжение постоянного тока,электрод 5, изготовленный из мате-.риала с высокой теплопроводностью(например, из меди), имеет на боковой 4 Оповерхности резьбу для крепления вкорпусе и одновременно для увеличения поверхности тепоотдачи. На корпусе 1, выполненном из диэлектрика(например, из фторопласта), крепится 45также иглодержатель 8. На внешнийторец электрода 5 нанесено стеклооб. -разное полированное покрытие - подложка, выполняющая...

Номер патента: 1330532

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Заморский, Шаронов, Шевченко, Шубин

МПК: G01N 27/02

Метки: долговечности, полимерных

...4 - среда 2; К - переходное сопротивление: среда 2 - объект; Ксопротивление исследуемого объекта;К - переходное сопротивление:объект -315 электрод 5. Регистрируется значениетока 1, измерителем 8.При втором измерении коммутируютвторой ключ коммутатора 10 и при первоначальном подключении источника 11 20 между выводом А электродов 4 черезизмеритель 8 с выводом С электрода 5измеряют ток 1 измерителем 7 в последовательной цепи: вывод В электрода 4 - образцовое сопротивление и вывод 1) рабочего электрода (см, эквивалентную схему, фиг.3, где К - переходное сопротивление: среда 2 - образец 3 К - сопротивление: электрод4 - среда 2; К - переходное сопро тивление: образец - рабочий электрод 6.1 Затем отключают источник 11 с последовательно...

Номер патента: 1330533

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Гораздовский, Невзлин

МПК: G01N 27/22

Метки: влажности, сыпучих

...комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 Производственно-полиграФическое предприятие,г.Ужгород,ул,Проектная,4 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при определении влажности сыпучих материалов, например почвы,5 угля, руд металлов и т.д.Целью изобретения является сокращение времени измерения.Сущность предлагаемого способа заключается в следующем. 10Контролируемый материал засыпают в датчик. Задают величину сходимости показаний влагомера для данного материала, определенную опытным путем.Включают вибрацию датчика с постоянным значением амплитуды, измеряют значение влажности. При стабилизации плотности контролируемого материала в датчике изменение сигнала...

Номер патента: 1330534

Опубликовано: 15.08.1987

Автор: Смоляков

МПК: G01N 27/46

Метки: водных, одноатомного, растворах, содержания, спирта

...р 1. ЭДС (Е) измеряютследующим образом.Отбирают 20,0 мл эталонного раствора в термостатируемый стаканчикемкостью 50 мл, добавляют 0,20 млводно-спиртового раствора 5 10 моль/дмнитрата триалкил-(С-С) -метиламмония (ТАМАНа) и устанавливают стакан Бчик на магнитную мешалку. В растворпомещают электрод, обратимый к гидрофобным катионам, и электрод сравнения ЭВЛМ, которые подключают к рНметру или цифровому вольтметру, пригодному к потенциометрическим измерениям,В состав мембраны электрода входятполивинилхлорид, диоктилфталат, тетрафенилборатная соль тетрабутиламмония в соотношении (1-4):(0,01-0,1).Измеренную величину Е с точностью нениже + 1 мВ наносят на график в координатах Е - концентрация спирта.Аналогично измеряют Е других эталонных...

Номер патента: 1330535

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Джумабаев, Мельников, Нурумов, Политаев, Пятигорский

МПК: G01N 27/52

Метки: закладочного, массива, параметров

...оболочку 2, передвигающуюся по систе ме из электрохимических датчиков и уплотненную прокладкой 3, электро- химический преобразователь 4, подключенный к регистратору 5, и кабель 6 отведений электрохимических датчиков 20 (аппаратура вторичной регистрации рабочих датчиков на чертеже не показана).Способ контроля параметров закладочного массива переменного уров ня осуществляют следующим образом.Размещают п рабочих электрохимических датчиков вдоль оси уровня массива в герметизирующей оболочке и дополнительного электрохимического ЗО преобразователя,. который располагают в закладочном массиве на нулевом уровне (у первого рабочего датчика). В процессе заполнения объема раствором с дополнительного электрохимичес- З 5 кого...

Номер патента: 1330536

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Зеленский, Кнышев

МПК: G01N 27/72

Метки: концентрации, магнетита

...Яот значенийи соотношения .радиусов ( - ):КгК, гЗц к, 2 1гЯ== г- --- -г = Г г 2)3мг+(-1)1К Ч"изм . Кггде у = - ,; гДля определения максимальной чувствительности устройства необходимопродифференцировать зависимость Б==Г я) и значение производной д Б/Э гприравнять нулю.После несложных преобразований находят значение отношения радиуса возбуждающей обмотки к радиусу измерительной обмотки, при котором будетмаксимальная чувствительностьКг2 == -- "1 и + 1,К,В свою очередь, равномерное магнитное поле в измерительной обмотке,которое является частью равномерногомагнитного поля возбуждающей обмотки,приводит к полному устранению влияния неравномерного распределения частиц с различной магнитной восприимчивостью, Таким образом, сигнал, снимаемый с...

Номер патента: 1330537

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Блурцян, Лопатин, Соколик, Штин

МПК: G01N 27/83

Метки: ферромагнитных

...е,(г.) - импульсы ЭДС от СБ;е (С) - огибающая этой ЭДС.хПусть поле старта соответствуетмоменту времени ,. Этот момент времени сложно зафиксировать с приемлемой точностью из-за наличия шумов ипомех. Более точно его можно измерить,аппроксимировав отрезок АВ огибающейпрямой линией. При этом иэ подобиятреугольника АСД и АВЕ получают,=Е, - 8, (,-Е,) /(Бг - 8, )Устройство работает следующим образом,При включении источника 1 переменное магнитное поле, созданное перемагничивающей обмоткой преобразователя 2 и пропорциональное сигналу11,(г.) (фиг,З), вызывает в контролируемом иэделии не показано) скачкиБаркгаузена, регистрируемые преобразователем 2. ЭДС от СБ 0 (С) (фиг.З)усиливается усилителем 3 и поступаетна детектор 4, на выходе...

Номер патента: 1330538

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Волков, Иванченко, Федоров, Шепелев

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретоковой, дефектометрии

...началукоординат (точка К) соответствуеткомпенсация сигнала преобразователяпри его установке в воздухе, т.е.при г - 00,На. правых фрагментах (фиг. 2) рядзначений глубин трещин (на кривых Ь)соединен прямыми с расчетными значениями соответствующего зазора г. (накривых г), Расчет значений г для с, 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 жение точки переноса начала координат для каждого значения Ь совпадает с соответствующим расчетным значением г, лежащим на пересечении соответствующей прямой и кривой (г).Величина максимального фазового сдвига от трещины Ь при местоположениикоординат в расчетной точке г+ обозначена ас . Бездефектный участок металла обозначен точкой М,Способ осуществляется следующимобразом.Синусоидальный сигнал генераторапоступает на...

Номер патента: 1330539

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Сухоруков, Филист, Чернов

МПК: G01N 27/90

Метки: автоматизированный, вихретоковый, дефектоскоп

...и подается на аналого-цифровой преобразователь 7, который преобразует информационный сигнал в цифровую форму, пригодную для записи в блок 8 оперативной памяти. После записи информации мультиплексор 2 подключает к усилителю 3 следующий элемент матрицы 1 чувствительных элементов, счетчик 11 выдает сигнал прерывания на магистраль электронно-вычислительной машины 13, по которому осуществляется передача информации в электронно-вычислительную машину 13, после того, как все элементы матрицы 1 опрошены.Первый считанный таким образом массив принимается за базовый в том смысле, что при считывании очередного массива, т.е. получения очередного 1сечения трубы по продольной координате, все изменения, происшедшие в контролируемом объекте,...

Номер патента: 1330540

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Асланов, Кулиев, Пашаев, Халилов

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретоковый, электропроводности

...0,051 0,064 0,058 Составитель И. Рекунова Редактор Л. Повхан Техред И,Попович Корректор В, БутягаЗаказ 3576/46 Тираж 776 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 1 3Изобретение относится к неразрушающему контролю материалов и изделий и может быть использовано дляизмерения удельной электрической проводимости низкоомных полупроводниковых материалов,Цель изобретения - повышение чувствительности преобразователя засчет выбора оптимального угла привершине магнитопровода,На чертеже изображена схема вихретокового преобразователя.Вихретоковый преобразователь со"держит ферритовый магнитопровод...

Номер патента: 1330541

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Арбузов, Калинин, Коровяков, Пятаков, Чудаков

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретокового

...работает следующим образом,Автогенератор 1 питает синусоидальным током накладные вихретоковыепреобразователи 2 и 3, С их выходоввносимые напряжения, несущие информацию о толщине контролируемого изделия, поступают на входы амплитудныхдетекторов 4 и 5. Получаемые на выходе последних сигналы поступают н.соответствующие блоки 6 и /, где одновременно запоминаются, что необходимо во избежание влияния на результат контроля вибраций контролируемогоизделия относительно преобразователей 2 и 3, и по команде, поступающей с блока 14 управления, последовательно через коммутатор 8 поступаютна вход преобразователя 9, где преобразуются в цифровую форму и вводятся в вычислительный блок 10. Внеденная информация представляет собой значение амплитуд А...

Номер патента: 1330542

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Абакумов, Вильданов, Клюев, Семенов, Федосенко, Шкарлет

МПК: G01N 27/90

Метки: дефектоскопу, магнитных, полей

...обмотка 12, детектор14, амплитудный селектор 15, аналого цифровой преобразователь 16, блок 17памяти, цифроаналоговый преобразова тель 18 и видеоконтрольный блок 19,Работой устройства управляет синхрогенератор 20, выходы которого подклю.чены к блоку 1 О развертки, блоку 17 .памяти, цифроаналоговому преобразователю 18 и аналого-цифровому преобразователю 16. Блок 10 развертки выполнен в виде регистра 21 сдвига (фиг.2) и токовых ключей 22, подключенных к последовательным выходам регистра 21 сдвига.Устройство работает следующим образом. Ферромагнитные сердечники 2 непрерывно намагничиваются в противоположные состояния. При этом возникаю щие импульсы ЭДС выпрямляются диодом В и поступают на ферритовые сердечники 1...

Номер патента: 1330543

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Башлачев, Туркин

МПК: G01H 5/00, G01N 29/00

Метки: акустических, волн, скорости

...волн в среде.Целью изобретения является расширение частотного диапазона и повьппение точности измерений скоростиакустических волн за счет изменениядлины звукопровода.На чертеже схематично изображеноустройство для измерения скоростиакустических волн;Устройство содержит акустическуюкамеру 1 с исследуемой средой 2,электроакустический преобразователь3, установленный в камере 1 с возможностью двухстороннего излучения,и параллельно соединенные с преобразователем 3 вольтметр 4 и генератор5 переменного тока. Акустическаякамера 1 выполнена в виде пологоэвукопровода, свободные концы 6 и 7которого входят друг в друга с возможностью перемещения один относителенно другого,Для герметичности внутренней полости между перемещающимися...

Номер патента: 1330544

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Мариянчук, Сафаров, Тупиков

МПК: G01N 29/00

Метки: материале, распространения, скорости, ультразвука

...формы большой амплитуды (Фиг.2,71), поступающий на излучающий преобразователь 4. Последний излучает н изделие 16 затухающие ультра звуковые колебания, которые принимаются приемным преобразователем 5 и преобразуются в нем н электрические колебания, Электронный коммутатор 6 принимает электрические колебания, а посредством импульса с третьего выхода тактового распределителя 2 переводится в состояние подключения преоб- разователем 5 на вход усилителя 7, С выхода последнего электрические колебания (Фиг,2,7111) .поступают на второй вход формирователя 8 временного интервала, на первый вход которого поступают импульсы с третьего выхода распределителя 2, в результате чего на выходе Формирователя 8 Формируются положительные импульсы,...

Номер патента: 1330545

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Борзенец, Михайлов, Михайлова

МПК: G01N 29/00

Метки: акустической, имитатор, сигналов, эмиссии

...путем прекращения вращенияручки 22, предотвращая дальнейшееповорачивание корпуса имитатора вокруг оси 21 и исключая вторичные помехи от соударения его с поверхностьюобразцы 14,0545 2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 На основание опоры 15 имитатора,соприкасающееся с поверхностью образца 14, может быть наклеена прокладка 23 из звукоизолирующего и повьшающего коэффициент трения материала.Имитатор сигналов акустической эмиссии работает следующим образом.Вращение головки винтовой пары 11 сообщает поступательное движение контактирующему с ней толкателю 9, проволочный конец которого, соизмеримый по диаметру с хрупким элементом 6, непосредственно воздействует на хрупкий элемент 6. Последний под действием толкателя 9 перемещается, при этом по...

Номер патента: 1330546

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Димитров, Исаенко, Семенов

МПК: G01N 29/04

Метки: ультразвуковой

...сопротивления материала демпфера, а толшиЯна выбрана кратной (2 п + 1)где Я - длина волны ультразвука в материале держателя, снабжен установоЧным кольцом, выполненным с посадочной площадкой под пьезоэлемент ис посадочными пазами для держателя. Кроме того, установочное кольцо выполнено иэ диэлектрического материала, волновое сопротивление и коэффициент линейного расширения которого выбираются равными соответственно волновому сопротивлению и коэффициенту линейного расширения материала демпфера.На фиг. изображен ультразвуковбй преобразователь, разрез; на фиг,2 - разрез А-А на фиг.1.Ультразвуковой преобразователь содержит корпус 1, держатель 2, пьезоэлемент 3, установочное кольцо 4 с посадочной площадкой 5 под пьезоэлемент и посадочными...

Номер патента: 1330547

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Волков, Мозурас, Оржекаускас, Рагульскис, Римша

МПК: G01N 29/04

Метки: виброакустического, конструкций, тонкостенных

...Кн управляемом усилителе 7 (чтобы ограничить величину амплитуды возбуждающей силы в ближнихк опорам участках конструкции) и величину амплитуды колебаний Увблоке 5 сравнения в зависимости отисследуемой конструкции.45 лученному пику кривой судят о наличиидефекта и его местоположении в конструкции,Участки аР и 1 кривой получаютпри работе управляемого усилителя 7с максимальным усилением К , т.е.максфв ближних к опорам участках конструкции, При увеличении заданного максимального значения усиления К нма ксуправляемом усилителе 7 и при уменьшении заданной величины амплитуды колебаний 1 ц в блоке 5 сравненияэти участки уменьшаются,В результате за счет уменьшенияамплитуды возбуждающей силы снижаютПоследовательно изменяют местоположение...

Номер патента: 1330548

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Еременко, Медвинский, Рык

МПК: G01N 29/04

Метки: дефектоскоп, ультразвуковой

...6 входных импульсов. Сформированные синхроимпульсы (фиг. 26) отпирают ждущий мультивиб-ратор 7 с регулируемым временем задержки, вырабатывающий периодическую последовательность П-образных импульсов (фиг. 25), длительность которых может изменяться в пределах 0,5 15 мкс, Эти импульсы отпирают генератор 8 высокочастотных колебаний. На выходе последнего появляется ра-. диоимпульс (фиг, 2 г), длительность которого определяется шириной П-образных управляющих импульсов, а часто"га заполнения обуславливается периодом колебаний генератора 8 высокочастотных колебаний, Радиоимпульс через фильтр 9 низких частот (Фиг, 2) поступает на вход предварительного усилителя 10 (фиг. 2 е) и далее на усилитель 11.мощности (фиг. 2).В нагрузке...

Номер патента: 1330549

Опубликовано: 15.08.1987

Автор: Рожков

МПК: G01N 29/04

Метки: диагностики, конструкций, повреждаемости, элементов

...т,е, определяют пороговое значение принимаемой амплитуды акустической волныАО у , где (1 - коэффициент преобразования преобразователей 4 и 5АЭ. Цо величине А определяют предельный конфигурационный объем Ч,разрушения и величину энергии активации дефектов, не регистрируемыхпреобразователями 4 и 5 АЭ например, по формулам1 Ч 27А =-- - (1-соз );4% гс,иБ, -61 чц (б)26где г - расстояние от места разрушения до преобразователя 4АЭ,с - скорость звука в материалеконструкции;время действия источника=ссоб - предел текучести при 0 , К,В материале эталонного образца, аналогичного конструкции 1, создают напряженно-деформированное состояние, измеряют сумму амплитуд сигналов АЭП11, объем эоны разрушения Ч 50 М11;ыг,-Г,) Чоь55 Р=еЦ,+Еп для одномерной...