Высокотемпературный материал

Номер патента: 574869

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Маревич, Маурин, Плинер, Рутман, Таксис, Торопов, Устьянцев

МПК: H01B 1/06, H05B 3/03

Метки: высокотемпературного, материал, нагревательного, окисного, электродов, элемента

...для высокотемпературных окисных электронагревательных элементов широ кое применение получила платина.Однако платина имеет точку плавлеония 1770 С, а при температуре на рабочей части нагревательного элемента 2000 С в зоне контакта этого элемента с электродами развивается температура до 1800 С, и в результате плавления платины происходит нарушение электрического контакта. Это не позволяет повысить температуру в рабоо чем пространстве печи вьппе 2000 С при любой конструкции нагревательного элемента, хотя огнеупорность материала этого элемента допускает использование его при значительно более высоких температурах.оПри температуре выше 1600 С платина начинает интенсивно испаряться, что приводит к выходу электродов из строя....

Номер патента: 1823932

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Инкин, Князев, Кулик, Махов, Павлов, Самсонов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокотемпературной, иттрия, основе, пленки, сверхпроводящей, тонкой, формирования

...с энергией менее 1 эВ; потоком тяжелых части плазмы с энергией 0,1 эВ и потоком электромагнитного излучения10 эВ). Эти воздействия обеспечивают низко- температурную нетепловую модификацию пленок буферного слоя эа время воздействия менее одной секунды. Отсутствие высокоэнергетических частиц обеспечивает формирование совершенной кристаллической структуры на поверхности и в приповерхностном слое буферной пленки, что позволяет приблизить свойства буферных слоев к свойствам монокристаллических пластин соответствующих материалов. Обеспечивается согласование кристаллических структур ВТСП пленки и буферного слоя. В сочетании с очисткой поверхности от адсорбированных слоев это создает условия для формирования вышележащих ВТСП пленок...

Номер патента: 22979

Опубликовано: 30.09.1931

Автор: Краснопольский

МПК: G01M 10/00

Метки: изучения, прибор, размывания, течения, энергией

...перелом пятствования появлению пустот в потоке, . струи, обтекающей полое тело з, имеются подводится жидкость к отверстиям, сде- отверстия в, в и е, е, через которые ланным в местах перелома струи, распо- и подводится жидкость, при этом к отверложенным околочасти трубы, каковаястиям в, в жидкость подводится путем часть выполнена из размываемого мате-, а - б - в, а к отверстиям е, е путем ж е, риала.На чертеже фиг.1 изображаетпродоль- Предме т изобретения. ный разрез прибора для изучения размыва-ния материала энергией течения; фиг. 2 -Прибор для изучения размывания мате" поперечный разрез его.риала энергией течения с применениемПрибор состоит из трубы л, внутритрубы, с установленным в ней полым которой, с целью увеличения скорости...

Номер патента: 390050

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C04B 35/581

Метки: высокотемпературных, материал, огнеупорный, фильтров

...ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ФИЛЬТРОВ11 редмет изобретения Изобретение относится к металлургической промышленности, в частности к огнеупорным материалам для изготовления высокотемпературных фильтров для непосредственного определения газов в жидких алюминиевых спла. вах в плавильных печах при 680 - 870 СИзвестен огнеупорный материал на основе нитрида алюминия, Такой материал имет низкую пористость, которая не превышает 20%, а также низкую термическую стойкость.В целях устранения этих недостатков предЛагаемый огнеупорный материал содержит 60 - 90 вес.% нитрида алюминия и, кроме того, 10 - 40 вес,% магния.Огнеупорный материал получают следую. щим образом.Смешивают порошки пптрида алюминия и магния в необходимых количествах. Из...

Номер патента: 1515789

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Космына, Машков, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

...отношение размеров кристаллов вдоль оси с и размерам вдоль оси а составляет 0.16. а для предлагаемого способа 0.9.Параметры монокриствллов 40 45 50 УВаэ хЗгСоэОт-д.НоВаэ.хЗгСцзОт-д оптимальны (температура сверхпроводящего перехода - Тс соответственно равна 85 и 80 К) и получены беэ дополнительной термообработки. Ширина сверхпроводящего переРазмеры монокристаллов составляют0,7 х 0,7 х 0,6 мм, вдоль направления оси с размер составляет 0,6 мм, отношение размеров вдоль оси с к размеру вдоль оси а составляет 0,86.П р и м е р 3, Выращивание монокристаллов 08 аг-хЗгхСозОт-д.8 платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные ве щества в количестве, г: б 20 з 53,15; ВаСОз96,94; ЗгСОз 21,66: СцО 78,25; что соответствует...