180770

Номер патента: 1222149

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Брюхно, Жарковский, Комаров, Сахаров, Шер

МПК: H01L 21/74

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ, включающий формирование в монокристаллической кремниевой пластине локальных скрытых слоев, вытравливание канавок в пластине, защиту полученного рельефа диэлектриком, осаждение со стороны рельефа поликристаллического кремниевого опорного слоя, формирование монокристаллических областей, формирование в этих областях р-п-переходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и надежности интегральных схем путем повышения напряжения пробоя р-п-переходов, канавки вытравливают в пластине на расстоянии от локальных скрытых слоев, не меньшем глубины проникновения примеси скрытых слоев в пластину, после проведения операций защиты...

Номер патента: 1200778

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Бротиковский, Зайцев, Курцин, Рыбак

МПК: H01L 21/308

Метки: защищены, которых, кремниевых, никелирования, поверхности, полупроводниковых, свинцово-силикатными, стеклами, структур, участки

Способ никелирования кремниевых полупроводниковых структур, участки поверхности которых защищены свинцово-силикатными стеклами, включающий селективное травление поверхности структур через защитную маску, промывку в деионизированной воде, активацию поверхности в золотосодержащем растворе и химическое осаждение никеля, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, после селективного травления структуру подвергают дополнительной ультразвуковой отмывке в 10 - 30%-ном водном растворе уксусной кислоты и все процессы отмывки и активации структуры проводят при сохранении на ее поверхности защитной маски.

Номер патента: 1400019

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Максимов, Михайлова, Соловьева

МПК: C03C 8/24

Метки: герметизации, головок, интегральных, кремниевой, магнитных, подложке, стекло

СТЕКЛО ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МАГНИТНЫХ ГОЛОВОК НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающее B2O3, ZnO, GeO2, PbO и оксид ниобия, отличающееся тем, что, с целью повышения устойчивости к кристаллизации, в качестве оксида ниобия оно содержит Nb2O5 и дополнительно V2O5, Al2O3, Bi2O3 и Ta2O5 приследующем соотношении компонентов, мас.%:Ba2O3 15-20ZnO 22,8-35GeO2 15-21,5PbO 0,1-4Nb2O5 0,2-5V2O5 22,2-30,5Al2O3 3-6Bi2O3 0,1-5

Номер патента: 441244

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Зайонц, Рогожин, Тарасов

МПК: C03C 3/04

Метки: стекло

...повышение коэффициента термического расширения стекла до (120 в 1) 10 в1/град. Это позволяет успешно сваривать предлагаемое стекло с такими металлами, как никель и с такими сплавами, как легированные стали. Кроме того, склонность к кристаллизации такого стекла в процессе спекания и инертной среде значительно ниже по сравненгпо с известным составом. При этом высокая химическая устойчивость предлагаемого стекла сохраняется па уровне состава стекла, взятого в качестве прототипа. Объясняется это тем, что при разработке нового оптимального состава стекла была использована закономерность, установленная ранее. Она заключается в том, что в стеклах, содержащих ЬпОг и ХгОг до 18%, химическая устойчивость в щелочных растворах не зависит от...

Номер патента: 321988

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Инк, Иностранна, Иностранцы, Младший, Оуэне, Чарльз

МПК: C03C 3/095

Метки: лазеров, стекло

...на Т 10 г, ЬЬгОз П р и м е р 1. Приготовля ла высокого качества следу мол, % тОг 57,0 А 1 гОз 2,5 1.1 гО 27,5 СаО 10,0 ЕггОз 0,1 ЬгОз 3,0Стержни порядка /4 дюйма в диаметре и3 дюйма длины приготовляют из расплава и концы их отполировывают с допусками в узких пределах, Стержень помещают в эллин тическую емкость, внутренняя полость которой имеет гладко отполированную серебряную поверхность, В данном примере использовали линейную ксеноновую лампу-вспышку Е 686 ГХЛ-З.10 Энергия к лампе поступает от источникаэнергии, содержащего конденсаторы, емкостью порядка 2250 мкф, а напряжение меняют от 400 до 1000 в. Стеклянный лазерный стержень имеет порог накачки лазера только до 180 ди 15 электрической энергии в лампе, при этомстержни не изменяют...