180702

Номер патента: 120507

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Ябин

МПК: B01J 8/02

Метки: аппаратах, высокой, емкость, катализатора, проводимых, процессов, слое, температуре

...образуются трещины, что вызываст нсблагоприятное влияние на реакцию,Описываемая емкость для катализаторов имеет слабовыгнутое, загнутое по краям, дно. Небольшие деформации, возникающие при изменениях температуры, вызывают небольшие изменения радиусов, загиба края и образования трещин в слое катализатора не происходит.Таким образом, выполнение днища выпуклым устраняет вышеупомянутые недостатки. На чертеже показана предлагаемая емкость в разрезе. Емкость имеет форму чаши, состоящей из фланцевого кольца 1, цилиндрической части 2 и приваренного к последней выпуклого дырчатого днища 3.Радиус Й кривизны днища 3 равен примерно двум-трем диаметрам .0 чаши, а величина г кривизны загнутых краев днища 3 составляет около 0,015 - 0,025...

Номер патента: 612610

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Гленн, Джон, Николас

МПК: B01J 17/32

Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных

...на полом основанииб, внутрь которого при помощи впускного 7и выпускного 8 каналов может подаваться вола.Внутри камеры 1 установлена подставка 9,вращающаяся на вертикальной оси 10 и изготовляемая, например, из углерода. Подставка имеет форму шестигранной усеченной призмы, у которой каждая из шести наклонныхповерхностей 11 снабжена буртом 12 для установки на нем обрабатываемой полупроволниковой подложки 13.Ось 10 установлена на вертикальном валу 14, помещенном внутри муфты 15 и снабженном подшипником 16. Нижний конец вала 14 снабжен шкивом 7, который приводится в движение через ременную передачу 1825 от двигателя 19 с регулируемой скоростью.При работе реактора подставка 9 медленновращается в циркулирующих через камеру 1газа х.Смесь...

Номер патента: 427557

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Вагин, Лапидус, Николаева, Скворцов

МПК: C30B 25/02

Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных

...не наблюдается ухудшения структуры нарастающего слоя при концентрациях водяных паров вплоть до2110 мол.%. Наоборот, значительноуменьшается количество дефектовупаковки. Во избежание заметноговлияния на скорость роста гидролиза 60паров четыреххлористого кремния во-дяные пары следует вводить непосредственно в реакционную камеру, Поскольку при температурах 1160, СоводянывпаРы при точке росы выше 65-50 о С окисляют кремний, необходимопосле процесса роста производитьотжиг при 1250 ф С для удаления остатков влаги из газовой фазы. Продолжительность отжига определяетсягеометрией реактора, расходом водорода и не превышает 1-5 мин, т.е.времени, принятого по суцествующейтехнологии.П р и м е р 1. Эпитаксиальныеслои кремния акцепторного типа...

Номер патента: 736219

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Курицын, Мокрицкий, Шаховцов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных

...точечных. дефектов. При энергии электронов менее 4 МэВколичество и стабильность названных дефектовнедостаточны для образования явно выраженногоградиента концентрации носителей заряда, Кро.ме того, при таком значении энергии частиц,набор необходимой дозы облучения происхо 119 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 диз гд время 1 е.41 нпее пр к 1 ичееки 1 еие.1 е сообрд 1 ным ие 1 дх 11 кндние дко 1 н способа. Принергил чдси 11 бо 11 ее 5 МВ количество дефек 1 ов и их евойс 1 вд дков 11, 1 го обрд 1 уюзся необратимы и 1 менения с 1 рук 1 урпых свойств исходно 1 о м;периен 1 д, ухудшающие основные пдрдме 1 ры приборов, создаваемых на его основе, В связи с эим оптимальным следует считать диапазон значений быстрых электронов от 3 до 5 МэВ.П р и м е...

Номер патента: 451147

Опубликовано: 25.11.1974

Авторы: Гулидов, Котюков, Пекарев, Чистяков

МПК: H01L 7/36

Метки: автоэпитаксиального, кремния, слоя

...операция диффузии мышьяка на глубину 0,9 мкм при 1200 С включена в первую технологическую схему перед термическим окислением, а во вторую - непосредственно перед эпитаксией, По прежней схеме плотность дефектов упаковки составляет 10 з - 104 см -с преимущественным расположением их вне окон, При введении дополнительной операции в обоих случаях плотность дефектов упаковки составляет 10 - 10 см в , причем дефекты упаковки располагаются преимущественно по рискам, оставшимся после полировки подложки.Учитывая, что в процессе окисления и высокотемпературного газового травления перед эпитаксией происходит удаление поверхностного слоя кремния, следует выбирать глубину диффузии так, чтобы к операции эпитаксии сохранился тонкий приповерхностный слой...