Способ изготовления тензорезистивной структуры

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 9) (10 В 7/б 01 сс)гьуОМИТЕТ СССР ИЙ И ОТНРЬПИ ГОСУДАРСТВЕН ПО ДЕЛАМ ИЗО Фффс,с ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(71) Харьковский ордена ТрудовогоКрасного Знамени и ордена Дружбынародов государственный университетим. А.11. Горького(56) Авторское свидетельство СССРУ 1105753; кл. С 01 В 7/8, 1982(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНОЙ СТРУКТУРЫ(57) Изобретение относится к измерительной технике, к методам изготовления тензорезистивных структур.Изобретение позволяет упроститьтехнологию изготовления тензорезистивной структуры датчиков контактного сопротивления за счет того, чтоповерхность селена на подложке смачивают раствором хлорного железа,например, в ацетоне, по отношениюк которому слой селена являетсягидрофильным. Ацетон испаряется, ина поверхности селена остается тонкий однородный слой микрокристалловхлорного железа. Полученную такимобразом структуру помещают на поверность нагревательного элемента итермообрабатывают при 180-210 С.Контроль готовности тензорезистивной структуры производят непосред,ственно в процессе термообработки,замеряя сопротивление между металлическими обкладками с помощьюомметра при воздействии образцовойнагрузки. Для сохранения длительнойработоспособности тензорезистивнойструктуры подложку выполняют издиэлектрического материала. 1 з.п.ф-лы, 2 ил.Изобретение относится к измеригельной технике, а именно к тензометрическим датчикам, и может бытьиспользовано при изготовлении тензометрических датчиков контактногосопротивления,Цель изобретения - упрощение технологии изготовления тензорезистивной структуры.На фиг,представлена схема,поясняющая способ изготовления тенэореэистивной структуры; на фиг. 2 схема датчика давления,На фиг. 1 обозначены подложка 1,слой 2 селена гексагональной модификации, слой 3 раствора хлорногожелеза, а также нагревательныйэлемент 4.На фиг. 2 схематически изображены подложка 1, готовая тензочувствительная структура 5 датчика давления, а также металлические обкладки б и омметр 7 (Р - измеряемая сила)Способ изготовления тенэорезистивной структуры осуществляют следующим образом.На подложке 1 известным способомполучают слой 2 селена гексагональной модификации. Поверхность слоя2 сслена смачивают раствором хлорного железа (3), например, в ацетоне, по отношению к которому слой 2селена является гидрофильным.Ацетон испаряется, и на поверхности селена остается тонкий однородный слой микрокристаллов хлорного железа. Подложку 1 с нанесеннымна нее слоем 2 селена гексагональ-.ной модификации и слоем микрокристаллов хлорного железа помещают наповерхность нагревательного элемента 4 и термообрабатывают при180-210 С,Контроль готовности тенэорезистивной структуры 5 производят непосредственно в процессе термообработки, замеряя сопротивление меж ду Металлическими обкладками 6 спомощью омметра 7 при воздействииобразцовой нагрузки Р.Для сохранения длительной работоспособности тензорезистивной струк О туры 5 подложкувыполняют из диэлектрического материала.Использование предлагаемого способа изготовления тензорезистивной структуры позволяет значительно упростить технологию и снизить трудоемкость изготовления датчиков контактного сопротивления.10Формула изобретения1. Способ изготовления тензореэистивной структуры тензометричес 2 кого датчика контактного сопротивления, включающий нанесение на подложку слоя селена гексагональной модификации и обработку слоя селена врастворе хлорного железа, о т л и - 30 ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюупрощения технологии изготовлениятензорезистивной структуры, обработку поверхности слоя селена проводятсмачиванием раствором хлорного железа и производят термическую обработку при 80-210 С до готовностиструктуры.2, Способ по п. 1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью сохранения длительной работоспособности тензорезистивной структуры, подлож" ку выполняют из диэлектрического материала.пенк каз 19 36 Тираж 670 НИИПИ Государственн по делам изобретени 13035, Москва, ЖПодписного комитета СССРй и открытийРаушская наб., д. 4 оизводственно-полиграфическое нредприятие, г. Ужгород, ул, Проектн