Способ изготовления микросхемы
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
Способ изготовления микросхемы, включающий формирование диэлектрического основания путем нанесения слоя полиимидного лака на технологическую подложку, сушку слоя с последующей полимеризацией, формирование тонкопленочных элементов с помощью вакуумного напыления слоев и фотолитографии, удаление технологической подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества микросхем за счет улучшения физико-технологических характеристик диэлектрического основания, в качестве технологической подложки используют пластину кремния со слоем окисла, нанесение слоя полиимидного лака проводят в два этапа: на первом этапе лак наносят методом центрифугирования, а на втором этапе методом полива с промежуточной выдержкой между этапами в течение времени не более 5 с, причем после полива проводят выдержку до растекания лака по всей площади подложки.
Описание
Целью изобретения является повышение качества микросхем за счет улучшения физико-технологических характеристик диэлектрического основания, что достигается двухэтапным процессом формирования толстого слоя полиммида на технологической подложке из пластины кремния со слоем окисла
Сущность изобретения состоит в том, что полиимидный лак наносят на технологическую подложку в два приема: первую дозу лака наносят центрифугированием, а затем с выдержкой не более 5 с на неподвижную подложку наносят вторую дозу лака поливом и выдерживают при комнатной температуре до растекания лака по всей поверхности подложки, после чего выполняют сушку и полимеризацию лака.
Центрифугирование первого слоя лака проводилось при различном времени t 0-32 с и при разном числе оборотов центрифуги
1000, 2000, 3000, 4000 об/мин. Через 1 с методом налива подавалась вторая доза.Ниже представлена зависимость площади растекания (S,) второй дозы лака от времени центрифугирования первого слоя при разном числе оборотов центрифуги.
Критическое время центрифугирования для разного числа оборотов центрифуги это максимальное время центрифугирования, при котором площадь растекания второй дозы лака равна 100% Результаты эксперимента приведены ниже, где показана зависимость площади растекания (S,) второй дозы лака от времени выдержки (
) между центрифугированием и подачей второй дозы для критических значений времени центрифугирования. 
Нижний предел времени подачи методом налива второй дозы лака АД-9103 определяется условиями нанесения первого слоя, т. е. зависит от времени центрифугирования (t', c) и числа оборотов (
, об/мин). Верхний предел времени между центрифугированием первой дозы лака АД-9103 и наливом второй дозы 
с. При увеличении этого времени уменьшается площадь растекания второй дозы лака.П р и м е р. На кремниевую пластину марки КДБ-10 диаметром 40 мм со слоем окисла толщиной 0,6 мкм наносят полиимидный лак марки АД-9103, после чего кремниевую пластину вращают на центрифуге со скоростью 1000 об/мин в течение 30 с. Затем через 4 с в центр кремниевой пластины, покрытой тонкой пленкой лака, подают 0,45 мл того же лака и выдерживают при комнатной температуре до растекания лака по всей поверхности. Затем отверждают лак при температуре 350oС в течение 6 ч. На полученной подложке с помощью стандартных процессов напыления и фотолитографии формируют тонкопленочную микросхему, после чего микросхему на полиимидном основании отделяют от кремниевой пластины путем стравливания окисла кремния в плавиковой кислоте. Толщина полиимидного основания составляет 40 мкм.
Изобретение позволяет улучшить качество микросхемы в результате улучшения физико-технологических характеристик гибкого полиимидного основания, изготавливаемого на технологической подложке из пластины кремния со слоем окисла. Способ изготовления микросхем включает нанесение полиимидного лака на пластину кремния в два этапа: первую дозу лака наносят центрифугированием, а затем с выдержкой не более 5 с на неподвижную подложку наносят вторую дозу лака поливом и выдерживают при комнатной температуре до растекания лака по всей поверхности подложки, после чего проводят сушку и полимеризацию лака. На полученном основании с помощью вакуумного напыления слоев и фотолитографии формируют тонкопленочную схему, после чего пластину кремния удаляют, стравливая окисел кремния плавиковой кислотой .
Заявка
4471523/21, 20.05.1988
Корпухин А. С, Жуков А. А, Полищук Б. Ф
МПК / Метки
МПК: H05K 3/00
Метки: микросхемы
Опубликовано: 20.07.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1556521-sposob-izgotovleniya-mikroskhemy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления микросхемы</a>
Способ получения эпитаксиальных слоев кремния
Номер патента: 612610
Опубликовано: 25.06.1978
МПК: B01J 17/32
Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных
...на полом основанииб, внутрь которого при помощи впускного 7и выпускного 8 каналов может подаваться вола.Внутри камеры 1 установлена подставка 9,вращающаяся на вертикальной оси 10 и изготовляемая, например, из углерода. Подставка имеет форму шестигранной усеченной призмы, у которой каждая из шести наклонныхповерхностей 11 снабжена буртом 12 для установки на нем обрабатываемой полупроволниковой подложки 13.Ось 10 установлена на вертикальном валу 14, помещенном внутри муфты 15 и снабженном подшипником 16. Нижний конец вала 14 снабжен шкивом 7, который приводится в движение через ременную передачу 1825 от двигателя 19 с регулируемой скоростью.При работе реактора подставка 9 медленновращается в циркулирующих через камеру 1газа х.Смесь...
Способ обработки эпитаксиальных слоев кремния
Номер патента: 736219
Опубликовано: 25.05.1980
Авторы: Курицын, Мокрицкий, Шаховцов
МПК: H01L 21/263
Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных
...точечных. дефектов. При энергии электронов менее 4 МэВколичество и стабильность названных дефектовнедостаточны для образования явно выраженногоградиента концентрации носителей заряда, Кро.ме того, при таком значении энергии частиц,набор необходимой дозы облучения происхо 119 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 диз гд время 1 е.41 нпее пр к 1 ичееки 1 еие.1 е сообрд 1 ным ие 1 дх 11 кндние дко 1 н способа. Принергил чдси 11 бо 11 ее 5 МВ количество дефек 1 ов и их евойс 1 вд дков 11, 1 го обрд 1 уюзся необратимы и 1 менения с 1 рук 1 урпых свойств исходно 1 о м;периен 1 д, ухудшающие основные пдрдме 1 ры приборов, создаваемых на его основе, В связи с эим оптимальным следует считать диапазон значений быстрых электронов от 3 до 5 МэВ.П р и м е...
Способ получения эпитаксиальных слоев кремния
Номер патента: 427557
Опубликовано: 30.11.1983
Авторы: Вагин, Лапидус, Николаева, Скворцов
МПК: C30B 25/02
Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных
...не наблюдается ухудшения структуры нарастающего слоя при концентрациях водяных паров вплоть до2110 мол.%. Наоборот, значительноуменьшается количество дефектовупаковки. Во избежание заметноговлияния на скорость роста гидролиза 60паров четыреххлористого кремния во-дяные пары следует вводить непосредственно в реакционную камеру, Поскольку при температурах 1160, СоводянывпаРы при точке росы выше 65-50 о С окисляют кремний, необходимопосле процесса роста производитьотжиг при 1250 ф С для удаления остатков влаги из газовой фазы. Продолжительность отжига определяетсягеометрией реактора, расходом водорода и не превышает 1-5 мин, т.е.времени, принятого по суцествующейтехнологии.П р и м е р 1. Эпитаксиальныеслои кремния акцепторного типа...
Способ получения автоэпитаксиального слоя кремния
Номер патента: 451147
Опубликовано: 25.11.1974
Авторы: Гулидов, Котюков, Пекарев, Чистяков
МПК: H01L 7/36
Метки: автоэпитаксиального, кремния, слоя
...операция диффузии мышьяка на глубину 0,9 мкм при 1200 С включена в первую технологическую схему перед термическим окислением, а во вторую - непосредственно перед эпитаксией, По прежней схеме плотность дефектов упаковки составляет 10 з - 104 см -с преимущественным расположением их вне окон, При введении дополнительной операции в обоих случаях плотность дефектов упаковки составляет 10 - 10 см в , причем дефекты упаковки располагаются преимущественно по рискам, оставшимся после полировки подложки.Учитывая, что в процессе окисления и высокотемпературного газового травления перед эпитаксией происходит удаление поверхностного слоя кремния, следует выбирать глубину диффузии так, чтобы к операции эпитаксии сохранился тонкий приповерхностный слой...
Способ измерения толщины эпитаксиальных и диффузионных слоев кремния
Номер патента: 561926
Опубликовано: 15.06.1977
МПК: G02F 1/00
Метки: диффузионных, кремния, слоев, толщины, эпитаксиальных
...границы, а металлическим зондом осуществляют давление на пластину в пределах упругих деформаций.10 Способ основан на том, что под давлением:пирина запрещенной зоны кремния уменьшается. Следствием этого свойства является интенсивное поглощение кремнием света с длиной волны более .р (красная граница) в об ластях, подвергшихся давлению. Поглощениесвета приводит к генерации подвижных носителей в той же области и возникновению фото-ЭДС на р - и переходе. Если давление создавать точечным зондом, то область сдавлен ного кремния и, следовательно, область генерации подвижных носителей определится размерами зонда, снлои давления н может быть сделана значительно меньше размеров измеряемых слоев и размеров элементов интег ральных схем. В этом...
Предыдущий патент: Влагоотделитель для систем кондиционирования воздуха на летательных аппаратах
Следующий патент: Устройство для регулирования потока парашютистов
Случайный патент: Хлопкоуборочная машина