Способ изготовления запоминающего бистабильного элемента
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО БИСТАБИЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА, основанный на подаче напряжения в обратном направлении на электроды перехода диодной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления элемента с заданными свойствами, облучают переход диодной структуры и изменяют величину подаваемого напряжения в зависимости от расстояния между электродами диодной структуры.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами, протонами и нейтронами с энергией 105 107 эВ и дозой облучения 1015 1018 эл/см2.
Описание
Известно устройство, в котором частично реализуется данный способ.
Наиболее близким к описываемому является способ изготовления запоминающего бистабильного элемента с барьером Шотки, сохраняющего информацию при отключении питания, выполненного на эпитаксиальной пленке арсенида галлия. Запоминающий бистабильный элемент имеет два контакта: омический и барьерный. При изготовлении элемента на контакты барьера Шотки подают высокое напряжение в обратном направлении, величину которого изменяют в зависимости от удельного сопротивления эпитаксиальной пленки.
Известный способ изготовления запоминающего бистабильного элемента не позволяет получать элементы с заданным сопротивлением в высокопроводящем состоянии и изменять режим изготовления для получения элемента с параметрами, соответствующими логическим уровням других элементов.
Целью изобретения является повышение надежности изготовления запоминающего бистабильного элемента с заданными свойствами.
Поставленная цель достигается тем, что при изготовлении запоминающего бистабильного элемента, основанном на подаче напряжения в обратном направлении на электроды перехода диодной структуры, перед подачей напряжения облучают переход диодной структуры и затем изменяют величину подаваемого напряжения в зависимости от расстояния между электродами диодной структуры. При этом облучение проводят электронами, протонами и нейтронами с энергией 105 107 эВ и дозой облучения 1015 1018 эл/см2.
Запоминающие бистабильные элементы могут быть получены по данному способу на следующих материалах и структурах: стеклообразные полупроводники на основе V2O5 P2O5, гетеропереходы n (ZnSe)-p (Ge), эпитаксиальные пленки арсенида галлия, структуры кремний-прижимной металлический контакт, структуры металл-кремний-металл.
При использовании эпитаксиальной пленки арсенида галлия получают запоминающий бистабильный элемент с сопротивлением в высокопроводящем состоянии 2-7 Ом, а в низкопроводящем 2-4 кОм, тогда как элемент, полученный по известному способу, имеет сопротивление соответственно 2-7 и 50-100 Ом.
Полученные по предлагаемому способу элементы обладают высокой воспроизводимостью заданных свойств и сохраняют записанную информацию в диапазоне температур от -250 до +150оС.
Заявка
2132817/242132818/24, 08.05.1975
Панфилов Б. А, Симаков В. В, Воробьев А. В, Колмогоров Г. Д, Елинсон М. И, Степанов Г. В
МПК / Метки
МПК: G11C 11/34
Метки: бистабильного, запоминающего, элемента
Опубликовано: 09.06.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-548180-sposob-izgotovleniya-zapominayushhego-bistabilnogo-ehlementa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления запоминающего бистабильного элемента</a>
Предыдущий патент: Способ раскисления металлических расплавов и устройство для его осуществления
Следующий патент: Способ изготовления мдп-транзисторов
Случайный патент: Устройство деления частоты следования импульсов