Амплитудный модулятор

326700 Сооз Сазетскиа Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваК 1 Т. 11 03 с 14 Заявлено 07.17.1970 ( 1424344/26-9 прцсоединенцем заявкияритет Комитет по делам зобретений и открьиийДК 621,376,2(088.8) Бюл тетень Уо писания 3.111.197Опубликовано 19.1,1 Дата опубликования при Сосете Министро СССР, Ч. В. Мачюлайтис Институт овской С оводников АН ики п явитель АМПЛ ИТУДН Ы Й ЛЯТО магнита подается к зажимам 4электромагнита и может бытьУзлы б, 7 соответственно вводасущей частоты расположены у5 ней пластины. Омические конвыполнены на противоположныхрехода и соединены с источнцкозщего напряжения 10. Узлы вврасположены таким образом, чт0 мое (воспринимаемое) ими вымагнитное поле перпендикулярнму магнитному полю. Узлы ввода и вывода в зависимости от 1 диапазона частот и типа устройства, в составкоторого входит предложенный модулятор, могут быть выполнены в виде катушек индуктивности или полосковых линий.Для исключения прямой наводки из узл 20 ввода в узел вывода они расположены поуглом, близким к прямому. а д дложенныи ампл При поступлении э.д.с. несущ узел ввода б возбуждает в н 25 электромагнитом 2 плазме нос содержащихся в полупроводнико 1, геликонную волну, распрос вдоль постоянного магнитного п ное поле этой волны наводит в 30 э.д.с, той же несущей частоты.еи частоты, амагниченной ителей тока, вой пластине траняющуюсяоля. Магнитзле вывода 7 полупроводнапример, юе магнитто ее широиловым лиляется реходом постоян 2 так, ч лярны с итания электро Изобретение может применяться в устройствах для непрерывной модуляции, .для импульсной амплитудной манипуляции, а также для одновременной модуляции быстропеременным и медленно меняющимся сигналами в диапазоне частот несущей от 1 - 1000 Мгц.Известны амплитудные модуляторы, содержащие полупроводниковую пластину, помещенную в магнитное поле, и источники модулирующего и модулируемого сигналов. Однако известшле модуляторы не обеспечивают модуляции быстропеременным сигналом.Целью изобретения является увеличение быстродействия.Это достигается тем, что полупроводниковая пластина выполнена с глубоко лежащим плоским переходом, например, р-п типа, а омические контакты на противоположных сторонах перехода соединены непосредственно с источником модулирующего напряжения. На чертеже показан п тудный модулятор. Основой модулятора я пиковая пластина 1 с п р-п типа, помещенная в пое поле электромагнита кие плоскости перпендик виям поля,Напряжение от блока5 обмотки регулируемо. и вывода нешироких гратакты 8 и 9 сторонах пет модулируюода - вывода о возбуждаесокочастотное о постоянно326700 Предмет изобретения Составитель К. Виноградов Техред Е. Борисова Редактор В. Левитов Корректор Т, Миронова Заказ 5164 Изд.91 Тираж 448 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, )К, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 3Если в некоторый момент благодаря приложенному к контактам 8 и 9 модулирующему напряжению ток через переход протекает в пропускном направлении, то э.д,с., наведенная гелоконной волной в узел вывода возрастает. При токе, протекающем через переход в обратном направлении э.д.с, в узле вывода уменьшается и при определенной величине обратного напряжения может быть сведена до нуля. Для увеличения коэффициента передачи по мощности при модулирующем токе, протекающем в пропускном направлении, магнитное поле устанавливают близким к значению, прп котором в полупроводниковой пластине возникает геликонный резонанс,Амплитудный модулятор, содержащийисточник питания, подсоединенный к обмотке электромагнита, полупроводниковую пластину, помещенную в перпендикулярное к ее широким плоскостям постоянное магнитное поле электромагнита, узлы ввода и вывода несущей частоты, расположенные на широких 10 гранях пластины и источник модулирующегонапряжения, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия, полупроводниковая пластина выполнена с глубоко лежащим плоским переходом, например р-п типа, а 15 омические контакты на противоположныхсторонах перехода соединены непосредственно с источником модулирующего напряжения.