Уточкин

Номер патента: 1834943

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Беляков, Думский, Корнилова, Ржевский, Скворцов, Уточкин, Чередникова

МПК: D21H 19/18, D21H 27/10

Метки: гофрированного, картона, пропитки, состав

...требованиям ТУ 13-04-638- 82 на картон гофрированный импрегнированный. При этом у пропитанного предлагаемым составом гофрокартона сопротивление торцевому сжатию в сухом и влажном состоянии (соответственно, 129 н/см и 83,1 н/см против 87,1 н/см и 17,0 н/см и влагопрочность 64,3% против 19,5%) выше, чем у пропитан ного известным составом гофрокартона, Впитываемость воды у обоих видов образцов примерно одинакова.П р и м е р 3. Пропитку образцов гофрокартона проводят расплавом смеси парафина и нефтеполимерной смолы, взятых в следующих соотношениях, мас, :парафин 80нефтеполимерная смола 20Основные физико-механические показатели образцов гофрокартона, пропитанных предлагаемым и известным составами, приведены в табл.3.Из приведенных в...

Номер патента: 1805922

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Голуб, Кулагин, Уточкин, Шубин

МПК: A61B 17/36

Метки: биологических, рассечения, тканей

...биологических тканей состоит из корпуса, в котором размещен электронож, соединенный с накопителем, к которому подведены два трубопровода для ввода и вывода хладагента, и кнопка.Способ рассечения риологических тканей с помощью вышеописанного устройства реализуется следующим образом.В исходном состоянии через трубопровод протекает хладагент (жидкий азот), охлакдаощий накопитель и электронож, При контакте электроножа с биологической тканью последняя охлаждается в месте контакта, Электрод вводится в ткань вблизи электроножа, Электрический сигнал проходит от генератора через электронож, ткань и поступает на вход измерителя электросопротивления, По мере роста охлаждения ткани ее электрическое сопротивление растет, а величина сигнала на...

Номер патента: 1782533

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Алентьев, Бехтерев, Голуб, Толстых, Уваров, Уточкин, Фот

МПК: A61B 5/02

Метки: диагностики, конечностей, кровоснабжения, состояния

...личающийся тем,ч ния точности способа и лец подвергают ко охлаждению контактн способом, дополнител ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССР(ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ)ч 1261625, кл, А 61 В 5/ ОСТИКИ СОСТОЯНИЯ КОНЕЧНОСТЕЙ носится к медицине, а льным методам исслеретения - обеспечение щения процедуры прокальным охлаждением в тела. Для этого проИзобретение относится к медицине, а именно к функциональной диагностике заболеваний артерий конечностей.Цель изобретения - повышение точности способа и его упрощение,Способ реализуется следующим обраПалец обследуемого пациента помещают в специальное устройство, которое с помощью блока термобатарей и системы жидкостного охлаждения обеспечивает равномерное охлаждение...

Номер патента: 1758834

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Розов, Уточкин

МПК: H03H 11/12

Метки: активный, высокочастотный, фильтр

...обратной связью по напряжению, что при больших уровнях входного сигнала приведет к уменьшению выходного сопротивления транзистора 5, а, следовательно, и к уменьшению коэффициента передачи транзистора 2 по коллекторной цепи, Резистор 12, с выходным сопротивлением транзистора 5 образует делитель напряжения на пути прохождения сигнала на базу транзистора 4, Все это приводит к уменьшению амплитуды напряжения на переходе база - эмит ер транзистора 4, в связи с чем транзистор 4 окажется в нелинейном режиме работы при достаточно больших напряжениях входного сигнала. При этом уменьшение коэффициента передачи по цепи обратной связи не ухудшает добротность фильтра, так как согласно (9) и (10) в контур вносятся четыре составляющих .сопротивления,...

Номер патента: 1702914

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Кирсанов, Рочев, Уточкин

МПК: A01C 21/00, A01C 23/02

Метки: внесения, жидкостей, концентрированных, почву

...жидкостно-воздушной смеси по предлагаеиспользованный в- устройстве принцип мому способу.предварительного дробления жидкости по Схема вкл.очает резервуар 1 для жидкоэволяет расширить диапазон применения сти, насос 2. напорную магистраль 3 жидкоустройстваизапределамипараметровспо- сти с манометром 4 давления жидкости,соба. а также значительно понизить затраты многопоточный смеситель-распределительэнергии воздуха на внесение жидкостей, 5, имеющий газораспределительную голочто служит основой для разработки нового 40 вку б и жидкостную форсунку 7, воздуходувспособа внесенияжидкостей в смеси с газа- ное устройство 8 напорную возрну воздушнуюми в почву при понижейнам напоре и расхо- магистраль 10 с расходомером 9 воздухаде газа:. . воздушным...

Номер патента: 1681849

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Голуб, Уточкин

МПК: A61B 18/02, A61B 18/08

Метки: биологических, рассечения, тканей

...контакты 25 реле управления электромагнитом 5016, расположенным на крышке 9, находятсяв положении, отталкивающем сердечник 15,расположенный на осевом клапане 14, которцй фиксируется в положении, перекрывающем центральное отверстие 12 втулки 11, 55В этом положении хладагент поступает через входной патрубок 17 в полость среднегоцилиндра 7 и свободно удаляется из негочерез центральное отверстие 13 вту, ки 10 вполость внутреннего цилиндра 8. а затем через выходной патрубок 20 в атмосферу. При замыкании контактов реле микропереключателя 5 автоматически отключается вакуумная линия 27 перепускным клапаном 29, переключаются контакты 26 в положение, обеспечивающее притяжение электромагнитом 16 сердечника 15, с одновременным открытием...

Номер патента: 1672556

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Розов, Уточкин

МПК: H03H 11/00

Метки: активный, фильтр

...включен по схеме с общим коллектором. Этот транзистор 3 преобразует сопротивление резистора 5 в)-выхз = В 5/ О)тэ (10)И Ввыхэ = В 5 а емкость конденсатора 9 - в Свыхз = Сд; Ввыхз = 1 / (Мтз Сд ), (11) где В 5 - сопротивление резистора 5; Сд - емкость конденсатора 9; атз - частота единичного усиления тран зистора 3.Полученные в (10) и (11) выходные импедансы транзистора 3 включены последовательно с резистором 12. Если теперь временно исключить из схемы конденсатор 40 8, то выходной импеданс схемы будет определяться выражениями(8)-(11), т,е,лредставлять собой параллельный колебательный контур, с индуктивностью(10) и емкостями(8) и (11). Кроме этого, за счет отрицательного сопротивления (9) возможна компенсация потерь, определяемых...

Номер патента: 1672552

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Гончаренко, Уточкин

МПК: H03D 1/18

Метки: амплитудный, детектор

...напряжение на втором резисторе 7 (оба напряжения отрицательны относительно общей шины. Сопротивление резистора ВС- фильтра 4 нагрузки выбирают в несколько раз меньшим, чем второго резистора 7. Разницей напряжений на коллекторе и базе второготранзистора 2 дополнительный конденсатор 8 большой емкости (емкость выбирают такой, чтобы напряжение на нем мало изменялось за период напряжения частоты модуляции) заряжается до напряжения 0,3 - 0,4 В. В момент действия отрицательной полуволны огибающей амплитудно-модулированного сигнала при отсутствии допол 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 нительного конденсатора 8 произошла бы отсечка этой полуволны огибающей эа счет достижения порога детектирования и запирания база-эмиттерного перехода второго...

Номер патента: 1650101

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Бернцева, Лушицкий, Макиенко, Уточкин

МПК: A61B 17/00

Метки: грыжи, лечения, пупочной, хирургического

...хирургическом лпочной области. Цель иснижение числа рецидивов г Изобретение относится кименно к герниологии и может бзовано при хирургическом леченпочной области.Цель изобретения - снцидивов грыж.Способ осуществляют следующим образом.Разрез пупочного кольца делают дугообразным изгибом вниз, причем дугообразный разрез слева и справа по отношению к белой линии живота проходит над пупочным кольцом. а в области нижней части пупочного кольца апоневроз только отслаивают.Дубликатуру формируют путем наложения нижнего (каудального) лоскута апоневроза на верхний (краниальный). При этом края апоневроза дополнительно фиксируют вторым рядом П-образных швов, расположенных по отношению к основному в шахматном порядке. почного кольца делают...

Номер патента: 1649097

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Бевз, Блинов, Уточкин

МПК: E21D 1/00

Метки: вертикального, водоносных, горизонтах, проходки, ствола

...Скважины 1 бурят.на расстоянии . - 25одна от другой во всех уровнях в пределах водоносного горизонта, не превьппающем расстояние от скважины 1до породной стенки ствола.Способ проходки вертикальных шахтных стволов реализуется следующимобразом,Забой ствола останавливают за3-4 м до кровли водоносного горизонта 3 и бурят с него разведочную скважину (не показана) с целью уточнения степени обводненности водоносных пород и определения напора подземных вод. После этого по периметру ствола через бетонную крепь 2 бурят наклон ные скважины 1 до почвы водоносного горизонта 3,Разгрузочные скважины 1 бурят таким образом, чтобы кратчайшее расстояние между любыми двумя соседними 45 скважинами 1 - Ь, измеренное на лкбом уровне в пределах...

Номер патента: 1647877

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Камбуров, Уточкин

МПК: H03K 5/26

Метки: временных, допускового, импульсами, интервалов, между

...блока формирователя 5 записывается нулевая информация, Таким образом, а течение требуемого интервала времени на выходе запоминающего блока формирователя 5 формирует - строб положительной полярности, который подается на второй вход элемента И 6, а также на Р-вход триггера 7.Входной импульс, поступает на С-вход триггера 7 и на первый вход элемента И 6. Если входной импульс поступает в моментвремени Ьх, находящийся внутри интервала, заданного временем начала Ь и временем окончания 1 о, т.е. хнтвх1 о, то он проходит через элемент И 6, так как на его второй вход поступает строб с выхода формирователя 5. Импульс с выхода элемента И 6 поступает на Б-вход триггера 2, Триггер 2 устанавливается в состояние логической "1", с его выхода...

Номер патента: 1646045

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Гончаренко, Уточкин

МПК: H03F 3/42

Метки: высокой, усилитель, частоты

...второго каскада усиления на втором транзисторе 2.По постоянному току первый транзистор 1 включен диодом, так как его коллектор и база соединены через кизкие сопротивления первого дроссеяя 6 и источника входного сигнала. Постоявное напряжение с первого транзистора 1 в диоднои включении приложено меж" ду базой и эмиттером второго транзистора 2, что обеспечивает независимость тока коллектора этого транзистора от температуры, причем первый и второй транзисторы 1 и 2 должны бвггь согласованы, т.е. иметь одинаковые параметры.Особенностью работы первого каскада усилителя на первом транзисторе 1 является равенство кулю нвнряжения коплектор-база этого транзистора, Это, однако, не отражается нв его усилительных свойствах, так квк напряжение...

Номер патента: 1589369

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Гончаренко, Девяткин, Уточкин

МПК: H03D 1/18

Метки: амплитудно-модулированных, детектор, сигналов

...в 50300 раз по сравнению с прототипом,благодаря чему во столько же разуменьшается входное напряжение порога.линейного детектирования, т,е, увеличивается чувствительность,С коллектора транзистора 3 усиленный амплитудно-модулированный сигналподается на вход эмиттерного повторителя, выполненного на транзисторе6 и выполняющего роль детектирующегонелинейного элемента. Детектированиеосуществляется за счет отсечки эмиттерного тока при отрицательных полуволнах высокочастотного колебания.При соответствующем выборе постоянной времени цепи нагрузки на выходедетектора амплитудно-модулированныхсигналов выделяется огибающая входного амплитудно-модулированного сигнала. Для расширения динамическогодИапазона детектор амплитудно-модулированных сигналов...

Номер патента: 1588778

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Горелов, Грачев, Семушкин, Уточкин

МПК: C21C 5/54

Метки: переплава, смесь, шлакообразующая, электрошлакового

...чало ночи унос Э- - 1 18,8- 6,г 1, г,вести 1040- 3,0" 1,6" 0,6- О,О190 3,2 1,7 0,7 9 ЭОО 2;3,0 37,з Предии гаем вя 15 2 О 25 ЭО 85 55, 80 49, 75 46, 1 о а 1,65 31,3 о,з 0,8 12, О,В 4, 1,О 17, 1,Э 17,В,Э 5,2 1 О,В В,З 1 з,г: 1 о,1 15,0 13,1 16,7 15,1 О,О,1040 1040 1020 1000 970 180 З,Э 1 1,80 1180 Эз 37 1 ювг 1090 Эузг 1,80 1070 3,27 1,76 1060 3,20 1,70 16,1 15,6 12,7 10,4 9,9,8 0,10 8 006 0,8 О,0,75 О,0,7 О,1,5 1,а 1,6 черных металлов установлено на основании лабораторных исследований и опытно-промышленного опробования,С увеличением содержания фпюорито.вого известняка в смеси более 307.5рафинирующие свойства ее не улучшаются, а резко увеличивается разъеданиефтористыми соединениями футеровкипечи и увеличивается выброс в атмос Оферу...

Номер патента: 1587622

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Розов, Уточкин

МПК: H03H 11/00

Метки: активный, высокочастотный, полосовой, фильтр

...и отрие 1 ятельного сопротивления:(10) а кост ра 1 ктора трацэис противлецие б 9 паралреходузцачительние разброисторов 1 и г - со то Далее трэы транэ ЛЮЧЕЦНЫ ацзистор 3, вконвертирует базу (с учет алее через ко иде хеме Свв, с м коцденса денсатор 8 й тра еикос эмиттера ца тора 9) ц д на вход в в тра араиетры фильтра. олебательный коцуктевцост(5) С +С юыхэ цо -сятся ицательць ичде о,". силеаллельцое соедиточцика сигнала акоп ветви с зистора эмиттер В резтруктур р у )1,отрицателмое в эк контур, так как прямо тоты, а обратно частоты,торые 1 с его на вход щих; асширить активног пазона ч конденсавысокочастотого фильтраыми и емкостным определяется составляющими (1), (3), (5) параметры гвсех транзист ндукт не изменяетс...

Номер патента: 1587621

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Розов, Уточкин

МПК: H03H 11/00

Метки: активный, фильтр

...составляющая (1) ц две емкостные составляющие (6) и (9), которые образуют эквивалентный колебдтельцый контур и определяют резонансную .частоту фильтра, которая определяется по следующей Формуле: 4 = 4 Г Выхю 7(14 - Г ьых 1) (8) Емкость С юы, конвертируется третим транзистором 3 нд выход без изменения, т.е. цо ы Г/(Р 4 Сс 2 г +Г+Йз ++ ы Г С /г +Г 1)1. (10) В эквивалентный колебательный контур вносится отрицательная составляющая активного сопротивления, определяемая выражением (5). Это позволяет частично скомпенсироватьвносимые активные сопротивления, определяемые выражениями (2) и (4), атакже сопротивление нагрузки и темсамым повысить нагруженную добротность эквивалентного контура. Следуетотметить, что в эмиттерных цепяхпервого и второго...

Номер патента: 1566461

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Гончаренко, Розов, Уточкин

МПК: H03D 7/14

Метки: частоты

...т.е. подавляет частоту Е на выходе 14,Если на базе транзистора 11 гетеродинное напряжение положительно имаксимально (пик положительной полуволны), то коллекторный ток транзистора 11 увеличивается, а коллекторный ток транзистора 12 соответственно уменьшается, т,е. происходит перераспределение тока ГСТ. Усиление транзистора 11 становится больше, чемусиление транзистора 12, а следовательно, сигнал на эмиттере транзистора 13 становится больше, чем на егобазе, т.е, между базой и эмиттеромтранзистора 13 появляется преобразованный сигнал Этот сигнал усиливается транзистором 13 и появляетсяна выходе 14 с той же фазой, что исигнал на его эмиттере, т,е, напряжение сигнала на эмиттере транзистора 13 больше, чем на его базе, а вэтом случае он не...

Номер патента: 1518075

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Власов, Кириллова, Николаенко, Петров, Уточкин, Хоботов, Чикунов

МПК: B22D 7/12

Метки: защитный, изложницы, разливки, стали, элемент

...гношение рыли(а врпени вине ллинц большей оси эгпипс; р 3, д лиастр отверстия р;н( и1 бол(,и(ей оси эллипс,(. Ик (ом(. Ип(о п(еннцй и н(логретцй иллн,н; )лт;ндвли(дкг пот ретук) и.(доквин и твляк)т и ивк, свер Ф(рм ил;,мен )в )"ест прои(1 к ос)"(вит ) н) поверки(1 ть к 1 1 к 1, м )с (,1.1,ч. (то оп сос гнс рИпп м И)1) св(11 Ик11 Г)( ) )с ,11,ем(. г(ов 1 ил ВЕ(. Е О,11 ОО Э,ЕЕр г 1( иТк1 1 . вк ста, н( с прим(.н(.нис и.1)кв(,(, э,ементов ол ивсгвляк) г слелчоп(им (б Р)1 ( )Ч11,11 ковце эгеентц, иготов,1(нн 1 ии л(ро Ик и псле(1 ипитны чТерн(гон. Им(кипи "еч пердт р .лавки ния значи. (, ьнни к с те Иердтчры и тив 1 ен и)1 м(. г п(чсп(к)т ло заливки метдлл нд,и(о и .(о книпь Изл)книпу перел этим красят и. встковцч,(.нкоч, (етп(лснцеские...

Номер патента: 1517116

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Гончаренко, Уточкин

МПК: H03D 7/14

Метки: балансный, смеситель

...сигнала в цепь делителя 20,Первый 5 и второй 6 полевые транзисторы работают без постоянного напряжения на стоках в режиме управляемой проводимости, не изменяя режим первого 1 и второго 2 транзисторов. Однако часть гетеродинного напряжения через проходные емкости первого 5 и второго 6 полевых транзисторов, четвертый 14 и пятый 15 конденсаторы будет проникать на коллекторы первого 1 и второго 2 транзисторов. Для подавления этих налряжений гетеродинаа также для обеспечения большого сопротивления по переменному току в коллекторных цепях первого и второго транзисторов используется дифференциально-компенсирующий каскад, выполненный на третьем 3 и четвертом 4 транзисторах. Второй резистор 8 является нагрузкой эмиттерной цепи третьего 3 и...

Номер патента: 1461450

Опубликовано: 28.02.1989

Авторы: Брикова, Еделькин, Крушельницкий, Лущицкий, Потешин, Уточкин

МПК: A61G 1/00

Метки: носилки

...ул. Гагарина, О Изобретение относится к медицинскойехнике, в частности к устройствам для пееноски пострадавших.Цель изобретения - обеспечение трансйортировки в узких извилистых пространствах,Использование предлагаемого устройства1 озволяет ускорить и облегчить транспорировку пострадавшего по узким и извилисым пространствам.На чертеже представлены носилки, общийид.Носилки состоят из трубчатой основы,ыполненной из звеньев 1, ручек 2, попарнооединенных посредством распорок 3, и по отнища 4, подвешенного на распорках 3 сгомощью лямок 5 и скоб 6. Звенья 1 соеинены между собой с помоцью шарниров 7,оторые выполнены таким образом, что обесечивают перемещение звяньев 1 относительо друг друга только в плоскости осей руек 2, при этом крайние...

Номер патента: 1458965

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Матюшкин, Уточкин

МПК: H03F 3/18

Метки: датчика, индуктивного, сигналов, усилитель

...и других Финдуктивных датчиков слабых сигналов.Другой особенностью каскада с ОК на первом транзисторе 1 является высокое входное сопротивление, что объясняется не только свойством каскада с ОК иметь повьппенное входное сопротивг 1 ение, но и отсутствием в предлагаемой схеме резисторов устанойки базового смещения, которые в известных схемах существенно снижают входное сопротивление и увеличивают коэффициент шума.Особенность включения индуктивного датчика исключает применение в предлагаемой схеме входного разделительного. конденсатора, являющегося источником низкочастотных шумов изза наличия токов утечки и увеличения модуля комплексного сопротивления источника сигнала на низких частотах. Исключить разделительный конденсатор можно и в...

Номер патента: 1457144

Опубликовано: 07.02.1989

Автор: Уточкин

МПК: H03F 3/45

Метки: дифференциальный, усилитель

...току, одновременно токоэадающий резистор 9 яв ляется нагрузкой первого каскадаВторой резистор 14, имеющий сопротивление в несколько десятков Ом, исключает паразитную генерацию усилителя.Второй каскад усиления на первом 50 транзисторе 1 также выполнен по схеме ОЭ, так как его эмиттер по высокой частоте эаэемлен через четвертый конденсатор 12. Первый резистор 4 задает смещение на базу первого транэистора 1, а в качестве нагрузки используется высокочастотный дроссель 1 О, усиленный сигнал с которого через разделительный третий конденсатор 11 подается на вход третьего каскада, выполненного на втором транзисторе 2 по схеме ОЭ. Первый резистор 13 зада" ет смещение на базу второго транзис" тора. Нагрузкой 15 третьего каскада является...

Номер патента: 1447881

Опубликовано: 30.12.1988

Авторы: Казанцев, Лещинская, Уточкин

МПК: C21D 1/60

Метки: закалочная, среда

...оказывает положительноевлияние на охлаждающую способностьсреды, обеспечивая равномерность ох-.лаждения в области пузырькового кипения и снижение скорости охлаждения винтервале температур мартенситногопревращения, что гарантирует уменьшение деформации и исключение образования трещин.Для проверки свойств предлагаемойзакалочной среды изготавливают и испытывают в лабораторно-производственных условиях образцы иэ стали 40 Х.Термостойкость состава закалочнойсреды проверяют путем определенияскорости охлаждения среды в интерваоФле 10-80 С и количественного определения твердости закаливаемых образцовпо сечению.Коррозионную стойкость среды проверяют по внешнему виду поверхностизакаливаемых изделий после вылеживания в течение 1-6 ч.Склонность к...

Номер патента: 1447821

Опубликовано: 30.12.1988

Авторы: Сомин, Стрелец, Уточкин

МПК: C07D 239/55

Метки: кислоты, оротовой

...хлора. Сушат 3-4 ч при 130-135 С. Получают,8,5 г (54%) безводной оротовой кислоты, Т 330 С (разл.), содержание основного вещества 98-99 Х 40 (обратное титрование О, 1 н. НС 1, индикатор - бромкреэоловый зеленый), УФ-спектр (О;1 н. МаОН): 3=286 нм, Я =5820.П р и м е р.2. Получение раствора . аминаля и выделение оротовой кислоты осуществляют как указано в примере 1,Раствор 10 г (0,1 моль) гидантоина в 75 мл воды при 80-85 С смешивают с толуольным раствором аминаля, дово 50 дят температуру полученной смеси до 85 С, переносят в делительную воронку, отделяют нижний водный слой от толуольного слоя, Водный слой выдерживают при кипении в течение 2 ч, Выход оротовой кислоты 52%.П р и м е р 3. Получение оротовой кислоты осуществляют как указано в...

Номер патента: 1444895

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Денисенко, Кравцов, Кузнецов, Уточкин

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...источников 11 и 12 опорного напряжения. При этом мостовойключ 1 закрыт, напряжение, запомненное на конденсаторе 2 в предыдущем 30такте выборки, поступает на выходустройства через повторитель 3 напряжения. Генераторы 8 и 9 тока в режиме хранения включены, и их выходныетоки уменьшают значения выходных токов генераторов 6 и 7 тока соответственно по отношению к режиму выборки.При поступлении импульса "Выборка"на стробирующий вход устройства одновибратор 13 в блоке 10 управленияформирует импульс управления, по которому генераторы 8 и 9 тока выключаются, и выходной ток генераторов 6и 7 тока достигает максимального значения. Затем импульс Выборка, задержаний в элементе 14 задержки,размыкает ключи 4 и 5, что вызываетоткрывание диодного мостового...

Номер патента: 1399348

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Бочкарев, Горелов, Грачев, Уточкин

МПК: C21C 1/02

Метки: смесь, чугуна, шлакообразующая

...аличие в смеси.шунгита содержащего 50-7 ОХ аморфного углерода и10-203 кремнезема, способствует цауглероживанию железоуглеродистого расплава, кроме того, аморфный углерод способствует восстановлению окислов железа, предохраняет от окисления и легко усваивается металлом, При этом возрастает концентрация углерода в чугуне. Параллельно идут процессы восстановления мелкодисперсного кремнезема аморфным углеродом и перехода кремния в расплав. Наличие кремнезема в шлаке оказывает благоприятное воздействие на шлак, придавая ему достаточную вязкость. Уменьшение содержания кремнезема приводит к уменьшению 33 яэкостн шлакас 33 едствиеы которого является повышенный износ футеровки ванны в шлаковом поясе и к увеличению угара элементов...

Номер патента: 1390362

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Набережных, Нечипоренко, Новик, Рябоштан, Уточкин

МПК: E21D 1/00, E21D 1/16

Метки: вертикальных, выработок, горных, изоляции, обводненных, условиях

...известными геофизическими метод ми. Определяют наличие и геометрию расположения активных геодинамическх зон и трещинных структур в непрсредственной близости от проекти- О рисуемого ствола. Проводят режимные аблюдения и определяют Аазы сжатияастяжения горной среды. На базе нженерного расчета определяют ради" с влияния каждой водопонижающей 25 скважины, Бурят их в активных геодиамических зонах. Ведут понижение уровня подземных вод путем откачки воды погружными насосами из водопонижающих скважин. После снижения ЗО уровня ниже почвы водоносного горизонта с забоя ведут бурение центральой скважины, Затем через нее ведут агнетание сжатого агента в трещиннооровую среду с давлением, превышаю м гидростатический напор водоносого горизонта. По...

Номер патента: 1376219

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Матюшкин, Уточкин

МПК: H03B 19/00

Метки: умножитель, частоты

...последовательно все три транзистора 1- 3, что повышает нелинейность проходной характеристики. Повышение нелинейности проходной характеристики . приводит к увеличению коэффициента гармоник, а следовательно, и к увеличению содержания высших гармоник в спектре выходного тока.Подавление побочных гармоник выходного сигнала осуществляется с помощью параллельных ЬС-колебательных контуров 5,-5, настроенных на подавляемые гармоники, следующим образом. Для полезной гармоники сигнала п, контуры 5,"5 обладают низким эквивалентным сопротивлением, поэтому коллектор транзистора 1 можно считать заземленным. Несмотря на это, транзистор, 1 включен по схеме с общим эмиттером, так как сигнал с первого каскада подается между базой и эмиттером, а...

Номер патента: 1282309

Опубликовано: 07.01.1987

Автор: Уточкин

МПК: H03F 3/189

Метки: высокой, усилитель, частоты

...1 является эмиттер, тоон оказывается включенным по схеме собщим эмиттером (ОЭ), чем объясняется высокий коэохЪициент усиления первого каскада.Сигнал, поданный на базы второгои третьего транзисторов 2 и 3, усиливается и с,коллекторов подаетсяна выход, таким образом в схемеосуществляется параллельная работа всех активных элементов на общую нагРузкуеЭмиттеры второго и третьего транзисторов 2 и 3 через конденсатор 5 параллельной КС-цепочки 15 и четвертый конденсатор 10, соответственно,соединены по высокой частоте с общейшиной, Тем не менее эти транзисторыоказываются включены по схеме с общимколлектором (ОК), так как входнойсигнал действует между коллекторами иэмиттерамн этих транзисторов и общими электродами между входами и выходами...

Номер патента: 1105050

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Бородянский, Крютченко, Онопко, Уточкин, Федотов

МПК: G06G 7/16, G06J 3/00

Метки: множительное, цифроаналоговое

...кад-так р пацклюс 1 е 1 нага аналоговым входам к выходу источника 3 опорного напряжения, а выходам - к входу первого преобразователя 4 так-напряжение, Выход преобразователя 4 соединен а аналоговым входом второго преобразователя 5 кад-ток, подклочецнога цифровым Входом к выходу второго регистра 6, а ВыхОЦамк ВКОДу Второго преабрггзователя 7 ток-напряже 51 ье Выход кото- рога является гыхадам устройства, Третий и четвертый регистрь 8 и 9, соединены ицфармационцымц Входами с иицами 1 О и 11 ввода кодов соответствующих самцожителей а управля 1 ощими входами - с выходок генератора 12 тактовых импульсов. Выход третьего регистра 8 подключен к первому информационному входу блока 13,сравнения и через первую линию 14 задержки - к первому...