Детектор амплитудно-модулированных сигналов

(51)5 Н 03 0 1/18 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯН А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Рязанский радиотехнический институт(56) функциональные устройства наинтегральных микросхемах дифференциального усилителя/11 од ред. В.З,Найдерова. - М.: Сов.радио, 1977, с,86,рис.3.18.(57) Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано врадиоприемных устройствах, 1 елью 801589369 А 1 изобретения является увеличение чувствительности и расширение динамического диапазона линейного участка детекторной характеристики, Детектор содержит дифференциальный каскад 1, выполненный на транзисторах 2 и 3, генератор 4 стабильного тока, выполненныйна транзисторе 5, транзистор 6, резисторы 7 - 11, конденсаторы 12 - 16,дроссель 17, входной трансформатор 18и источник 19 питания. Трвнэисторы 2,3 и 5 по низкой частоте включены посхеме дифференциального усилителя, апо высокой частоте по схеме общийэмиттер (ОЭ) - ОЭ-ОЭ. В результатекоэффициент усиления по высокой частоте увеличивается в 50 - 300 раз исоответственно снижается порог линейного детектирования и увеличиваетсячувствительность, 1 ил,Изобретение относится к радиотех-нике и может быть использовайо в радиоприемных устройствах,Цель изобретения - увеличение чувствительности и расширение динамичес 5кого диапазона линейного участка детекторной характеристики,На чертеже приведена структурнаяэлектрическая схема детектора амплитудно-модулированных сигналов.Детектор амплитудно-модулированныхсигналов содержит дифференциальныйкаскад 1, выполненный на первом 2 ивтором 3 транзисторах, генератор 4стабильного тока, выполненный натретьем транзисторе 5, четвертый транзистор 6, первый 7, второй 8, третий9, четвертый 10 и пятый 11 резисторы,первый 12, второй 13, третий 14, четвертый 15 и пятый 16 конденсаторы,дроссель 17, входной трансформатор 18и источник 19 питания.Детектор амплитудно-модулированных,сигналов работает следующим образом. 25Входной амплитудно-модулированныйсигнал с вторичной обмотки входноготрансформатора 18 через резистор 11и конденсатор 16 поступает на базуи эмиттер транзистора 5 генератора 30стабильного .тока, Этот транзистордля входного сигнала образует касгадвысокочастотного усиления, причем егоколлектор через конденсатор 14 по несущей частоте заземлен. Усиленный35сигнал снимается с эмиттера транзистора 5 и через разделительные конденсаторы 16 и 13 поступает на базутранзистора 2 дифференциального каскада 1, который образует второй каскад усиления входного амплитудно-модулированного сигнала. Так как общим электродом между входом и выходомтранзистора 5 является эмиттер, первыйкаскад образует схему с общим эмиттером (ОЭ), а резистор в цепи эмиттераявляется нагрузкой первого каскада,Резистор 11, имеющий сопротивлениев несколько десятков Ом, служит дляпредотвращения паразитной генерации.Второй каскад усиления на первомтранзисторе 2 также образует схемус ОЭ, так как эмиттер его по высокойчастоте заземлен через конденсатор14, а в качестве нагрузки используется дроссель 17 (высокой частоты),55предотвращающий возбуждение по низкойчастоте. Усиленный амплитудно-модулированный сигнап с коллектора транзистора 2 через (разделительный) конденсатор 15 поступает на базу транзистора 3 дифференциального каскада 1,Эмиттер транзистора 3 заземлен повысокой частоте через конденсатор 14,поэтому третий каскад усиления является каскадом с ОЭ, в цепи коллектора которого включен нагрузочный резистор 7,Таким образом, по высокой частотетранзисторы 2, 3 и 5 включены посхеме ОЭ-ОЭ-ОЭ, В результате коэффициент усиления амплитудно-модулированного сигнала увеличивается в 50300 раз по сравнению с прототипом,благодаря чему во столько же разуменьшается входное напряжение порога.линейного детектирования, т,е, увеличивается чувствительность,С коллектора транзистора 3 усиленный амплитудно-модулированный сигналподается на вход эмиттерного повторителя, выполненного на транзисторе6 и выполняющего роль детектирующегонелинейного элемента. Детектированиеосуществляется за счет отсечки эмиттерного тока при отрицательных полуволнах высокочастотного колебания.При соответствующем выборе постоянной времени цепи нагрузки на выходедетектора амплитудно-модулированныхсигналов выделяется огибающая входного амплитудно-модулированного сигнала. Для расширения динамическогодИапазона детектор амплитудно-модулированных сигналов охвачен отрицательной обратной связью по огибающеймодулированного сигнала через двепетли отрицательной обратной связи(ООС).Первая петля ООС образована связьютранзистора 6 с базой транзистора 3через резистор 8, эффективно действует не только на транзистор 3, но ина транзистор 2, который, в отличиеот прототипа, включен по схеме с ОЭПоэтому изменение тока эмиттера транзистора 2 существенно изменяет егокрутизну и коэффициент усиления, чтоприводит к расширению динамическогодиапазона детекторной характеристики,1Вторая петля ООС охватывает всекаскады детектора амплитудно-модулированных сигналов, т.е, с эмиттератранзистора 6 через резистор 9 наэмиттер транзистора 5 генератора 4стабильного тока При этом напряжение ООС частоты огибающей не проходит89369 Таким образом, в предлагаемой схеме детектора амплитудно-модулированных сигналов транзисторы 2, 3 и 5 по высокой частоте включены по схеме ОЭ-ОЭ-ОЭ (что резко повышает коэффи" циент усиления), а по постоянному току для цепей ООС - по схеме дифференциального усилителя. Формула изобретения Составитель А.ОсиповичРедактор Л.Пчолинская Техред Л,Олийнык Корректор Э.Лончакова Заказ 2546 Тираж 655 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,10 5 15 через конденсаторы 16 и 13 на базу транзистора 2, так как эти конденсаторы пропускают только сигнал напряжения несущей частоты. При этом емкость конденсатора 14 должна быть выбрана иэ условия заземления коллектора транзистора 5 только по несущей частоте и отсутствия такого заземления по частоте огибающей. Детектор амплитудно-модулированных сигналов, содержащий дифференциальный каскад, выполненный на первом и втором транзисторах, между эмиттерами кбторых и отрицательным выводом источника питания включен генератор стабильного .тока, выполненный на. третьем транзисторе, первый - пятый резисторы, первый и второй конденсаторы и четвертый транзистор, база которого подключена к коллектору второго транзистора дифференциального каскада и первому выводу первого резистора, второй вывод которого соединен с положительным выводом источника питания и коллектором четвертого транзистора, эмиттер которого соединен с первыми выводами второго резистора и первого конденсатора и яв,ляется выходом детектора амплитудномодулированных сигналов, база второготранзистора дифференциального каскада подключена к второму выводу второго резистора и первому выводутретьего резистора, база. первого транзистора дифференциального каскадасоединена с первыми выводами второгоконденсатора и четвертого резистора,второй выход которого соединен с общей шиной и вторым выводом первогоконденсатора, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью увеличения чувствительности и расширения динамическогодиапазона линейного участка детекторной характеристики, в него введены20 дроссель, включенный между коллектором первого транзистора дифференциального каскада и положительным выводомисточника питания, третий конденсатор, включенный межпу эмиттерами 25 транзисторов дифференциального каскада и общей шиной, четвертый конден.сатор, включенный между коллекторомпервого транзистора и базой второготранзистора дифференциального каска да, пятый конденсатор и входнойтрансформатор, первый и второй выводывторичной обмотки которого подключенысоответственно через пятый резисторк базе и через пятый конденсатор кэмиттеру третьего транзистора гене-,ратора стабильного тока, при этомвторой вывод второго конденсаторасоединен с вторым выводом вторичнойобмотки входного трансформатора