Способ количественного определения адсорбированных атомов и их агрегатов на поверхности твердого тела

изико-техническнй институт им, А. Ф. Иоффе 71) Заявител дена Л СПОСОБ КОЛИЧЕСТВЕННОАТОМОВ И ИХ АГРЕГАТ он техни.цепке.а поверхпределегатов щью по. Он осктивнотношения .и потенатома И) Недостатками данного способа являются сильная селективность и недостаточная чувствительность: если адсорбция атомов не изменяет Ч, то не удается обнаружить также атомы с помощью ПИ, причем, определять количество адсорбированных атомов с помощью ПИ можно, когда выполняется соотношение Ч , Однако чувствительность этого способа невелика, этИм способом можно обнаружить адсорбированные атомы при степенях покрытия больше 0,1 моиослоя, . ерд Изобретение относится к злектроннке и может быть использовано при околичества адсорбированных атомовности твердого тела.Известен способ количественногония адсорбированных атомов и их агна поверхности твердого тела с помоверхностной иониэации (ПИ) атомоновая на известной зависимости эффести ПИ адсорбируемых атомов от сомежду работой выхода поверхностициалом иониэации Ч адсорбируемого ГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ АДСОРБИРОВАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛАНаиболее близким к предложенному является способ количественного определения адсорбированных атомов и их агрегатов на по, верхности твердого тела, согласно которомуповерхность предварительно покрывают углеродом для ее валентного насыщения, нагревают, после чего ее облучают возбуждающим потоком часпщ и регистрируют ток ио.нов цезия (2).С помощью. этого способа за ростом конденсированной фазы на поверхности дг( И)-Сследят по току ионов, образующихся в резуль.тате поверхностной ионизация,Однако и этот способ не позволяет изме.. рять малые количества адсорбированных ато.15мов,Целью изобретения является повышениечувствительности и уменьшение селективностипри количественном определении адсорбиро.ванных атомов на поверхности твердого тела.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу количественного определенияадсорбированных атомов и их агрегатов наповерхности тв ого тела, включающему на928460 Составитель Л. Дикова Техред Ж. Кастелевич. Редактор Л. Веселовская Корректор С 111 омак Тираж 758 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб д, 4/5Заказ 3254/67 Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 гревание валентно-насыщенной поверхности,облучение нагретой поверхносги возбуждающим потоком частиц н последующую .регист.рацию тока ионов цезия, в качестве возбуждающего потока используют частицы цезиевыхсолей гэлогенов,В основе данного способа лежит каталитическая диссоциация молекул цеэиевых солейгалогенов, которая на валентно-насыщеннойповерхности протекает лишь тогда, когда молекула пркходит в контакт с адсорбированными атомами. После чего происходит поверх-постная ионизация продукта дкссоциации - .цезия.П р и м е р, Осуществляют определениеадсорбированных атомов Ва на поверхностииридия. При этом поверхность валентно пасыщают эа счет покрытия монослоем графита.На нагретую до 900 К поверхность 4 г-С направляют поток молекул Са С н измеряютслабый фоновый ток ионов Сз(ф 7.10 ),обязанный диссоциация молекул на дефектахвалентно.насыщенной поверхности таких, какступени, углы, точечные дефекты. Напылениена такую поверхность атомов Ва приводитк резкому возрастанию , которое пролорционально количеству адсорбированных атомов,4от 7 10 б до 0,2, и предельные Значения концентрации адсорбированных атомов, которые могут быть зарегистрированы, составляют 10 т от монослойного покрытия барием, что зна. чительно превышает чувствительность, достига. емую известным способом. Формула изобретения0 Способ количественного определения адсорбированных атомов и их агрегатов на поверхности твердого тела, включающий нагреваниевалентно насыщенной поверхности, облучениеее возбуждающим потоком частиц, и последующую регистрацию тока ионов цезия, о т л ич а ю щ н й с я тем, что, с целью повышениячувствительности и уменьшения селективностиспособа, в качестве возбуждающего потока используют частицы цезиевых солей галогенов.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Зандберг.Э. Я Ионов Н. И. Поверхностная ионизация. М., "Наука" 1969, с, 118,2. Тезисы докладов на ХЧ Всесоюзнойконфереаии по эмиссионной электронике.Т, 1, Махачкала, 1976, с. 29.