Сухопаров

Номер патента: 980165

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Конопелько, Сухопаров

МПК: G11C 29/00

Метки: дефектных, запоминающее, коррекцией, памяти, элементов

...записи информации на соответствующие шины устройства подаются сигналы разрешениязаписи 11, записи 12 и управления 13.При этом происходит возбуждение шиндешифраторов 3 и 4 в соответствиис кодом адреса опрашиваемого элемента 2 памяти матрицы 1. Возбужденнаяшина дешифратора 3 подключает элементы 2 памяти матрицы 1 выбранного слова к разрядным шинам 10. Одновременнопроисходит сравнение входного адресаопрашиваемого разряда, поступающегона входы 15 с информацией о дефектных разрядах, содержащейся в матрице 16,Если опрашивается исправный основной разряд матрицы 1, управляемыйэлементами И 7, то на выходах 18матрицы 16 появляются нулевые сигналыкоторые устанавливают на выходе эле-"мента ИЛИ-НЕ 19 единичный сигнал,а на выходах 21 элементов И 20...

Номер патента: 930385

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Калошкин, Мамедов, Подопригора, Савотин, Сухопаров

МПК: G11C 11/40

Метки: выборки, накопителе, памяти, элементов

...работц устройства.Устройство содержит первую шину 1 питания, шину 2 управления двухэмиттерный п-р-и транзистор 3 с двумя эмиттерами 4 и 5, адресную шину 6, шину 7 выборки элементов памяти при записи, и-р-и транзистор 8, нагрузочный резистор 9, р-и"р транзистор 1 О, шину 11 выборки элементов памяти при считывании, вторую шину 12 питания, источник 13 питания.Устройство работает следующим об- разом.В режиме покоя ток выине б и напряжение на шине 2 равны нулю. Напряжение на шине 11 (Ци) равно напряжению шины 1 (О), а напряжение на щине 7 равно нулю, так как транзистор 3 закрыт. Поступление в шину 6 адресного тока приводит к включению транзисторов 10 и 8. Потенциал шины 11 понижается до величины, рав-. ной остаточному напряжению между...

Номер патента: 929933

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Вороновский, Дижур, Ицкевич, Сухопаров

МПК: F16J 12/00

Метки: автономная, высокого, давления, камера

...плунжера 12, фиксация давления осуществляется гайкой- фиксатором 13, Полость 14 между поршнем с грибковой системой уплотнения и коническим обтюратором заполнена жидкой средой, например смесью пентана 40 О/о и трансформаторного масла 60 О/, от веса смеси. Все детали системы цилиндр - поршень, кроме поршня, подпятника и уплотнений, изготавливаются из стали 45 ХМНФА, термообработанной до твердости 49 ед. Кс, поршень и вкладыш фиксирующего подпятника - из карбида вольфрама ВК - 6 (с твердостью 90 ед. Кс), грибковая система уплотнения - из бериллиевой бронзы БР - Б 2, термообработанной до твердости 38 - 40 К с набором колец из резины и полиуретана, и служит для удержания жидкой, передающей давление среды на первом этапе создания...

Номер патента: 903972

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Болдырев, Верниковский, Калошкин, Левитман, Попов, Савотин, Сухопаров, Фомин

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее, оперативное

...введе-.ны элемент 11 согласования на транзисторе и дополнительный эмиттерныйповторитель 12, генератор 13 тока, ырезистор 14 и делитель напряжения изрезисторов 15 и 16. Кроме того, вкаждую строку ячеек накопителя вве 903972ден дополнительный инжекционный эле"мент 17 памяти, полностью соответствующий половинке триггерной ячейкипамяти, Элемент 17 снабжен разряднойшиной 18, подключенной к генератору 13 тока и к эмиттеру транзистораэлемента 11, согласования. Коллектортранзистора элемента 11 согласованиячерез резистор 14 выведен на положительный полюс источника питания. Наэтот же полюс выведен коллектор до-.полнительного эмиттерного повторитегня 12. База дополнительного эмиттерного повторителя 12 подключена к коллектору транзистора элемента...

Номер патента: 790333

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Болдырев, Савотин, Сухопаров, Шкроб

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, интегральный, логический, элемент

...транзистора 1 можно устанавливать отношением резисторов- ф . для кривой 11 он равен 1 дляа1кривой 12 - 0,9 для кривой 130,8.ЗО Из графиков следует, что с помощью величины отношения резисторов-ф можно так же менять порогйвыключения логической схемы, а вместе с тем и ширину петли гистереэиЗ 5 са. При включении транзистора 1ток коллектора за счет цели обратной связи равенЕ -2 Чо, (6)кл, Оо,ьк йТок базы этого транзистора обес 40 печивается током коллектора р п-ртранзистора 8, Поэтому для токабазы р-и-р транзистора 8 можно записатьол, ВьВл(т)45 Ю- (.ргде 9 р - коэффициент усиления р-п-ртранзистора 8,Ток базы Э 4 определяется током5 О коллектора транзистора б, который,в свою очередь, так же, как и токколлектора транзистора 5 фиксируется...

Номер патента: 720724

Опубликовано: 05.03.1980

Авторы: Болдырев, Савотин, Сухопаров, Шкроб

МПК: H03K 19/08

Метки: инвертор

.../область пятого транзистора 4 совмещена с эмиттером транзистора 3 и базой транзистора 2, а базовая область находится под постоянным смещением опорного уровня Ч . Второй токозадающий резистор 5, запитанный постоянным напряжением Е, и включенный в цепь эмиттера четвертого горизонтального р - ив р гранзистора 6, база и коллектор кото О рого совмещены соответственно с эмиттером и базой третьего вертикального п - р - п-транзистора 7. База этого транзистора соедйнена с коллектором транзистора 3, а эмиттер совмещен с коллектором шестого транзистора 8, базовая область которого находится под постоянным смещением опорного уровня О.Устройство работает следующим образом,Если база транзистора 3 находится под высоким потенциалом, то...

Номер патента: 639938

Опубликовано: 30.12.1978

Авторы: Айсаков, Воротило, Коновалов, Сухопаров

МПК: C12K 1/00

Метки: клеточных, микроорганизмов, процесса, разрушения, стенок, ферментативного

...30 мин при 80 С смесь охлаждают до 50 С и введением 1 н. раствора щелочи (11 аОН) в реакторе устанавливают вели 54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ П АЗРУШЕНИЯ КЛЕТОЧНЫХ йсаков и Г, Ф, СухопароРасход щелочи на титрование от начала процесса, л2,13,55,06,57,1 Формула изобретения Составитель С. ВоротилоРедактор М, Дмитриева Техред И. Рыбкина Корректор О. Данишева Заказ 2209/14 Изд. Ме 770 Тираж 526 Подписное НПО Государственного комнте".а СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 чину рН 7,0, оптимальную для процесса ферментолиза, т. е. действия комплекса литических ферментов. Процесс ферментолиза начинается после загрузки в реактор 2 кг ферментного препарата с активностью 5 300 тыс. ед./г....

Номер патента: 65396

Опубликовано: 01.01.1945

Автор: Сухопаров

МПК: G02B 25/00, G02B 27/30

Метки: автоколлимационный, коллиматор, окуляр

...изображения, обладающей большой глубиною, предложено в коллиматоре или в автоколлимационном окуляре установить две дополнительные сетки, расположенные на,равном расстоянии от основной сеткв коллиматора, - , одну впереди, а вторую сзади, - с целью наведения иа резкость изображения оптической системы по собственно коллвматору или коллвматору автоколлимационного окуляра трубы путем установки оптической системы на равную нерезкость (размытость) изображений указанных дополнительных сеток, что и является предметом изобретения.Л"о 65396 Фиг, 1 Примерная форма выполнения изобретения представлена на фиг.1 - 3. Фяг. 1 дает возможн, и форму выполнения коллиматора, фиг. 2 - схему зрительной трубы с автоколлимационным окуляром, фиг. 3 - примерный...