Способ диагностического контроля тензорезистивных полупроводниковых интегральных преобразователей
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИДЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 7 10 7/ ЗОБРЕТ ИОАН зме оды анс л а Цд,(, полярность п воположную и жение разбал питкия гоналей мена д меряют итс о я напряж ния и изанса Ц ме зб х и Значения двКиК1 ) о 11) + итания. араметро полярностях ностическихляются по ф вычис)о(-) ) ениям мулам К+, ) . По распр ойемыеобларасет п з вующих позвал дефект осущес вляю е облучение змере- ий аиряжен" о(-) опоставлением с , опре чения иарамеют вид дефек- лы. трукту 1 з.п. ОСУДДРСТВЕННЬЙ НОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЦТИЙ МУ СВИДЕТЕПЬСТ(71) Московский лесотехнический институт(54) СПОСОБ ДИАГНОСТИ)ЕСКОГО КОНТРОЛЯ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХИНТЕГРАЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ (57) Изобретение относится к злект" ронной технике. Цель изобретения - повышение достоверности и быстродействия контроля. Контроль напряжений разбаланса в диагоналях мостовой структуры интегральных преобразователей (ИП) проводится при различной полярности питания. Структуры ИП нагреваются до температуры теплового баланса кристалла и подается постоянное напряжение. Положительный и отрицательный потенциалы подаются на выЯО 143089 тся напряжение разбаежду выводами. Затемания меняется на протиновь измеряется напряса П о,( ) . После этого аметров К и К контролиру тии отбирают ИП, характери чениями Ки К , лежащими тях максимумов соответстпределений. Изобретениепроводить идентификациюструктуры ИП. Для этогося локальное инфракраснообластей тензорезисторовние начальных выходных нииС 1(ф) ф "О (-1 1 " О 2 ф)Заказ 5339/48 Тираж 772 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Производственно-полиграфическое предприяти., г. Ужгород, ул. Проектная,теля 2 мВт проходит в кремний на глубину порядка 2 мкм, что достаточнодля того, чтобы облучить дно изолирующего р-и-перехода диффузионных 5тензорезисторов. Инфракрасное облучение области тензореэисторов способствует выявлению и идентификациискрытых дефектов структуры ИП,Предлагаемый способ применим не 10только к ИП, но и к датчикам, выполненным на их основе, что позволяетвыявлять дефекты, вносимые при сборкедатчика,Для идентификации дефектов на 15стадии пластин или на разделительныхкристаллах ИП осуществляется измерение информативных параметров при локальном инфракрасном облучении облас"тей тензорезисторов, т.е. Б 0,1, 20/П ,Б ,1, П. По результатамизмерений П; и Б ; с помощью ЭВМ поматематической модели, составленнойна базе физической модели, определяют вид дефекта, внесенного в структуру при изготовлении ИП с целью корректировки технологического процессаих изготовления. 30Формула изобретения 1. Способ диагностического контроля тензореэистивных полупроводниковых интегральных преобразователей, выполненных по схеме моста, заключающийся в том, что подают напряжение питанияна диагональ питания моста, измеряютнапряжение разбаланса в измерительной диагонали моста, изменяют полярность напряжения питания и повторноизмеряют напряжение раэбаланса в измерительной диагонали моста, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения быстродействия и достоверности контроля, производят предварительно нагрев преобразователей дотемпературы теплового баланса, измеряют измеренные напряжения раэбаланса, производят смену диагоналипитания и измерительной, измеряютнапряжение раэбаланса при прямой иобратной полярностях напряжения источника питания, суммируют оба напря"жения разбаланса и по результатамсуммирования напряжений раэбалансвсудят о качестве исследуемого преобразователя. 2. Способ по п. 1, о т л и ч а ю-щ и й с я тем, что, с целью повьппения достоверности обнаружения дефектов структуры интегральных преобразователей, в процессе измерения напряжения раэбаланса осуществляют локаль- ное инфракрасное облучение структуры, сопоставляют напряжения разбалансов облученной структуры с соответствующими напряжениями раэбалансов до облучения структуры, по результатам которых определяют вид дефекта.
СмотретьЗаявка
4156133, 02.12.1986
МОСКОВСКИЙ ЛЕСОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
БОРЩЕВ ВЯЧЕСЛАВ НИКОЛАЕВИЧ, КАЛЕНИК ГЕННАДИЙ ПАВЛОВИЧ, МАЛКОВ ЯКОВ ВЕНИАМИНОВИЧ, МОРОЗОВ ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ, ПЕТРОВ СЕРГЕЙ ПАВЛОВИЧ, СПАЛЕК ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01B 7/16, G01R 17/10
Метки: диагностического, интегральных, полупроводниковых, преобразователей, тензорезистивных
Опубликовано: 15.10.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1430897-sposob-diagnosticheskogo-kontrolya-tenzorezistivnykh-poluprovodnikovykh-integralnykh-preobrazovatelejj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ диагностического контроля тензорезистивных полупроводниковых интегральных преобразователей</a>
Транзисторный преобразователь напряжения постоянного тока в переменное напряжение для питания гистерезисного двигателя
Номер патента: 140881
Опубликовано: 01.01.1961
Метки: гистерезисного, двигателя, напряжение, переменное, питания, постоянного, транзисторный
...ооразом. При включении питания реле времени 1 включает генератор форсировкп 2, в котором с помощью двойного преобразователя получается постоянное напряжение, гальванически разделенное с напряжением питания. Напряжение генератора 2 складывается с напряжением питания, снимаемого со стабилизатора 3, подается на выходные каскады 4, 5 и предварительные усилители б, 7. Таким ооразом на двигателе (на чертеже не изображен) обеспечивается двойное напряжение, перевозбуждающее его.14088 При слу 1 Яйных перерузках двигате;1 ъ мОжит выпасть из синхронизма и эффект перевозбуждения пропадет. В этом случае требуется оторное псревозбукдение. Гепера 1 ор форсировки запускается устройством 8 повторного перевозбуждения, состоящего из насыщающегося...
Тензометрическое устройство с прямоугольным напряжением питания моста
Номер патента: 781704
Опубликовано: 23.11.1980
Авторы: Морозов, Родзевич, Шпон
МПК: G01R 17/10
Метки: моста, напряжением, питания, прямоугольным, тензометрическое
...информации,принятые во внимание при экспертизе1. Проспект Фирмы Брюль и Къер"Тензоиндикатор 1526".5 2. Беклемишев А.И. и др. Сб. работпо измерительным и вычислительнымсистемам для исследования аэродинамики, динамики и прочности летательныхаппаратов, ЦАГИ, вып. 1599, 1977. Цель изобретения - повышение точности измерений."Поставлейная цель достигается тем, что тензометрическое устройство, содержащее последовательно соединенный задающий генератор, блок питания моста, измерительный мост, входной трансформатор, усилитель, ключевой и выходной блоки, снабжено последовательно соединенными формирователем и вторым ключевым блоком, входкоторого подключен параллельно любой из обмоток входного трансформатора, а вход формирователя - к выходу...
Стабилизатор напряжения питания часовой интегральной схемы
Номер патента: 1345165
Опубликовано: 15.10.1987
Авторы: Андреев, Красник, Маеркович
МПК: G04C 3/00
Метки: интегральной, питания, стабилизатор, схемы, часовой
...этих транзисторов порядка10 нА. Именно это обстоятельство позволяет использовать входные цепитранзисторов 3 и 13 в качестве датчиков пороговых напряжений,Транзистор 3 включен в диодном режиме:, ток стока этого транзистора целиком определяется током генератора12 емкостного тока. Размеры каналатранзистора 3 выбираются такими, чтобы при изменении тока генератора 12емкостного тока в пределах от 0 до20 нА затворное напряжение транзистора 3 изменялось незначительно и находилось вблизи порогового напряжения р-канального транзистора. В этомслучае транзистор 3 работает в пологой области, и его ток стока не зависит от напряжения на его стоке. Размер канала транзистора 4 следует выбирать таким же, как и транзистора3. В этом случае режимы работы...
Стабилизатор напряжения питания часовой интегральной схемы
Номер патента: 1453378
Опубликовано: 23.01.1989
Авторы: Брискин, Синдаловский, Черницкий
МПК: G05F 1/10
Метки: интегральной, питания, стабилизатор, схемы, часовой
...подключен к айшей шине, первые вывозы падстраечцага конденсатора резистора обратной связи и кварцецага резанатара И,е,01 цецы ц 145337 ется таким образам, чтобы действие подзапирающега напряжения распространялось на цесколько периодов генерируемой частоты 1 = КС = (5-50) Т5 так, чтобы в промежутках между выходными импульсами потенциал на затворе транзистора 14 существенно не менялся,Повышение потенциала на стоке транзистора 14 приводит к быстрому подэаряду емкости 11 через нагрузочный резистор 12 и диод 13 утечки, включенный в прямом направлении. П-канальный транзистор 10 п дэапирается, что приводит к понижению напряжения на шине, подключенной к истоку этого транзистора, а следовательно, к уменьшению амплитуды выходного сигнала...
Способ настройки интегральных тензометрических мостов
Номер патента: 1525442
Опубликовано: 30.11.1989
Авторы: Ворожбитов, Зиновьев, Тихоненков, Халястов
МПК: G01B 7/16
Метки: интегральных, мостов, настройки, тензометрических
...самопроизвольная диффузияв планарных реэистивном и защитномслоях, Прымеси, захваченные во времянапыления, мигрируют в процессе термообработки к границам зерен резистивного. материала, где имеется большая35вероятность их выпаддния, Диффузияпо границам зерен протекает на несколько порядков быстрее, чем пообъему металлической пленки. Поэтому 40в результате термообработки температурный коэффициент сопротивления верхних,слоев резистивных пленок будетсущест-венно отрицательным, авнутреннихслоев в останет положительным, Этопозволяет получить результирующий температурный коэффициент сопротивленияпокрытого диэлектрическим слоем тенэорезистора почтина порядок сниженным по сравнению с исходным значением,этого . коэффициента.ф Затеи одну из...
Предыдущий патент: Нагрузочное устройство для контроля источников питания
Следующий патент: Линейный преобразователь среднеквадратического значения напряжения
Случайный патент: Сцепление