Устройство для измерения сопротивления проводящих пленок

Номер патента: 641890

Опубликовано: 05.01.1979

Авторы: "пьер, Даниель, Жак, Клод

МПК: H01J 1/312, H01J 9/02

Метки: металл-диэлектрик-металл, типа, эмиттера

...эмиттеров, содержащих диэлектрический слой,расположенный между двумя металлическими слоями 11). Диэлектрический слойобычно изготавливается из окисных пленок, например А 8 еО ипи Ве О, Такиеэмиттеры получают путем электропитичеокого осаждения на металлическую подложку слоя диэлектрика 21,Указанный способ трудно реализоватьпри формировании слоев диэлектрика набольшой площади подложки,Цель изобретения - упрощение технологии получения слоя диэлектрика,Поставленная цель достигается тем,что готовят раствор из органическогорастворителя (гексаметилфосфоротриамидаи тетрагидрофурана) и электролита-перхлората щелочного металле, погружаютв этот раствор металлическую подложку,подают нв нее отрицательное напряжи проводят осаждение...

Номер патента: 1053737

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Рудольф, Энгельберт

МПК: B29C 27/04

Метки: индукционной, металлическим, многослойной, пленки, сварки, слоем, трубчатых

...неэлектропроноднам наполнителем устраняет опасность.ного материала н шлиц и предотвращает коробление поверхности боковыхчастей головки тюбика,Выполнение матрицы из двух частейпозноляет снизить производственные З 5затраты и приспособить ее к различным формам трубчатых деталей, анаправляющая гильза с коническимвходным отверстием обеспечиваетлегкое введение и точное центрированне оправки с трубчатой частью иголовкой тюбика относительно катушки.На фиг, 1 изображен пример выполнения устройства с изолирующим элеметом," на фиг, 2 - то же, вид снизу;на фиг, 3 - пример выполнения устройства с подвижными друг оносительно друга частями матрицы.Устройство для индукционной сварки трубчатых деталей из многослойной опленки с металлическим слоем...

Номер патента: 524492

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивании, газовой, диэлектриков, зоне, кислорода, кислородсодержащих, летучих, полупроводников, реакционной, слоев, соединений, фазы, эпитаксиальных

Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращивания путем введения в газовую фазу реакционной зоны контролируемого количества элемента, не являющегося электрически активной примесью и образующего прочные соединения с кислородом, например алюминия, при выращивании полупроводников типа A3B5.

Номер патента: 1836487

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Витторио, Джанфранко, Джованни

МПК: C23C 14/00

Метки: вакууме, гидрида, металла, металла,полученной, нанесения, пленки, пленкой, пленок, полученной, применение, способом, субстрата

...образец4 +с энергией 2,2 МеЧ и под углом 750. Как известно, эти два метода позволяют 50 определить концентрацию атомов в см, в результате чего можно сразу подсчитать стехиометрию гидрида, В данном случае получили величину соотношения Н/Т в интервале от 1,7 до 2. 55Анализ пленки при помощи малоуглового рентгеновского излучения подтвердил присутствие одной фазы гидрида титана, тогда как негидрированный титан имеет гексагонал ьную кристаллическую решетку. Анализ с помощью Оже-спектроскопиипоказал, что кислород содержится только ввиде примеси с концентрацией менее 1 ф,П р и м е р 2. На субстрат, представляющий собой стеклянную пластину размерами 5 х 5 см, была осаждена пленка гидрида титана при помощи того же оборудования и тем же...

Номер патента: 82069

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Рожновский

МПК: E04B 1/76, F16L 59/00

Метки: блок, гофрированной, пленки, слоями, теплоизоляционный, упругий

...стенки обеспечивают западание гребней гофра во впадины сопрягаемых блоков. Таким образом создается плотное сопряжение блоков между собою и со стенками ячеек ограждения, отчего продувание, проникновение паров и конвекция воздуха между отдельными блоками и отдельными воздушными прослойками устраняется,Изготовляются блоки непрерывным процессом, причем слои гофрированной пленки располагаются в них вперевязку. Гофры в сопрягаемых слоях укладываются перпендикулярно. Непрерывным же способом без склейки образуются блоки с параллельным расположением гофров. Между слоями гофрированной пленки может быть прослойка из алюми. ниевой фольги. Тепловое сопротивление олоков может быть увеличено1Ь 20 б 9при йомощи озеркаливания поверхности...