Устройство для нагрева плазмы

Номер патента: 496890

Авторы: Лонгинов, Мирошниченко, Нижник, Солодовченко

ZIP архив

Текст

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ п 149689 О Союз Советских Социалистических3Республик въФ р: 1 ,ф:(51) Ч.Кл.- Н 05 Н 1/О 23) Приоритет -43) Опубликовано 05,03.77, Бюллетень ЪЪ осударственнык комит овета Министров СССпо делам изобретений и открытий 3) УДК 533.9(088.8) 45) Дата опубликования описания 06.07.7 Авторыизобретения В Лонгинов, Г, А, Мирошниченко, Г, Я. Ниж и С. И. Солодовченко 1) Заявител ОЙСТВО ДЛЯ НАГРЕВА ПЛАЗМЫ(54 частотной энергии создает высокочастотное поле с преобладающими компонентами и и Екасательными к поверхности плазменного шнура, которое возбуждает в плазме широкий по продольным волновым числам Кг2.испектр волн (Кг=: -- ,где и = 1,2,3 и т.д.).Подобный широкий спектр волн и их равномерная по спектру интенсивность позволяет обеспечить линейное бесстолкновительное поглощение энергии волн частицами плазмы без образования плато на функции распределения,Достаточно высокая эффективность нагрева плазмы с помощью данного устройства обеспечивается при условии, когда зазор Ь между кольцом 3 и поверхностью плазмы значительно меньше зазорамежду поверхностью камеры 2, который в свою очередь, должен удовлетворять условию наитиермояд йство для наи д е 1 - попе цаем длинречная ость пл а волн колеба новым и -ме во Изобретение может " применение вэкспериментальных т ерных установках.Известны устройства для нагрева плазмыпутем возбуждения электромагнитных волн 5в плазме с помощью катушки индуктивности,охватывающей плазменный шнур и создающей пространственное периодическое высокочастотное магнитное поле.Такие системы могут возбуждать достаточно эффективно только быстрые электромагнитные волны, поглощаемые, в основном,ионной компонентой плазмы,В предлагаемом устройстве с целью эффективного ввода высокочастотной энергии вплазму возбуждающая система выполнена ввиде кольца, а источник высокочастотнойэнергии подключен между кольцом и камерой.На чертеже показано устро0грева плазмы.Плазменный шнур 1, находящийся в магнитном поле, расположен внутри металлической камеры 2, которая может выполнять рольГвакуумной камеры. Вблизи поверхности плазменного шнура 1 расположено кольцо 3, охватывающее плазменный шнур, Источник 4высокочастотной энергии включен междукольцом 8 и металлической камерой 2.Кольцо 8 с помощью источника 4 высоко- З 0 диэлектрическая прониазмы,ы возбуждаемых в плазний с и-ым продольнымчислом.Тираж 1069Совета Министров Соткрытийнаб., д. 4/5 Заказ 289/974 Изд,482ЦИИИПИ Го го комзобрете5, Рауш ПодписноР те нии сксударственно по делам и 1 осква, Жарьк. фил. пред, Патен В отдельных экспериментальных установках целесообразно выполнять возбуждающую систему в виде части кольца. Формула изобретенияУстройство для нагрева плазмы, находящейся в металлической камере с диафрагмой,ограничавающей плазменный шнур, состоящее из возбуждающей системы и источника высокочастотной энергии, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью эффективного ввода вы сокочастотной энергии в плазму, возбуждающая система выполнена в виде кольца, а источник высокочастотной энергии подключен между кольцом и камерой.

Смотреть

Заявка

1762819, 24.03.1973

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8851

ЛОНГИНОВ А. В, МИРОШНИЧЕНКО Г. А, НИЖНИК Г. Я, СОЛОДОВЧЕНКО С. И

МПК / Метки

МПК: H05H 1/00

Метки: нагрева, плазмы

Опубликовано: 05.03.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-496890-ustrojjstvo-dlya-nagreva-plazmy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для нагрева плазмы</a>

Похожие патенты